Improvement of resistive switching characteristics in TiO2 thin films with embedded Pt nanocrystals

Applied Physics Letters

Volumn 95, Issue 4, 2009, Pages

  Chang, Wen Yuan ^a   Cheng, Kai Jung ^a   Tsai, Jui Ming ^a   Chen, Hung Jen ^a   Chen, Frederick ^b   Tsai, Ming Jinn ^b   Wu, Tai Bor ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

^b INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BISTABLE RESISTANCE; NON-VOLATILE MEMORY APPLICATION; RESISTANCE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING; RETENTION PROPERTIES; TIO;

NANOCRYSTALS; SWITCHING; SWITCHING SYSTEMS; THIN FILMS;

PLATINUM;

EID: 68249108599     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3193656     Document Type: Article

References (17)

1. H. Y. Lee, P. S. Chen, T. Y. Wu, Y. S. Chen, C. C. Wang, P. J. Tzeng, C. H. Lin, F. Chen, C. H. Lien, and M. -J. Tsai, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet, 2008, 297. 0003-6951
2. S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 76, 2749 (2000). 10.1063/1.126464
3. W. Y. Chang, J. H. Liao, Y. S. Lo, and T. B. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 94, 172107 (2009). 10.1063/1.3126057
4. W. Y. Chang, Y. C. Lai, T. B. Wu, S. F. Wang, F. Chen, and M. J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 92, 022110 (2008). 10.1063/1.2834852
5. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T. C. Lee, F. L. Yang, C. M. Hu, and T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 28, 366 (2007). 10.1109/LED.2007.894652 (Pubitemid 46667430)
6. S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D. -S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J. -S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 85, 5655 (2004). 10.1063/1.1831560 (Pubitemid 40162553)
7. B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 0021-8979 98, 033715 (2005). 10.1063/1.2001146 (Pubitemid 41204789)
8. J. F. Gibbons and W. E. Beadle, Solid-State Electron. 0038-1101 7, 785 (1964). 10.1016/0038-1101(64)90131-5
9. K. M. Kim, B. J. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 90, 242906 (2007). 10.1063/1.2748312 (Pubitemid 46934800)
10. K. M. Kim, B. J. Choi, Y. C. Shin, S. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 012907 (2007). 10.1063/1.2749846 (Pubitemid 350092117)
11. W. Y. Chang, Y. T. Ho, T. C. Hsu, F. Chen, M. J. Tsai, and T. B. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 1099-0062 12, H135 (2009). 10.1149/1.3074332
12. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, S. O. Park, H. S. Kim, U. -I. Chung, J. T. Moon, and B. I. Ryu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 232106 (2006). 10.1063/1.2210087 (Pubitemid 43877731)
13. L. F. Liu, J. F. Kang, N. Xu, X. Sun, C. Chen, B. Sun, Y. Wang, X. Y. Liu, X. Zhang, and R. Q. Han, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 2701 (2008). 10.1143/JJAP.47.2701
14. W. Guan, S. Long, R. Jia, and M. Liu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 062111 (2007). 10.1063/1.2760156 (Pubitemid 47247131)
15. J. Y. Tseng, C. W. Cheng, S. Y. Wang, T. B. Wu, K. Y. Hsieh, and R. Liu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 85, 2595 (2004). 10.1063/1.1795976
16. C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J. S. Zhao, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 86, 262907 (2005). 10.1063/1.1968416 (Pubitemid 40983220)
17. C. W. Cheng, Y. C. Tseng, T. B. Wu, and L. J. Chou, J. Mater. Res. 0884-2914 19, 1043 (2004). 10.1557/JMR.2004.0136