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Volumn 21, Issue 44, 2011, Pages 17688-17692

Nanopillar InGaN/GaN light emitting diodes integrated with homogeneous multilayer graphene electrodes

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CURRENT-DRIVEN; HIGH CURRENTS; INGAN/GAN; LAYER-BY-LAYERS; NANOPILLAR; STRUCTURAL AND ELECTRICAL PROPERTIES; TRANSFER METHOD;

EID: 80455137282     PISSN: 09599428     EISSN: 13645501     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c1jm13640b     Document Type: Article
Times cited : (41)

References (35)
  • 6
    • 0030036912 scopus 로고    scopus 로고
    • G. Fasol Science 1996 21 1751 1752
    • (1996) Science , vol.21 , pp. 1751-1752
    • Fasol, G.1
  • 21
    • 67649225738 scopus 로고    scopus 로고
    • A. K. Geim Science 2009 324 1530
    • (2009) Science , vol.324 , pp. 1530
    • Geim, A.K.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.