Ohmic contact of cadmium oxide, a transparent conducting oxide, to n-type indium phosphide

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 3, Issue 4, 2011, Pages 1341-1345

  Ou, Fang ^a   Buchholz, D Bruce ^a   Yi, Fei ^a   Liu, Boyang ^a   Hseih, Chunhan ^a   Chang, Robert P H ^a   Ho, Seng Tiong ^a  

^a Northwestern University   (United States)

Author keywords

CdO; III V semiconductor; Ohmic contact; PLD; surface pretreatment; TCO

Indexed keywords

CDO; III-V SEMICONDUCTOR; PLD; SURFACE PRETREATMENT; TCO;

CADMIUM; CADMIUM COMPOUNDS; ELECTRIC CONTACTORS; HYDROGEN; INDIUM; INDIUM PHOSPHIDE; PLASMA DEPOSITION; PULSED LASER DEPOSITION; SUBSTRATES; VOLTAGE DIVIDERS;

OHMIC CONTACTS;

EID: 84870357112     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am2001357     Document Type: Article

References (58)

1. Loualiches, S.; Lharidon, H.; Lecorre, A.; Lecrosnier, D.; Salvim, M.; Favennec, P. N. Appl. Phys. Lett. 1988, 52, 540-542
2. Gleason, K. R.; Dietrich, H. B.; Henry, R. L.; Cohen, E. D.; Bark, M. L. Appl. Phys. Lett. 1978, 32, 578-581
3. Shorubalko, I.; Xu, H. Q.; Maximov, I.; Nilsson, D.; Omling, R.; Samuelson, L.; Seifert, W. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 377-379
4. Dvorak, M. W.; Bolognesi, C. R.; Pitts, O. J.; Watkins, S. P. IEEE Electron Device Lett. 2001, 22, 361-363
5. Shibata, J.; Nakao, I.; Sasai, Y.; Kimura, S.; Hase, N.; Serizawa, H. Appl. Phys. Lett. 1984, 45, 191-193
6. Hafez, W.; Feng, M. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 152101
7. Endoh, A.; Yamashita, Y.; Shinohara, K.; Hikosaka, K.; Matsui, T.; Hiyamizu, S.; Mimura, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 2214-2218
8. Ho, P.; Kao, M. Y.; Chao, P. C.; Duh, K. H. G.; Ballingall, J. M.; Alllen, S. T.; Tessmer, A. I.; Smith, P. M. Electron. Lett. 1991, 27, 325-327
9. Dawson, D.; Samoska, L.; Fung, A. K.; Lee, K.; Lai, R.; Grundbacher, R.; Liu, P. H.; Raja, R. IEEE Microwave Wireless Compon. Lett. 2005, 15, 874-876
10. Yamaguchi, M. J. Appl. Phys. 1995, 78, 1476-1480
11. Rech, B.; Wagner, H. Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 1999, 69, 155-167
12. van de Lagemaat, J.; Park, N. G.; Frank, A. J. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 2044-2052
13. Coldren, L. A. IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2000, 6, 988-999
14. Liu, Y. J.; Yen, C. H.; Hsu, C. H.; Yu, K. H.; Chen, L. Y.; Tsai, T. H.; Liu, W. C. Opt. Rev. 2009, 16, 575-577
15. Bashar, S. A.; Rezazadeh, A. A. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 1995, 43, 2299-2303
16. Chopra, K. L.; Major, S.; Pandya, D. K. Thin Solid Films 1983, 102, 1-46
17. Freeman, A. J.; Poeppelmeier, K. R.; Mason, T. O.; Chang, R. P. H.; Marks, T. J. MRS Bull. 2000, 25, 45-51
18. Hartnagel, H. L.; Dawar, A. L.; Jain, A. K.; Jagadish, C. Semiconducting Transparent Thin Films; Institute of Physics Publishing: Bristol, U.K., 1995.
19. Gordon, R. G. MRS Bull. 2000, 25 (8) 52-57
20. Ueda, N.; Maeda, H.; Hosono, H.; Kawazoe, H. J. Appl. Phys. 1998, 84, 6174-6177
21. Yang, Y.; Jin, S.; Medvedeva, J. E.; Ireland, J. R.; Metz, A. W.; Ni, J.; Hersam, M. C.; Freeman, A. J.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 8797-8804
22. Yi, F.; Ou, F.; Liu, B.; Huang, Y.; Ho, S. T.; Wang, Y.; Liu, J.; Marks, T. J.; Huang, S.; Luo, J.; Jen, A. K. Y.; Dinu, R.; Jin, D. Opt. Express 2010, 18, 6779-6796
23. Nunoya, N.; Nakamura, M.; Morshed, M.; Tamura, S.; Arai, S. IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 2001, 7, 249-258
24. Irmscher, S.; Lewen, R.; Eriksson, U. IEEE Photon. Technol. Lett. 2002, 14, 923-925
25. Masona, T. O.; Gonzaleza, G. B.; Kammlerb, D. R.; Mansourian-Hadavia, N.; Ingram, B. J. Thin Solid Films 2002, 411, 106-114
26. Yan, M.; Lane, M.; Kannewurf, C. R.; Chang, R. P. H. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2342-2344
27. Chen, K. J.; Enoki, T.; Maezawa, K.; Arai, K.; Yamamoto, M. IEEE Trans. Electron Devices 1996, 43, 252-257
28. Del Alamo, J. A.; Mizutani, J. Solid-State Electron. 1988, 31, 1635-1639
29. Minami, T Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, 35-44
30. Lin, H. C.; Senanayake, S.; Cheng, K. Y.; Hong, M.; Kwo, J. R.; Yang, B.; Mannaerts, J. P. IEEE Trans. Electron Devices 2003, 50, 880-885
31. Blank, T. V.; Goldberg, Y. A. Semiconductors 2007, 41, 1281-1308
32. Wang, S. Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics; Prentice Hall, Upper Saddle River, NJ, 1989.
33. Physical Properties of Semiconductors, Ioffe Physico-Technical Institute. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html.
34. Xu, Y.; Schoonen, M. A. A. Am. Mineral. 2000, 85, 543-556
35. Dou, Y.; Egdell, R. G.; Walker, T.; Law, D. S. L.; Beamson, G. Surf. Sci. 1998, 398, 241-258
36. Dou, Y.; Fishlock, T.; Egdell, R. G.; Law, D. S. L.; Beamson, G. Phys. Rev. B 1997, 55, R13381-R13384
37. Moss, T. S. Proc. Phys. Soc., London, Sect. B 1954, 67, 775-782
38. Burstein, E. Phys. Rev. 1954, 93, 632-633
39. Hamberg, I.; Granqvist, C. G.; Berggren, K. F.; Sernelius, B. E.; Engström, L. Phys. Rev. B 1984, 30, 3240-3249
40. Jefferson, P. H.; Hatfield, S. A.; Veal, T. D.; King, P. D. C.; McConville, C. F.; Zuéñiga Peérez, J.; Muñoz Sanjoseé, V. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 022101
41. Makuta, I. D.; Poznyak, S. K.; Kulak, A. I. J. Phys. Chem. Solids 1994, 55, 447-451
42. Benko, F. A.; Koffyberg, F. P. Solid State Commun. 1986, 57, 901-903
43. Gurumurugan, K.; Mangalaraj, D.; Narayandass, S. K.; Nakanishi, Y. Mater. Lett. 1996, 28, 307-312
44. Li, X.; Young, D. L.; Moutinho, H.; Yan, Y.; Narayanswamy, C.; Gessert, T. A.; Couttsz, T. J. Electrochem. Solid-State Lett. 2001, 4, C43-C46
45. Buchholz, D. B.; Liu, J.; Marks, T. J.; Zhang, M.; Chang, R. P. H. ACS Appl. Mater. Interfaces 2009, 1, 2147-2153
46. Subramanyam, T. K.; Uthanna, S.; Naidu, B. S. Mater. Lett. 1998, 35, 214-220
47. Vigil-Galaén, O.; Saénchez-Gonzaélez, Y.; Arias-Carbajal, A.; Contreras-Puente, G.; Tufiño-Velaézquez, M.; Ruiz, C. M. Phys. Status Solidi A 2006, 203, 3713-3719
48. Ellmer, K. J. Phys. D: Appl. Phys. 2001, 34, 3097-3108
49. Kulkarni, A. K.; Schulz, K. H.; Lim, T. S.; Khan, M. Thin Solid Films 1999, 345, 273-277
50. Seto, J. Y. W. J. Appl. Phys. 1975, 46, 5247-5254
51. Brunfaux, J.; Cachet, H.; Froment, M.; Messad, A. Thin Solid Films 1991, 197, 129-142
52. Saha, B.; Thapa, R.; Chattopadhyay, K. K. Solid State Commun. 2008, 145, 33-37
53. Guivarch, A.; LHaridon, H.; Pelous, G.; Hollinger, G.; Pertosa, P. J. Appl. Phys. 1984, 55, 1139-1148
54. Hattori, K.; Izumi, Y. J. Appl. Phys. 1981, 52, 5699-5701
55. Gagnaire, A.; Joseph, J.; Etcheberry, A.; Gautron J. Solid-State Sci. Technol. 1985, 132, 1655-1658
56. Tu, C. W.; Chang, R. P. H.; Schlier, A. R. Appl. Phys. Lett. 1982, 41, 80-81
57. Hofstra, P. G.; Robinson, B. J.; Thompson, D. A.; McMaster, S. A. J. Vac. Sci. Technol., A 1995, 13, 2146-2150
58. Bruno, G.; Capezzuto, P.; Losurdo, M. Phys. Rev. B 1996, 54, 17175-17183