Growth and separation of high quality GaN epilayer from sapphire substrate by lateral epitaxial overgrowth and wet chemical etching

Applied Physics Express

Volumn 4, Issue 1, 2011, Pages

  Cho, Chu Young ^a   Lee, Sang Jun ^a   Hong, Sang Hyun ^a   Park, Seung Chul ^a   Park, Seong Eun ^b   Park, Yongjo ^b   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE QUALITY; ETCHING SOLUTIONS; GAN EPILAYERS; HIGH QUALITY; HYDROGEN GAS; LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH; SAPPHIRE SUBSTRATES; THREADING DISLOCATION; WET-CHEMICAL ETCHING;

EPILAYERS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; OPTICAL PROPERTIES; SAPPHIRE; SILICON COMPOUNDS; TUNGSTEN; WET ETCHING;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 79251537464     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.4.012104     Document Type: Article

References (15)

1. C. A. Tran, C. F. Chu, C. C. Cheng, W. H. Liu, J. Y. Chu, H. C. Cheng, F. H. Fan, J. K. Yen, and T. Doan: J. Cryst. Growth 298 (2007) 722.
2. W. S. Wong, T. Sands, and N. W. Cheung: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 599.
3. Y. S. Wu, J. H. Cheng, W. C. Peng, and H. Ouyang: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 251110.
4. W. H. Chen, X. N. Kang, X. D. Hu, R. Lee, Y. J. Wang, T. J. Yu, Z. J. Yang, G. Y. Zhang, L. Shan, K. X. Liu, X. D. Shan, L. P. You, and D. P. Yu: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 121114.
5. J. S. Ha, S. W. Lee, H. J. Lee, H. J. Lee, S. H. Lee, H. Goto, T. Kato, K. Fujii, M. W. Cho, and T. Yao: IEEE Photonics Technol. Lett. 20 (2008) 175.
6. S. W. Lee, J. S. Ha, H. J. Lee, H. J. Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, K. Fujii, M. W. Cho, and T. Yao: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 082105.
7. K. Fujii, S. W. Lee, J. S. Ha, H. J. Lee, H. J. Lee, S. H. Lee, T. Kato, M. W. Cho, and T. Yao: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 242108.
8. S. W. Lee, T. Minegishi, W. H. Lee, H. Goto, H. J. Lee, S. H. Lee, H. J. Lee, J. S. Ha, T. Goto, T. Hanada, M. W. Cho, and T. Yao: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 061907.
9. D. J. Rogers and F. H. Teherani: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 071120.
10. M. Haino, M. Yamaguchi, H. Miyake, A. Motogaito, K. Hiramatsu, Y. Kawaguchi, N. Sawaki, Y. Iyechika, and T. Maeda: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L449.
11. A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, K. Hiramatsu, H. Sone, and N. Sawaki: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3418.
12. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 855.
13. C. Y. Cho, J. B. Lee, S. J. Lee, S. H. Han, T. Y. Park, J. W. Kim, Y. C. Kim, and S. J. Park: Opt. Express 18 (2010) 1462.
14. C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager, E. Jones, Z. Liliental, M. Rubin, and E. R. Weber: Phys. Rev. B 54 (1996) 17745.
15. Y. D. Wang, K. Y. Zang, S. J. Chua, S. Tripathy, P. Chen, and C. G. Fonstad: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 251915.