InGaN based light emitting diodes with Ga doped ZnO as transparent conducting oxide

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 207, Issue 8, 2010, Pages 1993-1996

  Li, X ^a   Liu, H Y ^a   Liu, S ^a   Ni, X ^a   Wu, M ^a   Avrutin, V ^a   Izyumskaya, N ^a   Ozgur U ^a   Morkoc H ^a  

^a Virginia Commonwealth University   (United States)

Author keywords

Degradation; Electroluminescence; InGaN; Light emitting diodes; Transparent conducting oxides; ZnO

Indexed keywords

CURRENT CROWDING EFFECT; CURRENT FILAMENTATION; CURRENT LEVELS; CURRENT SPREADING; ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES; GA-DOPED ZNO; INGAN; LIGHT OUTPUT; LIGHT OUTPUT DEGRADATION; SEMI-TRANSPARENT; TRANSPARENT CONDUCTING OXIDE; ZNO;

DEGRADATION; DIODES; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTROLUMINESCENCE; EPITAXIAL GROWTH; LIGHT; LIGHT EMISSION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; OPTICAL PROPERTIES; ZINC OXIDE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 77957960084     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.201026053     Document Type: Article

References (26)

1. U. Ozgür, H. Liu, X. Li, X. Ni, and H. Morkoç, Proc. IEEE, special issue 2010 (in press).
2. A. Michiue, T. Miyoshi, T. Yanamoto, T. Kozaki, S. I. Nagahama, Y. Narukawa, M. Sano, T. Yamada, and T. Mukai, Proc. SPIE 7216, 10.1117/12.808612 (2009).
3. H. Morkoç, Handbook of Nitride Semiconductors and Devices, Vol. 3 (Wiley-VCH, Verlag GmbH&Co. KGaA, Weinhein, 2008).
4. M. H. Kim, M. F. Schubert, Q. Dai, J. K. Kim, E. F. Schubert, J. Piprek, and Y. Park, Appl. Phys. Lett. 91, 183507 (2007). ̈̈.
5. X. Li, X. Ni, J. Lee, M. Wu, U. Ozgür, H. Morkoç, T. Paskova, G. Mulholland, and K. R. Evans, Appl. Phys. Lett. 95, 121107 (2009).
6. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, and K. K. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).
7. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, and K. K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
8. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, S. C. Shei, S. J. Hsu, C. H. Liu, U. H. Liaw, S. C. Chen, and B. R. Huang, IEEE Photonics Tech. Lett. 14, 1668 (2002).
9. R. H. Horng, D. S. Wuu, Y. C. Lien, and W. H. Lan, Appl. Phys. Lett. 79, 2925 (2001).
10. J. O. Song, K.-K. Kim, H. Kim, H.-G. Hong, H. Na, and T.-Y. Seong, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H270 (2007).
11. K. H. Choi, J. Y. Kim, Y. S. Lee, and H. J. Kim, Mater. Sci. Semicond. Process. 10, 211 (2007).
12. C. J. Tun, J. K. Sheu, M. L. Lee, C. C. Hu, C. K. Hsieh, and G. C. Chi, J. Electrochem. Soc. 153, G296 (2006).
13. B. Z. Dong, G. J. Fang, J. F. Wang, W. J. Guan, and X. Z. Zhao, J. Appl. Phys. 101, 033713 (2007).
14. J. Cho, J. Nah, M. S. Oh, J. H. Song, K. H. Yoon, H. J. Jung, and W. K. Choi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L1040 (2001).
15. J. H. Kim, B. D. Ahn, C. H. Lee, K. A. Jeon, H. S. Kang, and S. Y. Lee, J. Appl. Phys. 100, 113515 (2006).
16. H. Y. Liu, V. Avrutin, N. Izyumskaya, M. A. Reshchikov, Ü. Ö zgür, and H. Morkoç, Phys. Status Solidi RRL 4, 70 (2010).
17. S. R. Jeon, M. S. Cho, M. A. Yu, and G. M. Yang, IEEE J. Select. Top. Quantum Electron. 8, 4 (2002).
18. J. Chu, C. Kao, H. Huang, W. Liang, C. Chu, T. Lu, H. Kuo, and S. Wang, Jpn. J. Appl. Phys. 44, 11 (2005).
19. X. Guo and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 90, 8 (2001). ̈̈.
20. J. Xie, X. Ni, Q. Fan, R. Shimada, U. Ozgür, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 93, 121107 (2008). ̈̈.
21. X. Ni, Q. Fan, R. Shimada, U. Ozgür, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 93, 171113 (2008).
22. Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 91, 141101 (2007).
23. A. A. Efremov, N. I. Bochkareva, R. I. Gorbunov, D. A. Larinovich, Yu. T. Rebane, D. V. Tarkhin, and Yu. G. Shreter, Semiconductors 40, 605 (2006).
24. Y. Yao, C. Jin, Z. Dong, Z. Sun, and S. M. Huang, Displays 28, 129 (2007).
25. C. S. Chang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. C. Lin, Y. P. Hsu, S. C. Shei, S. C. Chen, C. H. Liu, and U. H. Liaw, Semicond. Sci. Technol. 18, L21 (2003).
26. X. A. Cao, E. B. Stokes, P. Sandvik, N. Taskar, J. Kretchmer, and D. Walker, Solid State Electron. 46, 1235 (2002).