Evaluation of the effects of thermal annealing temperature and high-k dielectrics on amorphous InGaZnO thin films by using pseudo-MOS transistors

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 60, Issue 9, 2012, Pages 1317-1321

  Lee, Se Won ^a   Cho, Won Ju ^a  

^a Kwangwoon University   (South Korea)

Author keywords

MOSFET; Annealing process; High k dielectrics; IGZO

Indexed keywords

EID: 84863626780     PISSN: 03744884     EISSN: 19768524     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.60.1317     Document Type: Article

References (26)

1. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Goncalves, A. J. S. Marques, L. M. N. Pereira and R. F. P. Martins, Adv. Mater. 17, 590 (2005).
2. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
3. Y. Wang, W. Lee and T. Tseng, Appl. Phys. Lett. 69, 1807 (1996).
4. P. Gorrn, P. Holzer, T. Riedl, W. Kowalsky, J. Wang, T. Weimann, P. Hinze and S. Kipp, Appl. Phys. Lett. 90, 063502 (2007).
5. B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, R. Beresford and D. C. Paine, Appl. Phys. Lett. 89, 062103 (2006).
6. W. J. Park, H. S. Shin, B. D. Ahn, G. H. Kim, S. M. Lee, K. H. Kim and H. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 93, 083508 (2008).
7. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
8. J. B. Kim, C. Fuentes-Hernandez, W. J. Potscavage, Jr., X.-H. Zhang and B. Kippelen, Appl. Phys. Lett. 94, 142107 (2009).
9. S. Y. Lee, S. P. Chang and J. S. Lee, Thin Solid Films 518, 3030 (2010).
10. L. Yuan, X. Zou, G. Fang, J. Wan, H. Zhou and X. Zhao, IEEE Electron Device Lett. 32, 1 (2011).
11. C. J. Chiu, S. P. Chang and S. J. Chang, IEEE Electron Device Lett. 31, 11 (2010).
12. J. S. Lee, S. P. Chang, S. M. Koo and S. Y. Lee, IEEE Electron Device Lett. 31, 3 (2010).
13. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo and S. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 94, 042105 (2009).
14. Dhananjay and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. 101, 123717 (2007).
15. S. Cristoloveanu and S. Williams, IEEE Electron Device Lett. 13, 2 (1992).
16. W. J. Cho and C. G. Ahn, Appl. Phys. Lett. 90, 143509 (2007).
17. H, Yin, S. Kim, H. Lim, Y. Min, C. J. Kim, I. Song, J. Park, S. W. Kim, A. Tikhonovsky, J. Hyun and Y. Park, IEEE Trans. Electron Devices 55, 8 (2008).
18. T. Kamiya, K. Nomura and H. Hosono, J. Disp. Technol. 5, 7 (2009).
19. G. H. Kim, B. D. Ahn, H. S. Shin, W. H. Jeong, H. J. Kim and H. J. Kim. Appl. Phys. Lett. 94, 233501 (2009).
20. D. Y. Cho, J. W. Song, Y. C. Shin, C. S. Hwang, W. S. Choi and J. K. Jeong, Electrochem. Solid-State Lett. 12, H208 (2009).
21. S. Hwang, J. H. Lee, C. H. Woo, J. Y. Lee and H. K. Cho, Thin Solid Films 519, 5146 (2011).
22. K. Takechi, M. Nakata, T. Eguchi, H. Yamaguchi and S. Kaneko, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 011301 (2009).
23. Y. Jeong, K. Song, D. Kim, C. Y. Koo and J. Moon, J. Electrochem. Soc. 156, H808 (2009).
24. H. Kim, P. C. Mclntyre and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Lett. 82, 106 (2003).
25. H. M. Naguib and R. Kelly, J. Nucl. Mater. 35, 293 (1970).
26. H. W. You and W. J. Cho, Appl. Phys. Lett. 96, 093506 (2010).