The effect of annealing ambient on the characteristics of an indium-gallium-zinc oxide thin film transistor

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 11, Issue 7, 2011, Pages 6029-6033

  Park, Soyeon ^a   Bang, Seokhwan ^a   Lee, Seungjun ^a   Park, Joohyun ^a   Ko, Youngbin ^a   Jeon, Hyeongtag ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

Annealing Effect; IGZO; Oxide Semiconductor; Thin Film Transistor

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; AMBIENTS; ANNEALING ATMOSPHERES; ANNEALING CONDITION; ANNEALING EFFECTS; ANNEALING TREATMENTS; DEVICE PERFORMANCE; ELECTRICAL CHARACTERISTIC; IGZO; IN-VACUUM; INTERFACE PROPERTY; INTERNAL MODIFICATIONS; ON-OFF RATIO; OPERATING RANGES; OXIDATION STATE; OXIDE SEMICONDUCTOR; OXYGEN ANNEALING; SATURATION MOBILITY; SUBTHRESHOLD SWING; SWITCHING PROPERTIES; TRANSFER CHARACTERISTICS;

ANNEALING; CARRIER CONCENTRATION; CHEMICAL BONDS; GALLIUM; GATE DIELECTRICS; INDIUM; INTERFACES (MATERIALS); INTERNAL OXIDATION; OXYGEN; VACUUM; ZINC OXIDE;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 84863011825     PISSN: 15334880     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2011.4360     Document Type: Conference Paper

References (31)

1. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
2. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Science 300, 1269 (2003).
3. Y. K. Moon, D. Y. Moon, S. H. Jeong, C. O. Park, and J. W. Park, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 4557 (2008).
4. A. Suresh, P. Wellenius, A. Dhawan, and J. Muth, Appl. Phys. Lett. 90, 123512 (2007).
5. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Aiba, T. Den, H. Kumomi, K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
6. G. H. Kim, H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, W. J. Park, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc. 156, H7 (2009).
7. Y. Cho, H. Kim, K. Park, J. Lee, S. M. Bodade, F. Wu, and D. Choi, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 787 (2011).
8. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim, and S. I. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 262106 (2007).
9. Y Shimura, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 516, 5899 (2008).
10. B. D. Ahn, W. H. Jeong, H. S. Shin, D. L. Kim, H. J. Kim, J. K. Jeong, S.-H. Choi, and M.-K. Han, Electrochem. Solid-State Lett. 12, H430 (2009).
11. H. S. Shin, B. D. Ahn, K. H. Kim, J. S. Park, and H. J. Kim, Thin Solid Films 517, 6349 (2009).
12. Y Kikuchi, K. Nomura, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Thin Solid Films 518, 3017 (2010).
13. J. K. Jeong, H. J. Chung, Y G. Mo, and H. D. Kim, J. Electrochem. Soc. 155, H873 (2008).
14. H. P. Hall, M. A. Awaah, and K. Das, Phys. Stat. Sol. (a) 3, 522 (2004).
15. M. A. Lampert and P. Mark, Science 170, 966 (1970).
16. L. K. Rao and V. Vinni, Appl. Phys. Lett. 63, 608 (1993).
17. R. Cebulla, R. Werndt, and K. Ellmer, J. Appl. Phys. 83, 1087 (1998).
18. S. Bang, S. Lee, J. Park, S. Park, W. Jeong, and H. Jeon, J. Phys. Appl. Phys. 42, 235102 (2009).
19. M. Chen, Z. L. Pei, C. Sun, L. S. Wen, and X. Wang, J. Cryst. Growth. 220, 254 (2000).
20. J. C. C. Fan and J. B. Goodenough, J. Appl. Phys. 48, 3524 (1977).
21. S. Lee, S. Bang, J. Park, S. Park, W Jeong, and H. Jeon, Phys. Stat. Sol. (a) 207, 1845 (2010).
22. M. N. Islam, T. B. Ghosh, K. L. Chopra, and H. N. Acharya, Thin Solid Films 280, 20 (1996).
23. K. Nomura, T. Kamiya, H. Yanagi, E. Ikenaga, K. Yang, K. Kobayashi, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 92, 202117 (2009).
24. K. Vanheusden, C. H. Seager, W L. Warren, D. R. Tallant, and J. A. Voigt, Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996).
25. J. R. Bellingham, A. P. Mackenzie, and W. A. Phillips, Appl. Phys. Lett. 58, 2506 (1991).
26. K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 93, 192107 (2008).
27. H. Hosono, J. Non-Cryst. Solids 352, 851 (2006).
28. R. Martins, P. Barquinha, I. Ferreira, L. Pereira, G. Gonçalves, and E. Fortunato, J. Appl. Phys. 101, 044505 (2007).
29. J. S. Park, J. K. Jeong, H. J. Chung, Y G. Mo, and H. D. Kim, Appl. Phys. Lett. 92, 072104 (2008).
30. N. A. Hastas, D. H. Tassis, C. A. Dimitriadis, and G. Kamarinos, IEEE Electron Device Lett. 50, 1991 (2003).
31. J. S. Lyu, K. S. Nam, and C. Lee, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 4393 (1993).