Effect of oxygen annealing on the ultraviolet photoresponse of p-NiO-nanoflower/n-ZnO-nanowire heterostructures

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 7, 2011, Pages 5737-5743

  Yang, Po Yu ^a   Wang, Jyh Liang ^b   Tsai, Wei Chih ^c   Wang, Shui Jinn ^c   Lin, Jia Chuan ^d   Lee, I Che ^a   Chang, Chia Tsung ^a   Cheng, Huang Chung ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b MING CHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^c NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^d ST JOHN'S UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Hydrothermal Method; Nanoflower (NF); Nanoheterojunction (NHJ); Nanowire (NW); Ultraviolet (UV) Photodetector

Indexed keywords

CRYSTALLINITIES; DEVICE PERFORMANCE; EFFECT OF OXYGEN; HYDROTHERMAL METHODS; HYDROTHERMALLY; INTERFACIAL DEFECT; LOW TEMPERATURES; NANO-HETEROJUNCTIONS; NANOHETEROJUNCTION (NHJ); OPTOELECTRONIC CHARACTERISTICS; P-TYPE NIO; PHOTORESPONSES; RECTIFICATION BEHAVIOR; STRUCTURAL DEFECT; ULTRA-VIOLET; ZNO NANOWIRES;

NANOFLOWERS; NANOWIRES; OXYGEN; ZINC OXIDE;

ANNEALING;

EID: 84863012599     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.4349     Document Type: Conference Paper

References (46)

1. W. Y. Weng, S. J. Chang, C. L. Hsu, S. P. Chang, and T. J. Hsueh, J. Electrochem. Soc. 157, H866 (2010).
2. M. Kevin, Y. H. Fou, A. S. W. Wong, and G. W. Ho, Nanotechnology 21, 315602 (2010).
3. H. W. Ra, R. Khan, J. T. Kim, B. R. Kang, and Y. H. Im, Nanotech-nology 21, 085502 (2010).
4. P. Y. Yang, J. L. Wang, W. C. Tsai, S. J. Wang, J. C. Lin, I. C. Lee, C. T. Chang, and H. C. Cheng, Thin Solid Films 518, 7328 (2010).
5. C. Geng, Y. Jiang, Y. Yao, X. Meng, J. A. Zapien, C. S. Lee, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Funct. Mater. 14, 589 (2004).
6. D. H. Lee, K. Son, and W. I. Park, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 245402 (2010).
7. Z. Mei, Y. Liu, H. Wang, S. Gao, X. Wen, L. Gu, Y. Qiu, and S. Yang, J. Nanosci. Nanotechnol. 10, 3123 (2010).
8. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally, and P. Yang, Angew. Chem., Int. Ed. 42, 3031 (2003).
9. W. J. Lee, J. Kang, and K. J. Chang, Phys. Rev. B 73, 024117 (2006).
10. C. H. Park, S. B. Zhang, and S. H. Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
11. Ya. I. Alivov, Ü. Özgür, S. Dogan, D. Johnstone, V. Avrutin, N. Onojima, C. Liu, J. Xie, Q. Fan, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 86, 241108 (2005).
12. L. A. Kosyachenko, G. V. Lashkarev, V. M. Sklyarchuk, A. I. Ievtushenko, O. F. Sklyarchuk, V. I. Lazorenko, and A. Ulyashin, Phys. Status Solidi A 207, 1972 (2010).
13. H. Ohta, H. Mizoguchi, and M. Hirano, Appl. Phys. Lett. 82, 823 (2003).
14. C. H. Chen, S. J. Chang, S. P. Chang, M. J. Li, I. C. Chen, T. J. Hsueh, and C. L. Hsu, Chem. Phys. Lett. 476, 69 (2009).
15. Y. F Li, B. Yao, R. Deng, B. H. Li, J. Y Zhang, Y M. Zhao, D. Y Jiang, Z. Z. Zhang, C. X. Shan, D. Z. Shen, X. W. Fan, and Y M. Lu, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 105102 (2009).
16. H. Ohta, M. Hirano, K. Nakahara, H. Murata, T. Tanabe, M. Kamiya, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 83, 1029 (2003).
17. H. Zhu, C.X. Shan, B. Yao, B. H. Li, J. Y Zhang, D. X. Zhao, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. Chem. C 112, 20546 (2008).
18. M. D. Irwin, D. B. Buchholz, A. W. Hains, R. P. H. Chang, and T. J. Marks, Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 105, 2783 (2008).
19. G. Mattei, P. Mazzoldi, M. Post, D. Buso, M. Guglielmi, and A. Martucci, Adv. Mater. 19, 561 (2007).
20. C. Tongxiang, Z. Yanwei, Z. Wei, G. Cuijing, and Y Xiaowei, J. Power Sources 195, 1308 (2010).
21. T. S. Mintz, Y V. Bhargava, S. A. Thorne, R. Chopdekar, V. Radmilovic, Y Suzuki, and T. M. Devine, Electrochem. Solid-State Lett. 8, D26 (2005).
22. L. Li, E. A. Gibson, P. Qin, G. Boschloo, M. Gorlov, A. Hagfeldt, and L. Sun, Adv. Mater. 22, 1759 (2010).
23. Y Vygranenko, K. Wang, and A. Nathan, Appl. Phys. Lett. 89, 172105 (2006).
24. Y Ishida, A. Fujimoto, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 153502 (2006).
25. H. Bong, W H. Lee, D. Y Lee, B. J. Kim, J. H. Cho, and K. Cho, Appl. Phys. Lett. 96, 192115 (2010).
26. M. Rajamathi, P. V. Kamath, and R. Seshadri, J. Mater. Chem. 7, 2293 (1997).
27. Y C. Kong, D. P. Yu, B. Zhang, W Fang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 78, 407 (2001).
28. L. Zhuang and K. H. Wong, Appl. Phys. A 87, 787 (2007).
29. Y P. Wang, W I. Lee, T. Y Tseng, Appl. Phys. Lett. 69, 1807 (1996).
30. R. C. Wang, C. P. Liu, J. L. Huang, and S. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 88, 023111 (2006).
31. Q. Wan, T. H. Wang, and J. C. Zhao, Appl. Phys. Lett. 87, 083105 (2005).
32. X. M. Fan, J. S. Lian, Z. X. Guo, and H. J. Lu, Appl. Surf. Sci. 239, 176 (2005).
33. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, H. W. Shim, E. K. Suh, and C. J. Lee, Chem. Phys. Lett. 363, 134 (2002).
34. Z. J. Zhang, Y. Zhao, and M. Zhu, Appl. Phys. Lett. 88, 033101 (2006).
35. F. K. Shan, G. X. Liu, W. J. Lee, G. H. Lee, I. S. Kim, and B. C. Shin, Appl. Phys. Lett. 86, 221910 (2005).
36. A. Umar, S. Lee, Y. S. Lee, K. S. Nahm, and Y. B. Hahn, J. Cryst. Growth 277, 479 (2005).
37. J. Sun, T. Yang, G. Du, H. Liang, J. Bian, and L. Hu, Appl. Surf. Sci. 253, 2066 (2006).
38. J. Y. Zhang, P. J. Li, H. Sun, X. Shen, T. S. Deng, K. T. Zhu, Q. F. Zhang, and J. L. Wu, Appl. Phys. Lett. 93, 021116 (2008).
39. R. Hong, H. Qi, J. Huang, H. He, Z. Fan, and J. Shao, Thin Solid J 473, 58 (2005).
40. Y. Zhou, Y. Geng, and D. Gu, Chin Optic Lett. 4, 678 (2006).
41. S. H. Jeong, B. S. Kim, and B. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2625 (2003).
42. M. K. Lee and C. H. Fan, J. Electrochem. Soc. 156, D395 (2009).
43. M. Rusop, K. Uma, T. Soga, and T. Jimbo, Mater. Sci. Eng. B 127, 150 (2006).
44. A. A. Othman, M. A. Osman, H. H. Amer, and A. Dahshan, Thin Solid Films 457, 253 (2004).
45. Q. H. Li, T. Gao, Y. G. Wang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 86, 123117 (2005).
46. Y. F. Gu, X. M. Li, J. L. Zhao, W. D. Yu, X. D. Gao, and C. Yang, Solid State Commun. 143, 421 (2007).