Covalent assembly of gold nanoparticles for nonvolatile memory applications

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 3, Issue 12, 2011, Pages 4619-4625

  Gupta, Raju Kumar ^a   Kusuma, Damar Yoga ^b   Lee, P S ^b   Srinivasan, M P ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

covalent assembly; functionalization; gold nanoparticles; nonvolatile memory

Indexed keywords

C-V HYSTERESIS; COVALENT ASSEMBLIES; ELECTRONIC DEVICE; FLAT-BAND VOLTAGE SHIFT; FUNCTIONALIZATIONS; FUNCTIONALIZED; FUNCTIONALIZED POLYMERS; GOLD NANOPARTICLE; GOLD NANOPARTICLES; MEMORY DEVICE; MEMORY EFFECTS; METAL INSULATORS; MIS STRUCTURE; NARROW SIZE DISTRIBUTIONS; NON-VOLATILE MEMORIES; NON-VOLATILE MEMORY APPLICATION; NONVOLATILE MEMORY DEVICES; RETENTION CHARACTERISTICS; SPECTROSCOPIC TECHNIQUE; SURFACE MODIFIERS; SYNTHETIC ROUTES;

CHARGE TRAPPING; FUNCTIONAL POLYMERS; GOLD; METAL INSULATOR BOUNDARIES; MIS DEVICES; NONVOLATILE STORAGE; SILICON COMPOUNDS;

NANOPARTICLES;

GOLD; METAL NANOPARTICLE; POLYMER;

ARTICLE; CHEMISTRY; PARTICLE SIZE; SURFACE PROPERTY; SYNTHESIS;

GOLD; METAL NANOPARTICLES; PARTICLE SIZE; POLYMERS; SURFACE PROPERTIES;

EID: 84857748742     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am201022v     Document Type: Article

References (64)

1. Tiwari, S.; Rana, F.; Chan, K.; Hanafi, H.; Chan, W.; Buchanan, D. Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 1995, 1995, 521
2. Kim, K.; Lee, S. Y. Microelectron. Eng. 2007, 84 (9-10) 1976-1981
3. Bez, R.; Camerlenghi, E.; Modelli, A.; Visconti, A. Proc. IEEE 2003, 91 (4) 489-501
4. Tiwari, S.; Rana, F.; Hanafi, H.; Hartstein, A.; Crabbé, E. F.; Chan, K. Appl. Phys. Lett. 1996, 68 (10) 1377-1379
5. Tu, C. H.; Chang, T. C.; Liu, P. T.; Liu, H. C.; Sze, S. M.; Chang, C. Y. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 (16) 162105
6. De Blauwe, J. IEEE Trans. Nanotechnol. 2002, 1 (1) 72-77
7. Chen, J. H.; Yoo, W. J.; Chan, D. S. H.; Tang, L. J. Appl. Phys. Lett. 2005, 86 (7) 1-3
8. Kim, J. H.; Baek, K. H.; Kim, C. K.; Kim, Y. B.; Yoon, C. S. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 (12) 123118
9. Lee, J. J.; Harada, Y.; Pyun, J. W.; Kwong, D. L. Appl. Phys. Lett. 2005, 86 (10) 1-3
10. Normand, P.; Kapetanakis, E.; Tsoukalas, D.; Kamoulakos, G.; Beltsios, K.; Van Den Berg, J.; Zhang, S. Mater. Sci. Eng., C 2001, 15 (1-2) 145-147
11. Park, B.; Cho, K.; Moon, B. M.; Kim, S. Microelectron. Eng. 2007, 84 (5-8) 1627-1630
12. Samanta, S. K.; Yoo, W. J.; Samudra, G.; Tok, E. S.; Bera, L. K.; Balasubramanian, N. Appl. Phys. Lett. 2005, 87 (11) 1-3
13. Wang, Y. Q.; Chen, J. H.; Yoo, W. J.; Yeo, Y. C.; Kim, S. J.; Gupta, R.; Tan, Z. Y. L.; Kwong, D. L.; Du, A. Y.; Balasubramanian, N. Appl. Phys. Lett. 2004, 84 (26) 5407-5409
14. Yang, F. M.; Chang, T. C.; Liu, P. T.; Chen, U. S.; Yeh, P. H.; Yu, Y. C.; Lin, J. Y.; Sze, S. M.; Lou, J. C. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 (22) 222104
15. Yim, S. S.; Lee, M. S.; Kim, K. S.; Kim, K. B. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 (9) 093115
16. Yuan, C. L.; Darmawan, P.; Setiawan, Y.; Lee, P. S.; Ma, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89 (4) 043104
17. Chan, K. C.; Lee, P. F.; Dai, J. Y. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (22) 223105
18. Lee, P. F.; Lu, X. B.; Dai, J. Y.; Chan, H. L. W.; Jelenkovic, E.; Tong, K. Y. Nanotechnology 2006, 17 (5) 1202-1206
19. Dufourcq, J.; Bodnar, S.; Gay, G.; Lafond, D.; Mur, P.; Molas, G.; Nieto, J. P.; Vandroux, L.; Jodin, L.; Gustavo, F.; Baron, T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (7) 073102
20. Hou, T. H.; Ganguly, U.; Kan, E. C. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28 (2) 103-106
21. Lee, C.; Meteer, J.; Narayanan, V.; Kan, E. C. J. Electron. Mater. 2005, 34 (1) 1-11
22. Liu, Z.; Lee, C.; Narayanan, V.; Pei, G.; Kan, E. C. IEEE Trans. Electron Devices 2002, 49 (9) 1606-1613
23. Sargentis, C.; Giannakopoulos, K.; Travlos, A.; Tsamakis, D. Surf. Sci. 2007, 601 (13) 2859-2863
24. Bozano, L. D.; Kean, B. W.; Beinhoff, M.; Carter, K. R.; Rice, P. M.; Scott, J. C. Adv. Funct. Mater. 2005, 15 (12) 1933-1939
25. Ling, Q. D.; Liaw, D. J.; Zhu, C.; Chan, D. S. H.; Kang, E. T.; Neoh, K. G. Prog. Polym. Sci. 2008, 33 (10) 917-978
26. Scott, J. C.; Bozano, L. D. Adv. Mater. 2007, 19 (11) 1452-1463
27. Yang, Y.; Ouyang, J.; Ma, L.; Tseng, R. J. H.; Chu, C. W. Adv. Funct. Mater. 2006, 16 (8) 1001-1014
28. Prime, D.; Paul, S. Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 2009, 367 (1905) 4141-4157
29. Tsoukalas, D. Philos. Trans. R. Soc. London, Ser. A 2009, 367 (1905) 4169-4179
30. Lai, P. Y.; Chen, J. S. Appl. Phys. Lett. 2008, 93 (15) 153305
31. Ouyang, J.; Chu, C. W.; Sieves, D.; Yang, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 86 (12) 1-3
32. Prakash, A.; Ouyang, J.; Lin, J. L.; Yang, Y. J. Appl. Phys. 2006, 100 (5) 054309
33. Song, Y.; Ling, Q. D.; Lim, S. L.; Teo, E. Y. H.; Tan, Y. P.; Li, L.; Kang, E. T.; Chan, D. S. H.; Zhu, C. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28 (2) 107-110
34. Lin, H. T.; Pei, Z.; Chen, J. R.; Hwang, G. W.; Fan, J. F.; Chan, Y. J. IEEE Electron Device Lett. 2007, 28 (11) 951-953
35. Ouyang, J.; Chu, C. W.; Szmanda, C. R.; Ma, L.; Yang, Y. Nat. Mater. 2004, 3 (12) 918-922
36. Cölle, M.; Büchel, M.; de Leeuw, D. M. Org. Electron. 2006, 7 (5) 305-312
37. Tang, W.; Shi, H.; Xu, G.; Ong, B. S.; Popovic, Z. D.; Deng, J.; Zhao, J.; Rao, G. Adv. Mater. 2005, 17 (19) 2307-2311
38. Leong, W. L.; Lee, P. S.; Mhaisalkar, S. G.; Chen, T. P.; Dodabalapur, A. Appl. Phys. Lett. 2007, 90 (4) 042906-3
39. Paul, S.; Pearson, C.; Molloy, A.; Cousins, M. A.; Green, M.; Kolliopoulou, S.; Dimitrakis, P.; Normand, P.; Tsoukalas, D.; Petty, M. C. Nano Lett. 2003, 3 (4) 533-536
40. Simmons, J. G.; Verderber, R. R. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1967, 301 (1464) 77-102
41. Kolosov, D.; English, D. S.; Bulovic, V.; Barbara, P. F.; Forrest, S. R.; Thompson, M. E. J. Appl. Phys. 2001, 90 (7) 3242-3247
42. Tsoukalas, D.; Dimitrakis, P.; Kolliopoulou, S.; Normand, P. Mater. Sci. Eng., B 2005, 124-125 (SUPPL) 93-101
43. Tseng, J. Y.; Cheng, C. W.; Wang, S. Y.; Wu, T. B.; Hsieh, K. Y.; Liu, R. Appl. Phys. Lett. 2004, 85 (13) 2595-2597
44. Kato, H.; Shibata, Y.; Kuwano, H. Electron. Commun. Jpn., Part II: Electronics 1987, 70 (4) 65-73
45. Choi, H.; Choi, B. S.; Kim, T. W.; Jung, S. J.; Chang, M.; Lee, T.; Hwang, H. Nanotechnology 2008, 19 (30) 305704
46. Binder, W. H.; Kluger, C.; Josipovic, M.; Straif, C. J.; Friedbacher, G. Macromolecules 2006, 39 (23) 8092-8101
47. Binder, W. H.; Kluger, C.; Straif, C. J.; Friedbacher, G. Macromolecules 2005, 38 (23) 9405-9410
48. Haryono, A.; Binder, W. H. Small 2006, 2 (5) 600-611
49. Li, B.; Li, C. Y. J. Am. Chem. Soc. 2007, 129 (1) 12-13
50. Bhat, R. R.; Genzer, J.; Chaney, B. N.; Sugg, H. W.; Liebmann-Vinson, A. Nanotechnology 2003, 14 (10) 1145-1152
51. Russell, L. E.; Galyean, A. A.; Norte, S. M.; Leopold, M. C. Langmuir 2007, 23 (14) 7466-7471
52. Schmitt, J.; Decker, G.; Dressick, W. J.; Brandow, S. L.; Geer, R. E.; Shashidhar, R.; Calvert, J. M. Adv. Mater. 1997, 9 (1) 61-65
53. Liang, Z.; Dzienis, K. L.; Xu, J.; Wang, Q. Adv. Funct. Mater. 2006, 16 (4) 542-548
54. Zhang, F.; Jia, Z.; Srinivasan, M. P. Langmuir 2005, 21 (8) 3389-3395
55. Zhang, F.; Srinivasan, M. P. Colloids Surf. A 2005, 257-258, 295-299
56. Sargentis, C.; Giannakopoulos, K.; Travlos, A.; Normand, P.; Tsamakis, D. Superlattices Microstruct. 2008, 44 (4-5) 483-488
57. Wanunu, M.; Popovitz-Biro, R.; Cohen, H.; Vaskevich, A.; Rubinstein, I. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127 (25) 9207-9215
58. Zhang, F.; Srinivasan, M. P. Langmuir 2004, 20 (6) 2309-2314
59. Castner, D. G.; Hinds, K.; Grainger, D. W. Langmuir 1996, 12 (21) 5083-5086
60. Evans, S. Handbook of X-ray and Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy; Heyden & Son: London, 1977.
61. Johnson, S. R.; Evans, S. D.; Brydson, R. Langmuir 1998, 14 (23) 6639-6647
62. Nakamoto, M.; Yamamoto, M.; Fukusumi, M. Chem. Commun. 2002, 15, 1622-1623
63. Nicolean, E. H.; Brews, J. R. Metal Oxide Semiconductor Physics and Technology, 1 st ed.; Wiley: New York, 1992.
64. Kim, J. K.; Cheong, H. J.; Kim, Y.; Yi, J. Y.; Bark, H. J.; Bang, S. H.; Cho, J. H. Appl. Phys. Lett. 2003, 82 (15) 2527-2529