Electroluminescence behavior of ZnO/Si heterojunctions: Energy band alignment and interfacial microstructure

Journal of Applied Physics

Volumn 107, Issue 8, 2010, Pages

  You, J B ^a,b   Zhang, X W ^a   Zhang, S G ^a   Tan, H R ^a   Ying, J ^a   Yin, Z G ^a   Zhu, Q S ^a   Chu, Paul K ^b  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND ALIGNMENTS; CHARGE CARRIER RECOMBINATION; CONDUCTION BAND OFFSET; CRYSTALLINITIES; ENERGY-BAND ALIGNMENT; HIGH POTENTIAL; INTERFACIAL LAYER; INTERFACIAL MICROSTRUCTURE; NONRADIATIVE CENTERS; VALENCE BAND OFFSETS; ZNO; ZNO FILMS; ZNO LAYERS; ZNO/P-SI;

ALIGNMENT; BAND STRUCTURE; ELECTROLUMINESCENCE; ELECTRON MOBILITY; LIGHT EMITTING DIODES; MICROSTRUCTURE; SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS; SILICON; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; ZINC OXIDE;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 77952341438     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3385384     Document Type: Article

References (30)

1. D. C. Look and B. Claflin, Phys. Status Solidi B PSSBBD 0370-1972 241, 624 (2004). 10.1002/pssb.200304271 (Pubitemid 39307766)
2. D. K. Hwang, M. S. Oh, J. H. Lim, and S. J. Park, J. Phys. D JPAPBE 0022-3727 40, R387 (2007). 10.1088/0022-3727/40/22/R01 (Pubitemid 350167276)
3. U. Özgür, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 98, 041301 (2005). 10.1063/1.1992666 (Pubitemid 41348664)
4. A. Tsukazaki, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nature Mater. NMAACR 1476-1122 4, 42 (2005). 10.1038/nmat1284 (Pubitemid 40021000)
5. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. ADVMEW 0935-9648 18, 2720 (2006). 10.1002/adma.200502633 (Pubitemid 44664109)
6. H. S. Kim, F. Lugo, S. J. Pearton, D. P. Norton, Y. L. Wang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 92, 112108 (2008). 10.1063/1.2900711 (Pubitemid 351422851)
7. P. L. Chen, X. Y. Ma, and D. R. Yang, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 101, 053103 (2007). 10.1063/1.2464185 (Pubitemid 46439914)
8. X. W. Sun, J. L. Zhao, S. T. Tan, L. H. Tan, C. H. Tung, G. Q. Lo, D. L. Kwong, Y. W. Zhang, X. M. Li, and K. L. Teo, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 92, 111113 (2008). 10.1063/1.2896611 (Pubitemid 351422819)
9. M. H. Sun, Q. F. Zhang, H. Sun, J. Y. Zhang, and J. L. Wu, J. Vac. Sci. Technol. B JVTBD9 1071-1023 27, 618 (2009). 10.1116/1.3079657
10. M. A. Zimmler, T. Voss, C. Ronning, and F. Capasso, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 94, 241120 (2009). 10.1063/1.3157274
11. T. E. Cook, Jr., C. C. Fulton, W. J. Mecouch, K. M. Tracy, R. F. Davis, E. H. Hurt, G. Lucovsky, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 93, 3995 (2003). 10.1063/1.1559424
12. J. B. You, X. W. Zhang, Y. M. Fan, Z. G. Yin, P. F. Cai, and N. F. Chen, Appl. Surf. Sci. ASUSEE 0169-4332 255, 5876 (2009). 10.1016/j.apsusc.2009.01.024
13. J. B. You, X. W. Zhang, H. P. Song, J. Ying, Y. Guo, A. L. Yang, Z. G. Yin, N. F. Chen, and Q. S. Zhu, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 106, 043709 (2009). 10.1063/1.3204028
14. Y. W. Zhang, X. M. Li, W. D. Yu, X. D. Gao, Y. F. Gu, C. Yang, J. L. Zhao, X. W. Sun, S. T. Tan, J. F. Kong, and W. Z. Shen, J. Phys. D JPAPBE 0022-3727 41, 205105 (2008). 10.1088/0022-3727/41/20/205105
15. Y. F. Chen, D. M. Bagnall, H. J. Koh, K. T. Park, K. Hiraga, Z. Q. Zhu, and T. Yao, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 84, 3912 (1998). 10.1063/1.368595
16. S. Y. Liu, T. Chen, Y. L. Jiang, G. P. Ru, and X. P. Qu, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 105, 114504 (2009). 10.1063/1.3137204
17. E. Kraut, R. Grant, J. Waldrop, and S. Kowalczyk, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 44, 1620 (1980). 10.1103/PhysRevLett.44.1620
18. T. D. Veal, P. D. C. King, S. A. Hatfield, L. R. Bailey, C. F. McConville, B. Martel, J. C. Moreno, E. Frayssinet, F. Semond, and J. Zúiga-Ṕrez, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 93, 202108 (2008). 10.1063/1.3032911
19. J. L. Alay and M. Hirose, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 81, 1606 (1997). 10.1063/1.363895
20. G. He, G. W. Meng, L. D. Zhang, and M. Liu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 91, 232910 (2007). 10.1063/1.2813620 (Pubitemid 350237664)
21. Y. F. Li, B. Yao, Y. M. Lu, B. H. Li, Y. Q. Gai, C. X. Cong, Z. Z. Zhang, D. X. Zhao, J. Y. Zhang, D. Z. Shen, and X. W. Fan, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 92, 192116 (2008). 10.1063/1.2924279 (Pubitemid 351713450)
22. E. McCafferty and J. P. Wightman, Appl. Surf. Sci. ASUSEE 0169-4332 143, 92 (1999). 10.1016/S0169-4332(98)00927-1
23. J. Finster and D. Schulze, Phys. Status Solidi A PSSABA 0031-8965 68, 505 (1981). 10.1002/pssa.2210680221
24. Y. C. Liu, J. H. Hsieh, and S. K. Tung, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 JAPNDE 0021-4922 46, 6068 (2007). 10.1143/JJAP.46.6068 (Pubitemid 47438475)
25. S. T. Tan, X. W. Sun, J. L. Zhao, S. Iwan, Z. H. Cen, T. P. Chen, J. D. Ye, G. Q. Lo, D. L. Kwong, and K. L. Teo, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 93, 013506 (2008). 10.1063/1.2957465
26. Y. Y. Zhang, X. Y. Ma, P. L. Chen, D. S. Li, and D. R. Yang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 94, 061115 (2009). 10.1063/1.3078409
27. S. H. Wei and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 72, 2011 (1998). 10.1063/1.121249 (Pubitemid 128671321)
28. P. F. Cai, J. B. You, X. W. Zhang, J. J. Dong, X. L. Yang, Z. G. Yin, and N. F. Chen, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 105, 083713 (2009). 10.1063/1.3108543
29. X. N. Wang, Y. Wang, Z. X. Mei, J. Dong, Z. Q. Zeng, H. T. Yuan, T. C. Zhang, X. L. Du, J. F. Jia, Q. K. Xue, X. N. Zhang, Z. Zhang, Z. F. Li, and W. Lu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 90, 151912 (2007). 10.1063/1.2722225 (Pubitemid 46609835)
30. F. Jiang, C. Zheng, L. Wang, W. Fang, Y. Pu, and J. Dai, J. Lumin. JLUMA8 0022-2313 122-123, 905 (2007). 10.1016/j.jlumin.2006.01.322 (Pubitemid 44737794)