Simple and controlled single electron transistor based on doping modulation in silicon nanowires

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 14, 2006, Pages

  Hofheinz, M ^a   Jehl, X ^a   Sanquer, M ^a   Molas, G ^b   Vinet, M ^b   Deleonibus, S ^b  

^a CEA GRENOBLE   (France)

^b CEA LETI   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COULOMB OSCILLATIONS; DOPING MODULATION; SILICON NANOWIRES; SILICON NITRIDE SPACERS; SINGLE ELECTRON TRANSISTORS (SET);

DEPOSITION; ELECTRONS; LITHOGRAPHY; LOW TEMPERATURE OPERATIONS; MOS DEVICES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SILICON NITRIDE;

TRANSISTORS;

EID: 33749500415     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2358812     Document Type: Article

References (25)

1. T. A. Fulton and T. J. Dolan, Phys. Rev. Lett. 59, 109 (1987).
2. Single Charge Tunneling, edited by, H. Grabert, and, M. H. Devoret, (Plenum, New York, 1992).
3. M. H. Devoret and R. J. Schoelkopf, Nature (London) 406, 1039 (2000).
4. H. Pothier, P. Lafarge, P. F. Orfila, C. Urbina, D. Esteve, and M. H. Devoret, Physica B 169, 573 (1991).
5. M. W. Keller, A. L. Eichenberger, J. M. Martinis, and N. M. Zimmerman, Science 285, 1706 (1999).
6. G. Lientschnig, I. Weymann, and P. Hadley, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 6467 (2003).
7. Y. Ono, A. Fujiwara, K. Nishiguchi, H. Inokawa, and Y. Takahashi, J. Appl. Phys. 97, 031101 (2005).
8. J. Gorman, D. G. Hasko, and D. A. Williams, Phys. Rev. Lett. 95, 090502 (2005).
9. L. C. L. Hollenberg, A. S. Dzurak, C. Wellard, A. R. Hamilton, D. J. Reilly, G. J. Milburn, and R. G. Clark, Phys. Rev. B 69, 113301 (2004).
10. H. Ishikuro and T. Hiramoto, Appl. Phys. Lett. 71, 3691 (1997).
11. T. Sakamoto, H. Kawaura, and T. Baba, Appl. Phys. Lett. 72, 795 (1998).
12. R. Augke, W. Eberhardt, C. Single, F. E. Prins, D. A. Wharam, and D. P. Kern, Appl. Phys. Lett. 76, 2065 (2000).
13. T. H. Wang, H. W. Li, and J. M. Zhou, Nanotechnology 13, 221 (2002).
14. Y. T. Tan, T. Kamiya, Z. A. K. Durrani, and H. Ahmed, J. Appl. Phys. 94, 633 (2003).
15. K. Uchida, J. Koga, R. Ohba, S. Takagi, and A. Toriumi, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1623 (2003).
16. K. Nishiguchi, A. Fujiwara, Y. Ono, H. Inokawa, and Y. Takahashi, Appl. Phys. Lett. 88, 183101 (2006).
17. A. Tilke, R. H. Blick, H. Lorenz, J. P. Kotthaus, and D. A. Wharam, Appl. Phys. Lett. 75, 3704 (1999).
18. H. Namatsu, Y. Watanabe, K. Yamazaki, T. Yamaguchi, M. Nagase, Y. Ono, A. Fujiwara, and S. Horiguchi, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1 (2003).
19. D. H. Kim, S.-K. Sung, J. S. Sim, K. R. Kim, J. D. Lee, B.-G. Park, B. H. Choi, S. W. Hwang, and D. Ahn, Appl. Phys. Lett. 79, 3812 (2001).
20. A. Fujiwara, H. Inokawa, K. Yamazaki, H. Namatsu, Y. Takahashi, N. M. Zimmerman, and S. B. Martin, Appl. Phys. Lett. 88, 053121 (2006).
21. G. Molas, B. De Salvo, G. Ghibaudo, D. Mariolle, A. Toffoli, N. Buffet, R. Puglisi, S. Lombardo, and S. Deleonibus, IEEE Trans. Nanotechnol. 3, 42 (2004).
22. C. Yang, Z. Zhong, and C. M. Lieber, Science 310, 1304 (2005).
23. F. Boeuf, X. Jehl, M. Sanquer, and T. Skotnicki, IEEE Trans. Nanotechnol. 2, 144 (2003).
24. V. A. Krupenin, A. B. Zorin, M. N. Savvateev, D. E. Presnov, and J. Niemeyer, J. Appl. Phys. 90, 2411 (2001).
25. M. Hofheinz, X. Jehl, M. Sanquer, G. Molas, M. Vinet, and S. Deleonibus (submitted for publication).