A chip-level electrothermal-coupled design model for high-power light-emitting diodes

Journal of Applied Physics

Volumn 107, Issue 5, 2010, Pages

  Huang, Shanjin ^a   Wu, Hao ^a   Fan, Bingfeng ^a   Zhang, Baijun ^a   Wang, Gang ^a  

^a NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVE LAYER; CHIP-LEVEL; COUPLED SIMULATION; CURRENT SPREADING; DESIGN MODELS; ELECTRODE PATTERN; FLIP-CHIP LEDS; GAN-BASED LIGHT-EMITTING DIODES; HEAT ACCUMULATION; HEAT DISTRIBUTION; HEAT TRANSFER EFFICIENCY; HIGH POWER LIGHT EMITTING DIODES; HIGH-POWER; LOWER AVERAGE; MEASURED RESULTS; NUMERICAL SIMULATION; SIMULATED RESULTS; SIMULATION RESULT; SPREADING EFFECTS; THERMAL MANAGEMENT; THERMAL PERFORMANCE; THERMAL PROPERTIES;

ELECTRIC PROPERTIES; FINITE ELEMENT METHOD; FLIP CHIP DEVICES; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES (OLED); THERMODYNAMIC PROPERTIES; THREE DIMENSIONAL;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 77949759630     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3311564     Document Type: Article

References (25)

1. E. F. Schubert and J. K. Kim, Science 308, 1274 (2005).
2. M. R. Krames, O. B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, L. Zhou, G. Harbers, and M. G. Craford, J. Disp. Technol. 3, 160 (2007).
3. J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O'Shea, M. J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subramanya, W. Götz, N. F. Gardner, R. S. Kern, and S. A. Stockman, Appl. Phys. Lett. 78, 3379 (2001).
4. D. W. Kim, H. Y. Lee, M. C. Yoo, and G. Y. Yeom, Appl. Phys. Lett. 86, 052108 (2005).
5. Y. K. Su, S. J. Chang, S. C. Wei, R. W. Chuang, S. M. Chen, and W. L. Li, IEEE Trans. Electron Devices 26, 891 (2005).
6. I. Y. E. K. A. Bulashevich, V. F. Mymrin, and S. Yu. Karpov, Phys. Status Solidi C 4, 45 (2007).
7. B. F. Fan, H. Wu, Y. Zhao, Y. L. Xian, B. J. Zhang, and G. Wang, IEEE Trans. Electron Devices 55, 3375 (2008).
8. H. Kim, S.-J. Park, and H. Hwang, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1065 (2001).
9. X. Guo and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett. 78, 3337 (2001).
10. H. Kim, S.-J. Park, H. Hwang, and N.-M. Park, Appl. Phys. Lett. 81, 1326 (2002).
11. H. Kim, K. K. Kim, K. K. Choi, J. O. Song, J. Cho, K. H. Baik, C. Sone, Y. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 91, 023510 (2007).
12. S. Hwang and J. Shim, IEEE Trans. Electron Devices 55, 1123 (2008).
13. G. K. Wachutka, IEEE Trans. Comput.-Aided Des. 9, 1141 (1990).
14. T. B. Stephan Figge, D. Hommel, C. Zellweger, and M. Ilegems, Phys. Status Solidi A 200, 83 (2003).
15. G. N. Logvinov, J. E. Velazquez, I. M. Lashkevych, and Y. G. Gurevich, Appl. Phys. Lett. 89, 092118 (2006).
16. Y. G. Zhao and J. G. McInerney, IEEE J. Quantum Electron. 31, 1668 (1995).
17. Y. G. Zhao and J. G. McInerney, IEEE J. Quantum Electron. 32, 1950 (1996).
18. J. K. Sheu, Y. K. Su, G. C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).
19. Y. C. Lin, S. J. Chang, Y. K. Su, T. Y. Tsai, C. S. Chang, S. C. Shei, S. J. Hsu, C. H. Liu, U. H. Liaw, S. C. Chen, and B. R. Huang, IEEE Photon. Technol. Lett. 14, 1668 (2002).
20. S. M. Pan, R. C. Tu, Y. M. Fan, R. C. Yeh, and J. T. Hsu, IEEE Photon. Technol. Lett. 15, 338 (2003).
21. M. W. Shin, Proc. SPIE 6355, 635509 (2006).
22. J. Hu, L. Yang, and M. W. Shin, IEEE Trans. Device Mater. Reliab. 8, 297 (2008).
23. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, C. T. Lee, W. S. Chen, C. F. Shen, Y. P. Hsu, S. C. Shei, and H. M. Lo, IEEE Trans. Adv. Packag. 28, 273 (2005).
24. O. B. Shchekin, J. E. Epler, T. A. Trottier, T. Margalith, D. A. Steigerwald, M. O. Holcomb, P. S. Martin, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 89, 071109 (2006).
25. L. Lin, Z. Z. Chen, H. P. Pan, S. L. Qi, P. Liu, Z. X. Qin, T. J. Yu, B. Zhang, Y. Z. Tong, and G. Y. Zhang, Phys. Status Solidi C 4, 2834 (2007).