Effects of substrate bias power on the surface of ITO electrodes during O2/CF4 plasma treatment and the resulting performance of organic light-emitting diodes

Metals and Materials International

Volumn 16, Issue 4, 2010, Pages 627-632

  Han, D M ^a   Lee, J H ^a   Jeong, K H ^a   Lee, J G ^a  

^a Kookmin University   (South Korea)

Author keywords

Bias power induced defects; Conductors; Optoelectronic materials; Oxides; Surface modification

Indexed keywords

ELECTRIC CONDUCTORS; ELECTRODES; INDIUM COMPOUNDS; OPTOELECTRONIC DEVICES; OXIDES; PLASMA APPLICATIONS; POLYMERS; SUBSTRATES; SURFACE TREATMENT; TIN OXIDES;

INDIUM TIN OXIDE SUBSTRATES; INDUCED DEFECTS; ITO ELECTRODES; OPTICAL PERFORMANCE; OPTO-ELECTRONIC MATERIALS; PLASMA CHEMISTRIES; PLASMA TREATMENT; STRUCTURAL DEFECT;

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED);

EID: 78149320243     PISSN: 15989623     EISSN: 20054149     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s12540-010-0816-y     Document Type: Article

References (28)

1. J. H. Park, S. C. Lee, and P. K. Song, Met. Mater. Int. 13, 475 (2007).
2. M. G. Mason, L. S. Hung, C.W. Tang, S. T. Lee, K. W. Wong, and M. Wang, J. Appl. Phys. 86, 1688 (1999).
3. W. Song, S. K. So, D. Wang, Y. Qiu, and L. Cao, Appl. Surf Sci. 177, 158 (2001).
4. J. H. Cho, H. S. Lee, M. Hwang, H. H. Choi, W. K. Kim, J. L. Lee, and K. Cho, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H156 (2007).
5. J. S. Kim, M. Granstrom, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaneck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1998).
6. K. H. Lee, H. W. Jang, K. B. Kim, Y. H. Tak, and J. L. Lee, J. Appl. Phys. 95, 586 (2004).
7. F. Steuber, J. Staudigel, M. Stóssel, J. Simmerer, and A. Winnacker, Appl. Phys. Lett. 74, 3558 (1999).
8. C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 70, 1348 (1997).
9. D. J. Milliron, I. G. Hill, C. Shen, A. Kahn, and J. Schwartz, J. Appl. Phys. 87, 572 (2000).
10. S. Y. Kim and J. L. Lee, Electron. Mater. Lett. 1, 59 (2005).
11. A. L. Swint and P. W. Bohn, J. Appl. Phys. 84, 61 (2004)
12. F. Nüesch, L. J. Rothberg, E. W. Forsythe, Q. T. Le, and Y. Gao, Appl. Phys. Lett. 74, 880 (1999).
13. K. Furukawa, Y. Terasaka, H. Ueda, and M. Matsumura, Synthetic Met. 91, 99 (1997).
14. C. Ganzorig, K. J. Kwak, K. Yagi, and M. Fuzihara, Appl. Phys. Lett. 79, 272 (2001).
15. B. L. Low, F. R. Zhu, K. Zhang, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett. 80, 4659 (2002).
16. B. R. Choi, H. S. Yoon, and H. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 76, 412 (2000).
17. I. M. Chan and F. C. N. Hong, Thin Solid Films. 444, 254 (2003).
18. H. Park, S. Ko, K. Lee, and J. Lee, Electron. Mater. Lett. 4, 181 (2008).
19. A. Kim, H. J. Park, K. W. Lee, K. H. Jeong, C. S. Kim, E. G. Lee, and J. G. Lee, Electron. Mater. Lett. 5, 35 (2009).
20. J. C. Park, S. Hwang, J. M. Kim, J. K. Kim, E. H. Kim, Y. G. Jung, and H. Cho, Electron. Mater Lett. 5, 205 (2009).
21. S. Y. Kim, K. Hong, and J. L. Lee, Electron. Mater. Lett. 4, 63 (2008).
22. H. Shin, C. Kim, C. Bae, J. S. Lee, J. Lee, and S. Kim, Appl. Surf. Sci. 253, 8928 (2007).
23. M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 53, 2939 (1982).
24. L.C. Plumb and K. R. Ryan, Plasma Chem. Proc. 6, 205 (1986).
25. C. Kim, B. Lee, H. J. Yang, H. M. Lee, J. G. Lee, and H. Shin, J. Kor. Phys. Soc. 47, S417 (2005).
26. G. Nansé, E. Papirer, P. Fioux, F. Moguet, and A. Tressaud, Carbon 35, 175 (1997)
27. st ed.), p. 231, Perkin-Elmer Corporation, Eden Prairie (1992).
28. Ihan Barin, Thermochemical Data of Pure Substances, p. 711, 717, 1399, 1404, Wiley-VCH, Weinheim (1989).