Chemical-mechanical lift-off process for InGaN epitaxial layers

Applied Physics Express

Volumn 4, Issue 6, 2011, Pages

  Lin, Ming Shiou ^a   Lin, Chia Feng ^a   Huang, Wan Chun ^a   Wang, Guei Miao ^a   Shieh, Bing Cheng ^a   Dai, Jing Jie ^a   Chang, Shou Yi ^a   Wuu, D S ^a   Liu, Po Liang ^a   Horng, Ray Hua ^b  

^a NATIONAL CHUNG HSING UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BLUE SHIFT; COMPRESSIVE STRAIN; GAN/SAPPHIRE; INGAN/GAN; LED STRUCTURE; LIFT-OFF PROCESS; PHOTOELECTROCHEMICALS; RED-SHIFT PHENOMENA; SUPERLATTICE LAYERS; WET-ETCHING PROCESS;

GALLIUM COMPOUNDS; LIGHT EMITTING DIODES; SEATS; WET ETCHING;

MECHANICAL PROPERTIES;

EID: 79958801869     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.4.062101     Document Type: Article

References (14)

1. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, and T. Taguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 583.
2. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu, and C. T. Lee: IEEE Photonics Technol. Lett. 16 (2004) 1447.
3. C. C. Yang, C. F. Lin, C. M. Lin, C. C. Chang, K. T. Chen, J. F. Chien, and C. Y. Chang: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 203103.
4. R. Sharma, Y. S. Choi, C. F. Wang, A. David, C. Weisbuch, S. Nakamura, and E. L. Hu: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 211108.
5. A. R. Stonas, N. C. MacDonald, K. L. Turner, S. P. DenBaars, and E. L. Hu: J. Vac. Sci. Technol. B 19 (2001) 2838.
6. J.-S. Ha, S. W. Lee, H.-J. Lee, H.-J. Lee, S. H. Lee, H. Goto, T. Kato, K. Fujii, M. W. Cho, and T. Yao: IEEE Photonics Technol. Lett. 20 (2008) 175.
7. D. J. Rogers, F. Hosseini Teherani, A. Ougazzaden, S. Gautier, L. Divay, A. Lusson, O. Durand, F. Wyczisk, G. Garry, T. Monteiro, M. R. Correira, M. Peres, A. Neves, D. McGrouther, J. N. Chapman, and M. Razeghi: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 071120.
8. J. Park, K. M. Song, S. R. Jeon, J. H. Baek, and S. W. Ryu: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 221907.
9. C. Y. Cho, S. J. Lee, S. H. Hong, S. C. Park, S. E. Park, Y. Park, and S. J. Park: Appl. Phys. Express 4 (2011) 012104.
10. C. F. Lin, J. J. Dai, M. S. Lin, K. T. Chen, W. C. Huang, C. M. Lin, R. H. Jiang, and Y. C. Huang: Appl. Phys. Express 3 (2010) 31001.
11. C. F. Lin, J. J. Dai, G. M. Wang, and M. S. Lin: Appl. Phys. Express 3 (2010) 092101.
12. S. C. Hsu, B. J. Pong, W. H. Li, T. E. Beechem, S. Graham, and C. Y. Liu: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 251114.
13. R. Nowak, M. Pessa, M. Suganuma, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, and F. Yoshida: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2070.
14. R. Navamathavan, Y. T. Moon, G. S. Kim, T. G. Lee, J. H. Hahn, and S. J. Park: Mater. Chem. Phys. 99 (2006) 410.