Observation of band gap in epitaxial bilayer graphene field effect transistors

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 50, Issue 4 PART 2, 2011, Pages

  Tanabe, Shinichi ^a,b   Sekine, Yoshiaki ^a   Kageshima, Hiroyuki ^a   Nagasey, Masao ^a   Hibino, Hiroki ^a  

^a NTT Basic Research Laboratories   (Japan)

^b UNIVERSITY OF TOKUSHIMA   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND GAPS; BI-LAYER; CARRIER DENSITY; CHARGE NEUTRALITY; ELECTRICAL DETECTION; EPITAXIAL BILAYERS; EPITAXIAL GRAPHENE; GATE VOLTAGES; TEMPERATURE DEPENDENCE; THERMAL ACTIVATION; THERMAL DECOMPOSITIONS; TOP-GATE; VARIABLE-RANGE HOPPING;

ELECTRONIC PROPERTIES; ENERGY GAP; EPITAXIAL GROWTH; FIELD EFFECT TRANSISTORS; PYROLYSIS; SILICON CARBIDE; TEMPERATURE DISTRIBUTION;

GRAPHENE;

EID: 79955401308     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.50.04DN04     Document Type: Article

References (27)

1. A. H. Castro Neto, F. Guinea, N. M. R. Peres, K. S. Novoselov, and A. K. Geim: Rev. Mod. Phys. 81 (2009) 109.
2. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer: Solid State Commun. 146 (2008) 351.
3. Y. W. Son, M. L. Cohen, and S. G. Louie: Phys. Rev. Lett. 97 (2006) 216803.
4. E. McCann and V. I. Fal'ko: Phys. Rev. Lett. 96 (2006) 086805.
5. E. McCann: Phys. Rev. B 74 (2006) 161403.
6. T. Ohta, A. Bostwick, T. Seyller, K. Horn, and E. Rotenberg: Science 313 (2006) 951.
7. E. V. Castro, K. S. Novoselov, S. V. Morozov, N. M. R. Peres, J. M. B. Lopes dos Santos, J. Nilsson, F. Guinea, A. K. Geim, and A. H. Castro Neto: Phys. Rev. Lett. 99 (2007) 216802.
8. J. B. Oostinga, H. B. Heersche, X. Liu, A. F. Morpurgo, and L. M. K. Vandersypen: Nat. Mater. 7 (2008) 151.
9. A. B. Kuzmenko, E. van Heumen, and D. van der Marel: Phys. Rev. B 79 (2009) 115441.
10. Y. Zhang, T. T. Tang, C. Girit, Z. Hao, M. C. Martin, A. Zettl, M. F. Crommie, Y. R. Shen, and F. Wang: Nature 459 (2009) 820.
11. K. F. Mak, C. H. Lui, J. Shan, and T. F. Heinz: Phys. Rev. Lett. 102 (2009) 256405.
12. F. Xia, D. B. Farmer, Y. Lin, and P. Avouris: Nano Lett. 10 (2010) 715.
13. B. N. Szafranek, D. Schall, M. Otto, D. Neumaier, and H. Kurzet: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 112103.
14. H. Miyazaki, K. Tsukagoshi, A. Kanda, M. Otani, and S. Okada: Nano Lett. 10 (2010) 3888.
15. K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306 (2004) 666.
16. C. Berger, Z. Song, X. Li, X. Wu, N. Brown, C. N. D. Mayou, T. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. de Heer: Science 312 (2006) 1191.
17. K. S. Kim, Y. Zhao, H. Jang, S. Y. Lee, J. M. Kim, K. S. Kim, J. H. Ahn, P. Kim, J. Y. Choi, and B. H. Hong: Nature 457 (2009) 706.
18. K. V. Emtsev, A. Bostwick, K. Horn, J. Jobst, G. L. Kellogg, L. Ley, J. L. McChesney, T. Ohta, S. A. Reshanov, J. Rohrl, E. Rotenberg, A. K. Schmid, D. Waldmann, H. B. Weber, and T. Seyller: Nat. Mater. 8 (2009) 203.
19. H. Kageshima, H. Hibino, and M. Nagase: Mater. Sci. Forum 645-648 (2010) 597.
20. H. Hibino, H. Kageshima, and M. Nagase: J. Phys. D 43 (2010) 374005.
21. T. Shen, J. J. Gu, M. Xu, Y. Q. Wu, M. L. Bolen, M. A. Capano, L. W. Engel, and P. D. Ye: Appl. Phys. Lett. 95 (2009) 172105.
22. A. Tzalenchuk, S. Lara-Avila, A. Kalaboukhov, S. Paolillo, M. Syvajarvi, R. Yakimova, O. Kazakova, T. J. B. M. Janssen, V. Fal'ko, and S. Kubatkin: Nat. Nanotechnol. 5 (2010) 186.
23. J. Jobst, D. Waldmann, F. Speck, R. Hirner, D. K. Maude, T. Seyller, and H. B. Weber: Phys. Rev. B 81 (2010) 195434.
24. S. Tanabe, Y. Sekine, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Hibino: Appl. Phys. Express 3 (2010) 075102.
25. W. Zhu, V. Perebeinos, M. Freitag, and P. Avouris: Phys. Rev. B 80 (2009) 235402.
26. H. Hibino, S. Mizuno, H. Kageshima, M. Nagase, and H. Yamaguchi: Phys. Rev. B 80 (2009) 085406.
27. M. Nagase, H. Hibino, H. Kageshima, and H. Yamaguchi: Nanotechnology 20 (2009) 445704.