Compositional transformation between Cu centers by annealing in Cu-diffused silicon crystals studied with deep-level transient spectroscopy and photoluminescence

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 48, Issue 8 Part 1, 2009, Pages 0823021-0823025

  Nakamura, Minoru ^a   Murakami, Susumu ^a   Kawai, Naoyuki J ^b   Saito, Shigeaki ^b   Matsukawa, Kazuhito ^b   Arie, Hiroyuki ^b  

^a HITACHI LTD   (Japan)

^b RENESAS TECHNOLOGY CORP   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING BEHAVIOR; COMPOSITIONAL TRANSFORMATIONS; CONCENTRATION OF; CU ATOMS; DIFFUSED SILICON; DISSOCIATION PRODUCTS; ENERGY LEVEL; INTERMEDIATE SPECIE; ROOM TEMPERATURE; SI CRYSTALS; WEAK BOND;

CRYSTALS; DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY;

ANNEALING;

EID: 77952732139     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.48.082302     Document Type: Article

References (34)

1. D. A. Ramappa: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 3756.
2. A. A. Istratov and E. R. Weber: J. Electrochem. Soc. 149 (2002) G21.
3. T. Heiser, A. Belayachi, and J. P. Schunck: J. Electrochem. Soc. 150 (2003) G831.
4. K. Graff and H. Pieper: in Semiconductor Silicon 1981, ed. H. R. Huff, R. J. Krieger, and Y. Takeishi (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1981) p. 331.
5. S. D. Brotherton, J. R. Ayres, A. Gill, H. W. van Kesteren, and F. J. A. M. Greidanus: J. Appl. Phys. 62 (1987) 1826.
6. N. S. Minaev, A. V. Mudryi, and V. D. Tkachev: Sov. Phys. Semicond. 13 (1979) 233.
7. J. Weber, H. Bauch, and R. Sauer: Phys. Rev. B 25 (1982) 7688.
8. H. B. Erzgräber and K. Schmalz: J. Appl. Phys. 78 (1995) 4066.
9. M. Nakamura: J. Electrochem. Soc. 147 (2000) 796.
10. H. Lemke: Phys. Status Solidi A 95 (1986) 665.
11. H. Lemke and K. Irmscher: in High Purity Silicon VIII, ed. C. L. Claeys, M. Watanabe, R. Falster, and P. Stallhofer (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 2004) p. 146.
12. P. Stallhofer, A. Huber, P. Blochl, and H. Schwenk: in Semiconductor Silicon 1990, ed. H. R. Huff, K. G. Barraclough, and J. Chikawa (Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1990) p. 1016.
13. S. Knack, J. Weber, H. Lemke, and H. Riemann: Physica B 308-310 (2001) 404.
14. M. Nakamura, S. Ishiwari, and A. Tanaka: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 2325.
15. M. Nakamura, S. Murakami, H. Hozoji, N. J. Kawai, S. Saito, and H. Arie: Jpn. J. Appl. Phys. 45 (2006) L80.
16. K. G. McGuigan, M. O. Henry, E. C. Lightowlers, A. G. Steele, and M. L. W. Thewalt: Solid State Commun. 68 (1988) 7.
17. S. K. Estreicher, D. West, and M. Sanati: Phys. Rev. B 72 (2005) 121201.
18. E. R. Weber: Appl. Phys. A 30 (1983) 1.
19. S. A. McHugo and C. Flink: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3598.
20. Z. Xi, J. Chen, D. Yang, A. Lawerenz, and H. J. Moeller: J. Appl. Phys. 97 (2005) 094909.
21. M. B. Shabani, T. Yoshimi, and H. Abe: J. Electrochem. Soc. 143 (1996) 2025.
22. L. Fabry, R. Hoelzl, A. Andrukhiv, K. Matsumoto, J. Qiu, S. Koveshnikov, M. Goldstein, A. Grabau, H. Horie, and R. Takeda: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) G566.
23. K.-S. Kim, S.-W. Lee, H.-B. Kang, B.-Y. Lee, and S.-M. Park: J. Electrochem. Soc. 155 (2008) H912.
24. M. L. W. Thewalt, M. Steger, A. Yang, N. Stavrias, M. Cardona, H. Riemann, N. V. Abrosimov, M. F. Churbanov, A. V. Gusev, A. D. Bulanov, I. D. Kovalev, A. K. Kaliteevskii, O. N. Godisov, P. Becker, H.-J. Pohl, J. W. Ager III, and E. E. Haller: Physica B 401-402 (2007) 587.
25. S. K. Estreicher, D. West, J. Goss, S. Knack, and J. Weber: Phys. Rev. Lett. 90 (2003) 035504.
26. D. E. Woon, D. S. Marynik, and S. K. Estreicher: Phys. Rev. B 45 (1992) 13383.
27. K. Shirai, T. Michikata, and H. Katayama-Yoshida: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 7760.
28. R. L. Meek and T. E. Seidel: J. Phys. Chem. Solids 36 (1975) 731.
29. R. N. Hall and J. H. Racette: J. Appl. Phys. 35 (1964) 379.
30. M. Nakamura, S. Murakami, N. J. Kawai, S. Saito, and H. Arie: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 4398.
31. U. Wahl, A. Vantomme, G. Langouche, J. P. Araujo, L. Peralta, and J. G. Correia: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2142.
32. M. Nakamura: J. Appl. Phys. 86 (1999) 5372.
33. A. Yang, M. Steger, M. L. W. Thewalt, M. Cardona, H. Riemann, N. V. Abrosimov, M. F. Churbanov, A. V. Gusev, A. D. Bulanov, I. D. Kovalev, A. K. Kaliteevskii, O. N. Godisov, P. Becker, H.-J. Pohl, J. W. Ager III, and E. E. Haller: Physica B 401-402 (2007) 593.
34. M. Steger, A. Yang, N. Stavrias, M. L. W. Thewalt, H. Riemann, N. V. Abrosimov, M. F. Churbanov, A. V. Gusev, A. D. Bulanov, I. D. Kovalev, A. K. Kaliteevskii, O. N. Godisov, P. Becker, and H.-J. Pohl: Phys. Rev. Lett. 100 (2008) 177402.