Electronic state of amorphous indium gallium zinc oxide films deposited by DC magnetron sputtering with water vapor introduction

Applied Physics Express

Volumn 5, Issue 7, 2012, Pages

  Oka, Nobuto ^a   Aoi, Takafumi ^a   Hayashi, Ryo ^b   Kumomi, Hideya ^b   Shigesato, Yuzo ^a  

^a AOYAMA GAKUIN UNIVERSITY   (Japan)

^b CANON INC   (Japan)

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BOUND HYDROXYL GROUPS; DC MAGNETRON SPUTTERING; DENSITIES OF STATE; FOURIER TRANSFORM INFRARED; HARD X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; INDIUM GALLIUM ZINC OXIDES; SECONDARY IONS;

AMORPHOUS FILMS; AMORPHOUS SEMICONDUCTORS; MAGNETRON SPUTTERING; OXIDE FILMS; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; VAPORS;

INTERFACES (MATERIALS);

EID: 84863752498     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.5.075802     Document Type: Article

References (26)

1. K. Nomura et al.: Nature 432 (2004) 488.
2. K. Nomura et al.: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) 4303.
3. H. Yabuta et al.: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 112123.
4. M. Kim et al.: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 212114.
5. J. K. Jeong et al.: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 113505.
6. K. Nomura et al.: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 192107.
7. J. H. Na et al.: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 063501.
8. J.-S. Park et al.: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 072104.
9. R. Hayashi et al.: SID Symp. Dig. Tech. Pap. 39 (2008) 621.
10. C. Chen et al.: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 03B025.
11. J.-S. Park et al.: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 013503.
12. H. Omura et al.: J. Appl. Phys. 105 (2009) 093712.
13. C.-T. Tsai et al.: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 242105.
14. S. Lee et al.: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 113506.
15. H. Seo et al.: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 222101.
16. T. Aoi et al.: Thin Solid Films 518 (2010) 3004.
17. J.-Y. Huh et al.: Thin Solid Films 519 (2011) 6868.
18. K. Nomura et al.: J. Appl. Phys. 109 (2011) 073726.
19. K. Kobayashi et al.: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1005.
20. K. Kobayashi: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. A 547 (2005) 98.
21. K. Kobayashi et al.: J. Nucl. Mater. 417 (2011) 1183.
22. K. Nomura et al.: Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 202117.
23. T. Kamiya et al.: Phys. Status Solidi C 5 (2008) 3098.
24. T. Kamiya et al.: Phys. Status Solidi A 206 (2009) 860.
25. R. Hayashi et al.: U. S. Patent Application 2010/0051938 A1 (2010).
26. R. Hayashi et al.: Japan Patent Application 2010-80936 A (2010).