Field emission from zinc oxide nanopins

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 18, 2003, Pages 3806-3808

  Xu, C X ^a   Sun, X W ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COPPER; CRYSTAL GROWTH; CRYSTAL STRUCTURE; CURRENT DENSITY; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRON DEVICE MANUFACTURE; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; SILICON WAFERS; SINGLE CRYSTALS; TRANSPORT PROPERTIES; VAPORS;

COPPER COATED SILICON WAFER; FIELD EMISSION; HEXAGONAL WURTZITE PHASE ZINC OXIDE; VAPOR TRANSPORT; ZINC OXIDE NANOPHINS;

ZINC OXIDE;

EID: 0344066239     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1625774     Document Type: Article

References (20)

1. C. Wang, A. Garicia, D. C. Ingram, M. Lake, and M. E. Kordesch, Electron. Lett. 27, 1459 (1991).
2. H. Kiyota, H. Araki, H. Kobayashi, T. Shiga, K. Kitaguchi, M. Lida, H. Wang, T. Miyo, T. Takida, T. Kurosu, K. Lnoue, and I. Saito, Appl. Phys. Lett. 75, 2331 (1999).
3. S. H. Jeong, H. Y. Hwang, and K. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 2052 (2001).
4. J. X. Guo, Z. Sun, B. K. Tay, and X. W. Sun, Appl. Surf. Sci. 214, 351 (2003).
5. K. L. Ng, J. Yuan, J. T. Cheung, and K. W. Cheah, Solid State Commun. 123, 205 (2002).
6. F. G. Tarntair, C. Y. Wen, L. C. Chen, J.-J. Wu, K. H. Chen, P. F. Kuo, S. W. Chang, Y. F. Chen, W. K. Hong, and H. C. Cheng, Appl. Phys. Lett. 76, 2630 (2000).
7. V. N. Tondare, C. Balasubramanian, S. V. Shende, D. S. Joag, V. P. Godbole, S. V. Bhoraskar, and M. Bhadhade, Appl. Phys. Lett. 80, 4813 (2002).
8. B. L. Ward, O. H. Nam, J. D. Hartman, S. L. English, B. L. McCarson, R. Schlesser, Z. Sitar, R. F. Davis, and R. J. Nemanish, J. Appl. Phys. 84, 5238 (1998).
9. M. H. Huang, Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 13, 113 (2001).
10. W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
11. L. Vayssieres, K. Keis, S.-E. Lindquist, and A. Hagfeldt, J. Phys. Chem. B 105, 3350 (2001).
12. Y. Li, G. W. Meng, L. D. Zhang, and F. Phillipp, Appl. Phys. Lett. 76, 2011 (2000).
13. L. Dong, J. Jiao, D. W. Tuggle, J. M. Petty, S. A. Elliff, and M. Coulter, Appl. Phys. Lett. 82, 1096 (2003).
14. Y. Nakanishi, A. Miyake, H. Kominami, T. Aoki, Y. Hatanaka, and G. Shimaoka, Appl. Surf. Sci. 142, 233 (1999).
15. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
16. R. A. Laudise and A. A. Ballman, J. Phys. Chem. 64, 688 (1960).
17. T. Sugino, Y. Iwasaki, S. Kawasaki, R. Hattori, and J. Shirafuji, Diamond Relat. Mater. 6, 889 (1997).
18. N. S. Xu, R. V. Latham, and Y. Tzeng, Electron. Lett. 29, 1956 (1993).
19. V. D. Frolov, A. V. Karabutov, S. M. Pimenov, V. I. Konov, and V. P. Ageev, Diamond Relat. Mater. 10, 1719 (2001).
20. I. Alexandrou, E. Kymakis, and G. A. J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett. 80, 1435 (2002).