The bias-crystallization mechanism on structural characteristics and electrical properties of Zn-In-Sn-O film

Materials Transactions

Volumn 52, Issue 8, 2011, Pages 1560-1564

  Chen, Kuan Jen ^a   Hung, Fei Yi ^a   Lui, Truan Sheng ^a   Chang, Shoou Jinn ^b   Hu, Zhan Shuo ^a  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b Center for Micro/Nano Science and Technology   (Taiwan)

Author keywords

Bias crystallization mechanism (BCM); Transparent conductive oxide (TCO); Zinc indium tin oxygen (ZITO)

Indexed keywords

ANNEALED TREATMENT; BIAS-CRYSTALLIZATION MECHANISM (BCM); COSPUTTERING; IN-VACUUM; INDIUM IONS; OHM'S LAW; ROOM TEMPERATURE; STRUCTURAL CHARACTERISTICS; TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILMS; TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDES; ZINC-INDIUM-TIN-OXYGEN (ZITO);

COMPETITION; CONDUCTIVE FILMS; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC PROPERTIES; INDIUM; OXIDE FILMS; ZINC;

TIN;

EID: 80655132256     PISSN: 13459678     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.2320/matertrans.M2011072     Document Type: Article

References (27)

1. C. A. Hoel, T. O. Mason, J. F. Gaillard and K. R. Poeppelmeier: Chem. Mater. 22 (2010) 3569-3579.
2. K. Tominaga, H. Fukumoto, K. Kondou, Y. Hayashi, K. Murai, T. Moriga and I. Nakabayashi: Vacuum 74 (2004) 683-687.
3. T. Dutta, P. Gupta, V. Bhosle and J. Narayan: J. Appl. Phys. 105 (2009) 053704.
4. T. Minami: Thin Solid Films 516 (2008) 1314-1321.
5. G. S. Heo, Y. Matsumoto, I. G. Gim, J. W. Park, K. Y. Kim and T. W. Kim: Solid State Commun. 149 (2009) 1731-1734.
6. Y. J. Liu, C. H. Yen, C. H. Hsu, K. H. Yu, L. Y. Chen, T. H. Tsai and W. C. Liu: Opt. Rev. 16 (2009) 575-577.
7. D. B. Thompson, J. J. Richardson, S. P. DenBaars and F. F. Lange: Appl. Phys. Express 2 (2009) 042101.
8. X. Li, H. Y. Liu, S. Liu, X. Ni, M. Wu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, U. Ozgur and H. Morkoc: Phys. Status Solidi A-Appl. Mat. 207 (2010) 1993-1996.
9. G. F. Li, J. Zhou, Y. W. Huang, M. Yang, J. H. Feng and Q. Zhang: Vacuum 85 (2010) 22-25.
10. W. M. Tsang, F. L. Wong, M. K. Fung, J. C. Chang, C. S. Lee and S. T. Lee: Thin Solid Films 517 (2008) 891-895.
11. C. G. Huang, M. L. Wang, Z. H. Deng, Y. G. Cao, Q. L. Liu, Z. Huang, Y. A. Liu, W. Guo and Q. F. Huang: J. Mater. Sci.-Mater. Electron. 21 (2010) 1221-1227.
12. J. Y. Kim, J. K. Kim, S. C. Han, H. K. Kim and J. M. Lee: Korean J. Metall. Mater. 48 (2010) 565-569.
13. S. Kim, J. Seo, H. W. Jang, J. Bang, W. Lee, T. Lee and J. M. Myoung: Appl. Surf. Sci. 255 (2009) 4616-4622.
14. C. G. Huang, M. L. Wang, Z. H. Deng, Y. G. Cao, Q. L. Liu, Z. Huang, Y. A. Liu, W. Guo and Q. F. Huang: J. Mater. Sci.-Mater. Electron. 21 (2010) 1221-1227.
15. K. J. Chen, F. Y. Hung, Y. T. Chen, S. J. Chang and Z. S. Hu: Mater. Trans. 51 (2010) 1340-1345.
16. J. M. Lee, K. K. Kim, S. J. Park and W. K. Choi: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3842-3844.
17. J. S. Park, J. K. Jeong, Y. G. Mo, H. D. Kim and S. I. Kim: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 262106.
18. O. Yilmaz and M. A. Okka: Int. J. Adv. Manuf. Technol. 51 (2010) 185-194.
19. H. G. Dong, L. Q. Yang, C. A. Dong and S. D. Kou: Mater. Sci. Eng. A-Struct. Mater. Prop. Microstruct. Process. 527 (2010) 7151-7154.
20. K. R. Narayanan, I. Sridhar and S. Subbiah: Comput. Mater. Sci. 49 (2010) S119-S125.
21. K. J. Chen, F. Y. Hung, S. J. Chang, S. P. Chang, Y. C. Mai and Z. S. Hu: J. Alloy. Compd. 509 (2011) 3667-3671.
22. W. H. Zachariasen: Skr. Nor. Vidensk. 1. Mat. Nat. Kl. 1 (1928).
23. H. Swanson and H. Fuyat: Natl. Bur. Stand. (U.S.) Circ. 539 (1954) 14.
24. K. J. Chen, F. Y. Hung, S. J. Chang and Z. S. Hu: Appl. Surf. Sci. 255 (2009) 6308-6312.
25. B. D. Cullity: The Elements of X-Ray Diffraction, (Addison-Wesley, Reading, MA, 1978) p. 102.
26. S. Kissinger, S. M. Jeong, S. H. Yun, S. J. Lee, D. W. Kim, I. H. Lee and C. R. Lee: Solid-State Electron. 54 (2010) 509-515.
27. C. Y. Hsu, Y. C. Lin and L. M. Kao: Mater. Chem. Phys. 124 (2010) 330-335.