Defect reduction with quantum dots in GaN grown on sapphire substrates by molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 80, Issue 2, 2002, Pages 216-218

  Huang, D ^a   Reshchikov, M A ^a   Yun, F ^a   King, T ^a   Baski, A A ^a   Morkoc H ^a  

^a VIRGINIA COMMONWEALTH UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

A-DENSITY; DEFECT REDUCTION; DISLOCATION DENSITIES; GAN FILM; QUANTUM DOT LAYERS; SAPPHIRE SUBSTRATES;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; BUFFER LAYERS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; WET ETCHING;

OPTICAL WAVEGUIDES;

EID: 79955994646     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1432445     Document Type: Article

References (28)

1. H. Morkoç, Nitride Semiconductors and Devices (Springer, Heidelberg, 1999).
2. S. N. Mohammad and H. Morkoc, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996). pqe PQUEAH 0079-6727
3. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Heidelberg, 1997).
4. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. Van Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
5. P. Visconti, M. A. Reshchikov, K. M. Jones, D. F. Wang, R. Cingolani, H. Morkoç, R. J. Molnar, and D. J. Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1328 (2001), and the references therein. jvb JVTBD9 0734-211X
6. N. Grandjean, B. Damilano, J. Massies, G. Neu, M. Teissere, I. Grzegory, S. Porowski, M. Gallart, S. Porowski, M. Gallart, P. Lefebvre, B. Gil, and M. Albrecht, J. Appl. Phys. 88, 183 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
7. N. Grandjean, J. Massies, I. Grzegory, and S. Porowski, Semicond. Sci. Technol. 16, 358 (2001). sst SSTEET 0268-1242
8. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2888 (2000). apl APPLAB 0003-6951
9. B. Heying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, and S. Den Baars, U. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 77, 2885 (2000). apl APPLAB 0003-6951
10. T. Kachi, K. Tomita, K. Itoh, and H. Tadano, Appl. Phys. Lett. 72, 704 (1998). apl APPLAB 0003-6951
11. M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L316 (1998). jjc JAPLD8 0021-4922
12. K. Uchida, K. Nishida, M. Kondo, and H. Munekata, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 3882 (1998). jjb JAPNDE 0021-4922
13. X. Zhang, S. J. Chua, P. Li, K. B. Chong, W. Wang, Appl. Phys. Lett. 73, 1772 (1998). apl APPLAB 0003-6951
14. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997). apl APPLAB 0003-6951
15. K. S. Kim, C. S. Oh, K. J. Lee, G. M. Yang, C. H. Hong, K. Y. Lee, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 85, 8441 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
16. T. Hashimoto, M. Yuri, M. Ishida, Y. Terakoshi, O. Imafuji, T. Sugini, and K. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 6605 (1999). jjb JAPNDE 0021-4922
17. B. Sundaravel, E. Z. Luo, J. B. Xu, I. H. Wilson, W. K. Fong, L. S. Wang, and C. Surya, J. Appl. Phys. 87, 955 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
18. L. T. Romano, C. G. Van de Walle, J. W. Ager III, W. Gotz, and R. S. Kern, J. Appl. Phys. 87, 7745 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
19. T. S. Zheleva, O-H. Nam, D. M. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997). apl APPLAB 0003-6951
20. H. Amano, M. Iwaya, T. Kashima, M. Katsuragawa, I. Akasaki, J. Han, S. Hearne, J. A. Floro, E. Chason, and J. Figiel, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1540 (1998). jjc JAPLD8 0021-4922
21. X-Q. Shen, T. Ide, S-H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura, S. Sonoda, and S. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys. 39, L16 (2000). jjc JAPLD8 0021-4922
22. D. Huang, P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, A. A. Baski, T. King, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 78, 4145 (2001). apl APPLAB 0003-6951
23. F. Widmann, G. Feuillet, B. Daudin, and J. L. Rouviere, J. Appl. Phys. 85, 1550 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
24. Y. Kim, S. G. Subramanya, H. Siegel, J. Kruger, P. Perlin, E. R. Weber, S. Ruvimov, and Z. Liliental-Weber, J. Appl. Phys. 88, 6032 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
25. Hadis Morkoç, M. A. Reshchikov, A. Baski, and M. I. Nathan, Materials Science Forum, Trans Tech Publications, edited by C. H. Carter, Jr., R. P. Devaty, and G. S. Rohrer. 338-342 -Part 2, 1453, (2000).
26. M. A. Reshchikov, J. Cui, F. Yun, P. Visconti, M. I. Nathan, R. Molnar, and H. Morkoç, Mater. Res. Soc. Symp. 639, G11.2 (2000). mrs MRSPDH 0272-9172
27. P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, R. Cingolani, H. Morkoç, and R. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 3532 (2000). apl APPLAB 0003-6951
28. P. Visconti, K. M. Jones, M. A. Reshchikov, F. Yun, R. Cingolani, H. Morkoç, S. S. Park, and K. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3743 (2000). apl APPLAB 0003-6951