Growth and coalescence behavior of semipolar $(11{\bar {2}}2)$ GaN on pre-structured r-plane sapphire substrates

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 248, Issue 3, 2011, Pages 588-593

  Schwaiger, Stephan ^a   Metzner, Sebastian ^b   Wunderer, Thomas ^a   Argut, Ilona ^a   Thalmair, Johannes ^c   Lipski, Frank ^a   Wieneke, Matthias ^b   Bläsing, Jürgen ^b   Bertram, Frank ^b   Zweck, Josef ^c   Krost, Alois ^b   Christen, Jürgen ^b   Scholz, Ferdinand ^a  

^a UNIVERSITY OF ULM   (Germany)

^b OTTO VON GUERICKE UNIVERSITY   (Germany)

^c UNIVERSITY OF REGENSBURG   (Germany)

Author keywords

Coalescence; Marker layer; MOVPE; Patterned sapphire; Semipolar GaN

Indexed keywords

EID: 79951744662     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.201046336     Document Type: Article

References (24)

1. F. Bernardini, V. Fiorentini, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1997).
2. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
3. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81, 469 (2002).
4. S.-M. Hwang, G. S. Yong, K. H. Baik, I.-S. Cho, J. H. Baek, S. Jung, T. G. Kim, and M. Cho, Appl. Phys. Lett. 95, 071101 (2009).
5. R. Armitage and H. Hirayama, Appl. Phys. Lett. 92, 092121 (2008).
6. A.-T. Cheng, Y.-K. Su, W.-C. Lai, and Y.-Z. Chen, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 3074 (2008).
7. B. Imer, F. Wu, M. D. Craven, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 8644 (2006).
8. P. P. Paskov, T. Paskova, B. Monemar, S. Figge, D. Hommel, B. A. Haskell, P. T. Fini, J. S. Speck, and S. Nakamura, Superlattices Microstruct. 40, 253 (2006).
9. K. J. Fujan, M. Feneberg, B. Neuschl, I. Tischer, K. Thonke, S. Schwaiger, I. Izadi, F. Scholz, L. Lechner, J. Biskupek, and U. Kaiser, Appl. Phys. Lett., accepted.
10. M. Ueda, K. Kojima, M. Funato, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 89, 211907 (2006).
11. T. Paskova, R. Kroeger, S. Figge, D. Hommel, V. Darakchieva, B. Monemar, E. Preble, A. Hanser, N. M. Williams, and M. Tutor, Appl. Phys. Lett. 89, 051914 (2006).
12. T. Hikosaka, T. Narita, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 84, 4717 (2004).
13. T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, P. T. Fini, J. S. Speck, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L920 (2005).
14. T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, J. S. Speck, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, L154 (2006).
15. T. Wunderer, P. Brückner, B. Neubert, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, and K. Thonke, Appl. Phys. Lett. 89, 041121 (2006).
16. N. Okada, A. Kurisu, K. Murakami, and K. Tadatomo, Appl. Phys. Express 2, 091001 (2009).
17. P. de Mierry, N. Kriouche, M. Nemoz, S. Chenot, and G. Nataf, Appl. Phys. Lett. 96, 231918 (2010).
18. S. Schwaiger, I. Argut, T. Wunderer, R. Rösch, F. Lipski, J. Biskupek, U. Kaiser, and F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 96, 231905 (2010).
19. T. Wunderer, F. Lipski, J. Hertkorn, P. Brückner, F. Scholz, M. Feneberg, M. Schirra, K. Thonke, A. Chuvilin, and U. Kaiser, Phys. Status Solidi C 5, 2059 (2008).
20. B. Kuhn and F. Scholz, Phys. Status Solidi A 188, 629 (2001).
21. J. Hertkorn, P. Brückner, S. B. Thapa, T. Wunderer, F. Scholz, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, M. Beer, and J. Zweck, J. Cryst. Growth 308, 30 (2007).
22. F. Habel, P. Brückner, and F. Scholz, J. Cryst. Growth 272, 515 (2004).
23. R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce, C. Q. Chen, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 86, 021908 (2005).
24. D. Monceau and C. Boudias, CaRIne Crystallography Software Ver. 3.1, 1989-1998.