Nanocrystalline ZnO thin films grown on porous silicon by Sol-gel method and effects of post-annealing

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 59, Issue 2, 2011, Pages 346-352

  Kim, Min Su ^a   Yim, Kwang Gug ^a   Leem, Jae Young ^a   Kim, Soaram ^a   Nam, Giwoong ^a   Kim, Do Yeob ^b   Kim, Sung O ^b   Lee, Dong Yul ^c   Kim, Jin Soo ^d   Kim, Jong Su ^e  

^a Inje University   (South Korea)

^b Clemson University   (United States)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^d Chonbuk National University   (South Korea)

^e Yeungnam University   (South Korea)

Author keywords

Annealing; Crater; Porous silicon; Sol gel method; White light emission; Zinc oxide

Indexed keywords

EID: 79961238771     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.59.346     Document Type: Article

References (51)

1. N. Koshida and N. Matsumoto, Mater. Sci. Eng. R 40, 169 (2003).
2. J. Linros and N. Lilic, Appl. Phys. Lett. 66, 3048 (1995).
3. C. Tsai, K. H. Li, J. C. Campbell and A. Tasch, Appl. Phys. Lett. 62, 2818 (1993).
4. M. P. Stewart and J. M. Buriak, Adv. Mater. 12, 859 (2000).
5. L. Luo, X. X. Zhang, K. F. Li, K. W. Cheah, J. X. Shi, W. K. Wong and M. L. Gong, Adv. Mater. 16, 1664 (2004).
6. T. Djenizian, L. Santinacci, H. Hildebrand and P. Schmuki, Surf. Sci. 524, 48 (2003).
7. J. I. Sohn and S. Lee, Appl. Phys. Lett. 78, 901 (2001).
8. J-L. Santailler, C. Audoin, G. Chichignoud, R. Obrecht, B. Kaouache, P. Marotel, D. Pelenc, S. Brochen, J. Merlin, I. Bisotto, C. Granier, G. Feuillet and F. Levy, J. Cryst. Growth 312, 3417 (2010).
9. S. Lee, J. Seong and D. Y. Kim, J. Korean Phys. Soc. 45, 782 (2010).
10. V. A. Fonoberow, A. A. Khan, A. A. Balandin, F. Xiu and A. Liu, Phys. Rev. B 73, 165317 (2006).
11. V. A. Fonoberow and A. A. Balandin, Appl. Phys. Lett. 85, 5971 (2004).
12. R. G. Singh, F. Singh, I. Sulania, D. Kanjilal, K. Sehrawat, V. Agarwal and R. M. Mehra, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 267, 2399 (2004).
13. J. W. P. Hsu, D. R. Simpson, N. A. Messert and R. G. Copeland, Appl. Phys. Lett. 88, 252103 (2006).
14. Y. Y. Peng, T. E. Hsieh and C. H. Hsu, Nanotechnology 17, 174 (2006).
15. K. Shin, K. Prabakar, W. P. Tai, J. H. Oh, C. Lee, D. W. Park and W. S. Ahn, J. Korean Phys. Soc. 45, 1288 (2004).
16. R. G. Singh, F. Singh, V. Agarwal and R. M. Mehra, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 3090 (2007).
17. E. Kayahan, J. Lumin. 130, 1295 (2010).
18. C. Kim, A. Park, K. Prabakar and C. Lee, Mater. Res. Bull. 41, 253 (2006).
19. C. Shaoqiang, Z. Jian, F. Xiao, W. Xiaohua, L. Laiqiang, S. Yanling, X. Qingsong, W. Chang, Z. Jianzhong and Z. Ziqiang, Appl. Surf. Sci. 241, 384 (2005).
20. R. G. Singh, F. Singh, D. Kanjilal, V. Agarwal and R. M. Mehra, J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 062002 (2009).
21. X. F. Daun, Y. Huang, Y. Cui, J. F. Wang and C. M. Lieber, Nature 409, 66 (2001).
22. H. Kind, H. Yan, M. Law, B. Messer and P. Yang, Adv. Mater. 14, 158 (2002).
23. Y. C. Kong, D. P. Yu, B. Zhang, W. Fang and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 78, 407 (2001).
24. R. O. Barr, S. Y. Yamamoto, S. Schultz, W. H. Xu and A. Scherer, J. Appl. Phys. 81, 4730 (1997).
25. K. Yu, Y. Zhang, X. Rongli, J. Desheng, L. Laiqiang, L. Qiong, Z. Ziqiang and L. Wei, Solid State Commun. 133, 43 (2005).
26. Y. Cui, Q. Wei, H. Park and C. M. Lieber, Science 293, 1289 (2001).
27. M. Al-Hilli Safaa, R. T. Al-Mofarji, P. Klason, M. Willander, N. Cutman and A. Sa'ar, J. Appl. Phys. 103, 014302 (2008).
28. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).
29. M. H. Huang, S. Mao, H. Feik, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
30. J. Zhao, Z. G. Jin, T. Li and X. X. Liu, J. Eur. Ceram. Soc. 26, 2769 (2006).
31. J. Y. Lee, H. S. Kim, W. J. Lee and K. R. Ku, J. Cryst. Growth 312, 2393 (2010).
32. L. P. Dai, H. Deng, J. D. Zang, F. Y. Mao, J. J. Chen and M. Wei, J. Mater. Sci. 43, 312 (2008).
33. A. Nakamura, A. N. Titkov, M. Ichida, V. P. Evtikhiev and K. Kryganovskii, Appl. Phys. A 66, S1035 (1998).
34. H. S. Ling and C. P. Lee, J. Appl. Phys. 102, 024314 (2007).
35. S. M. Jeon, M. S. Kim, M. Y. Cho, H. Y. Choi, K. G. Yim, G. S. Kim, H. G. Kim, D-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, J. I. Lee and J-Y. Leem, J. Korean Phys. Soc. 57, 1477 (2010).
36. M. Y. Cho, M. S. Kim, H. Y. Choi, K. G. Yim and J-Y. Leem, Bull. Korean Chem. Soc. 32, 880 (2011).
37. A. Y. Oral, Z. B. Bahsi and M. H. Aslan, Appl. Surf. Sci. 253, 4593 (2007).
38. M. S. Kim, G. S. Kim, M. Y. Cho, D. Y. Kim, H. Y. Choi, S. M. Jeon, K. G. Yim, D-Y. Lee, J. S. Kim, J. S. Kim, J-S. Son, J. I. Lee and J-Y. Leem, J. Korean Phys. Soc. 56, 827 (2010).
39. M. S. Kim, T. H. Kim, D. Y. Kim, G. S. Kim, H. Y. Choi, M. Y. Cho, S. M. Jeon, J. S. Kim, J. S. Kim, D-Y. Lee, J-S. Son, J. I. Lee, J. H. Kim, E. Kim, D-W. Hwang and J-Y. Leem, J. Cryst. Growth 311, 3568 (2009).
40. S. K. Sharma and G. J. Exarhos, Solid State Phenom. 55, 32 (1997).
41. Z. Zhaochun, H. Baibiao, Y. Yongqin and C. Deliang, Mater. Sci. Eng., B 86, 109 (2001).
42. A. Umar, S. H. Kim, Y. S. Lee, K. S. Nahm and Y. B. Hahn, J. Cryst. Growth 282, 131 (2005).
43. A. Umar and Y. B. Hahn, Nanotechnology 17, 2174 (2006).
44. G. J. Exarhos and S. K. Sharma, Thin Solid Films 270, 27 (1995).
45. C. Cong, H. Y. Wei, P. F. Zhang, W. Q. Peng, J. J. Wu and X. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 87, 231903 (2005).
46. F. Decremps, J. Pellicer-Porres, A. M. Saitta, J. C. Chervin and A. Polian, Phys. Rev. B 65, 092101 (2002).
47. H. Cai, H. Shen, Y. Yin, L. Lu, J. Shen and Z. Tang, J. Phys. Chem. Solids 70, 967 (2009).
48. Y. Kanemitsu, T. Futagi, T. Matsumoto and H. Mimura, Phys. Rev. B 49, 14732 (1994).
49. Y. J. Seo, H. J. Cheon and D. J. Choi, J. Mater. Sci. Lett. 17, 313 (1998).
50. S. Nakamura, Solid State Commun. 102, 237 (1997).
51. Y. Narukawa, I. Niki, K. Izuno, M. Yamada, Y. Murazaki and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L371 (2002).