Opportunity of spinel ferrite materials in nonvolatile memory device applications based on their resistive switching performances

Journal of the American Chemical Society

Volumn 134, Issue 36, 2012, Pages 14658-14661

  Hu, Wei ^a   Qin, Ni ^a   Wu, Guangheng ^a   Lin, Yanting ^a   Li, Shuwei ^a   Bao, Dinghua ^a  

^a SUN YAT SEN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTING FILAMENT; CONDUCTION MECHANISM; EFFECT OF OXYGEN; HIGH-RESISTANCE STATE; LOW OPERATING VOLTAGE; LOW-RESISTANCE STATE; NONVOLATILE MEMORY DEVICES; OHMIC CONDUCTION; PHYSICAL MECHANISM; RESISTANCE STATE; RESISTIVE SWITCHING; RETENTION TIME; SCHOTTKY EMISSIONS; SPINEL FERRITES; TEMPERATURE DEPENDENCE;

FERRITES; MAGNETIC PROPERTIES; NONVOLATILE STORAGE; PLATINUM;

SWITCHING SYSTEMS;

FERRITE; OXYGEN;

ARTICLE; BIOMECHANICS; CHEMICAL BOND; DEVICES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; FIELD EMISSION; MAGNETIC FIELD; MEMORY DEVICE; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE MEASUREMENT; THICKNESS;

EID: 84866413871     PISSN: 00027863     EISSN: 15205126     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja305681n     Document Type: Article

References (27)

1. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632
2. Waser, R.; Aono, M. Nat. Mater. 2007, 6, 833
3. Sawa, A. Mater. Today 2008, 11, 28
4. Bao, D. H. J. Ceram. Soc. Jpn. 2009, 117, 929
5. Chae, S. C.; Lee, J. S.; Kim, S.; Lee, S. B.; Chang, S. H.; Liu, C.; Kahng, B.; Shin, H.; Kim, D. W.; Jung, C. U.; Seo, S.; Lee, M. J.; Noh, T. W. Adv. Mater. 2008, 20, 1154
6. Seo, S.; Lee, M. J.; Seo, D. H.; Jeoung, E. J.; Suh, D. S.; Joung, Y. S.; Yoo, I. K. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5655
7. Janousch, M.; Meijer, G. I.; Staub, U.; Delley, B.; Karg, S. F.; Andreasson, B. P. Adv. Mater. 2007, 19, 2232
8. Chen, X. M.; Wu, G. H.; Bao, D. H. Appl. Phys. Lett. 2008, 93 093501
9. Sakamoto, T.; Sunamura, H.; Kawaura, H. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3032
10. He, C. L.; Zhuge, F.; Zhou, X. F.; Li, M.; Zhou, G. C.; Liu, Y. W.; Wang, J. Z.; Chen, B.; Su, W. J.; Liu, Z. P.; Wu, Y. H.; Cui, P.; Li, R. W. Appl. Phys. Lett. 2009, 95 232101
11. Lee, M. J.; Lee, C. B.; Lee, D.; Lee, S. R.; Chang, M.; Hur, J. H.; Kim, Y. B.; Kim, C. J.; Seo, D. H.; Chung, U. I.; Yoo, I. K.; Kim, K. Nat. Mater. 2011, 10, 625
12. Anjum, S.; Jaffari, G. H.; Rumaiz, A. K.; Rafique, M. S.; Shah, S. I. J. Phys. D: Appl. Phys. 2010, 43 265001
13. Lüders, U.; Barthelemy, A.; Bibes, M.; Bouzehouane, K.; Fusil, S.; Jacquet, E.; Contour, J. P.; Bobo, J. F.; Fontcuberta, J.; Fert, A. Adv. Mater. 2006, 18, 1733
14. Lüders, U.; Bibes, M.; Bobo, J. F.; Cantoni, M.; Bertacco, R.; Fontcuberta, J. Phys. Rev. B. 2005, 71 134419
15. Lüders, U.; Herranz, G.; Bibes, M.; Bouzehouane, K.; Jacquet, E.; Contour, J.-P.; Fusil, S.; Bobo, J. F.; Fontcuberta, J.; Barthélé my, A.; Fert, A. J. Appl. Phys. 2006, 99 08K301
16. Chen, X. M.; Wu, G. H.; Jiang, P.; Liu, W. F.; Bao, D. H. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 033501
17. Jin, C.; Jiang, E. Y.; Bai, H. L. Appl. Surf. Sci. 2011, 257, 8998
18. Yan, Z. B.; Guo, Y. Y.; Zhang, G. Q.; Liu, J. M. Adv. Mater. 2011, 23, 1351
19. Choi, B. J.; Jeong, D. S.; Kim, S. K.; Rohde, C.; Choi, S.; Oh, J. H.; Kim, H. J.; Hwang, C. S.; Szot, K.; Waser, R.; Reichenberg, B.; Tiedke, S. J. Appl. Phys. 2005, 98 033715
20. Szot, K.; Speier, W.; Carius, R.; Zastrow, U.; Beyer, W. Phys. Rev. Lett. 2002, 88 075508
21. Wang, Z. Q.; Xu, H. Y.; Li, X. H.; Zhang, X. T.; Liu, Y. X.; Liu, Y. C. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 1442
22. Kim, D. C.; Lee, M. J.; Ahn, S. E.; Seo, S.; Park, J. C.; Yoo, I. K. Appl. Phys. Lett. 2006, 88 232106
23. Liu, Z. J.; Chou, J. C.; Wei, S. Y.; Gan, J. Y.; Yew, T. R. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 1728
24. Perron, H.; Mellier, T.; Domain, C.; Roques, J.; Simoni, E.; Drot, R.; Catalette, H. J. Phys.: Condens. Matter 2007, 19 346219
25. Lee, H. D.; Kope, B. M.; Nishi, Y. Phys. Rev. B. 2010, 81 193202
26. Son, J. Y.; Kim, C. H.; Cho, J. H.; Shin, Y. H.; Jang, H. M. ACS Nano 2010, 4, 3288
27. Wu, S. X.; Li, X. Y.; Xing, X. J.; Hu, P.; Yu, Y. P.; Li, S. W. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 253504