Surface treatment of indium tin oxide by SF6 plasma for organic light-emitting diodes

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 4, 2000, Pages 412-414

  Choi, Beomrak ^a   Yoon, Hyunsik ^a   Lee, Hong H ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001336159     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125771     Document Type: Article

References (15)

1. D. Braun and A. J. Heeger, Appl. Phys. Lett. 58, 1982 (1991).
2. C. C. Wu, C. I. Wu, J. C. Sturm, and A. Kahn, Appl. Phys. Lett. 70, 1348 (1997).
3. J. S. Kim, M. Grandström, R. H. Friend, N. Johansson, W. R. Salaeck, R. Daik, W. J. Feast, and F. Cacialli, J. Appl. Phys. 84, 6859 (1995).
4. S. Fujita, T. Sakamoto, K. Ueda, K. Ohta, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 350 (1997).
5. F. Steuber, J. Staudigel, M. Stössel, J. Simmerer, and A. Winnacker, Appl. Phys. Lett. 74, 3558 (1999).
6. J. S. Kim, F. Cacialli, A. Cola, G. Gigli, and R. Cingolani, Appl. Phys. Lett. 75, 19 (1999).
7. M. G. Mason, L. S. Hung, C. W. Tang, S. T. Lee, K. W. Wong, and M. Wang, J. Appl. Phys. 86, 1688 (1999).
8. S. A. Van Slyke, C. H. Chen, and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996).
9. F. Nüesch, L. J. Rothberg, E. W. Forsythe, Q. T. Le, and Y. Gao, Appl. Phys. Lett. 74, 880 (1999).
10. I. D. Parker, Y. Cao, and C. Y. Yang, J. Appl. Phys. 85, 2441 (1999).
11. J. C. Scott, G. G. Malliaras, W. D. Chen, J. C. Breach, J. C. Salem, P. B. Brock, S. B. Sachs, and C. E. D. Chidsey, Appl. Phys. Lett. 74, 1510 (1999).
12. L. St-Onge, N. Sadeghi, J. P. Booth, J. Margot, and C. Barbeau, J. Appl. Phys. 78, 6957 (1995).
13. R. J. M. M. Snijkers, J. F. Coulon, and G. Turban, J. Phys. D: Appl. Phys. 24, 1098 (1991).
14. A. Andersson, N. Johansson, P. Broms, N. Yu, D. Lupo, and R. Salaneck, Adv. Mater. 10, 859 (1998).
15. I. H. Campbell, J. D. Kress, R. L. Martin, D. L. Smith, N. N. Barashkov, and J. P. Ferraris, Appl. Phys. Lett. 71, 3528 (1997).