Majority carrier type conversion with floating gates in carbon nanotube transistors

Advanced Materials

Volumn 21, Issue 47, 2009, Pages 4821-4824

  Yu, Woo Jong ^a   Kang, Bo Ram ^a   Lee, Il Ha ^a   Min, Yo Sep ^b   Lee, Young Hee ^a  

^a Sungkyunkwan University   (South Korea)

^b Konkuk University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARBON NANOTUBE TRANSISTORS; FLOATING GATES; MAJORITY CARRIERS; NON-VOLATILE MEMORIES; TRAPPED CHARGE;

CARBON NANOTUBES; CHARGE TRAPPING;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 73949137169     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200900911     Document Type: Article

References (35)

1. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, C. Dekker, Science 1998, 393, 49.
2. R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, P. Avouris, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447.
3. R. Martel, V. Derycke, C. Lavoie, J. Appenzeller, K. K. Chan, J. Tersoff, P. Avouris, Phys. Rev. Lett. 2000, 87, 256805.
4. S. Koo, Q. L. Monica, D. Edelstein, C. A. Richter, E. M. Vogel, Nano Lett. 2005, 5, 2519.
5. W. J. Yu, U. J. Kim, B. R. Kang, I. H. Lee, E. H. Lee, Y. H. Lee, Nano Lett. 2009, 9, 1401.
6. S. H. Hur, C. Kocabas, A. Gaur, O. O. Park, M. Shim, J. A. Rogers, J. Appl. Phys. 2005, 98, 114302.
7. D. L. Carroll, P. Redlich, X. Blase, J. C. Charlier, S. Curran, P. M. Ajayan, S. Roth, M. Rühle, Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 2332.
8. V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller, P. Avouris, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2773.
9. R. Martel, V. Derycke, C. Lavoie, J. Appenzeller, K. K. Chan, J. Tersoff, P. Avouris, Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 256805.
10. C. Klinke, J. Chen, A. Afzali, P. Avouris, Nano Lett. 2005, 5, 555.
11. G. P. Siddons, D. Merchin, J. H. Back, J. K. Jeong, M. Shim, Nano Lett. 2004, 4, 927.
12. K. H. An, Y. H. Lee, NANO 2006, 1, 115.
13. W. J. Yu, S. Y. Jeong, K. K. Kim, B. R. Kang, D. J. Bae, M. Lee, S. Hong, S. P. Gaunkar, D. Pribat, D. Perello, M. Yun, J. Y. Choi, Y. H. Lee, New J. Phys. 2008, 10, 113013. DOI: 10.1002/adfm.200801712
14. B. R. Kang, W. J. Yu, K. K. Kim, H. K. Park, S. M. Kim, Y. Park, G. Kim, H. J. Shin, U. J. Kim, E. H. Lee, J. Y. Choi, Y. H. Lee, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, DOI: 10.1002/adfm.200801712
15. S. M. Kim, J. H. Jang, K. K. Kim, H. K. Park, J. J. Bae, W. J. Yu, I. H. Lee, G. Kim, D. D. Loc, U. J. Kim, E. H. Lee, H. J. Shin, J. Y. Choi, Y. H. Lee, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 327.
16. V. Derycke, R. Martel, J. Appenzeller, P. Avouris, Nano Lett. 2001, 1, 453.
17. A. Gruneis, M. J. Esplandiu, D. Garcia-Sanchez, A. Bachtold, Nano Lett. 2007, 7, 3766.
18. T. Rueckes, K. Kim, E. Joselevich, G. Y. Tseng, C. L. Cheung, C. M. Lieber, Science 2000, 289, 94.
19. M. S. Fuhrer, B. M. Kim, T. Durkop, T. Britlinger, Nano Lett. 2002, 2, 755.
20. M. Radosavljevic, M. Freitag, K. V. Thadani, A. T. Johnson, Nano Lett. 2002, 2, 761.
21. J. B. Cui, R. Sordan, M. Burghard, K. Kern, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3260.
22. W. B. Choi, S. Chae, E. Bae, J. W. Lee, B. H. Cheong, J. R. Kim, J. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 275.
23. L. Marty, V. Bouchiat, C. Naud, M. Chaumont, T. Fournier, A. M. Bonnot, Nano Lett. 2003, 3, 1115.
24. S. Wang, P. Sellin, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 133117.
25. U. Ganguly, E. C. Kan, Y. Zhangb, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 043108.
26. M. Rinkio, A. Johansson, M. Y. Zavodchikova, J. J. Toppari, A. G. Nasibulin, E. I. Kauppinen, P. Torma, NewJ. Phys. 2008, 70, 103019.
27. M. Rinkio, A. Johansson, G. S. Paraoanu, P. Torma, Nano Lett. 2009, 9, 643.
28. W. Kim, A. Javey, O. Vermesh, Q. Wang, Y. Li, H. Dai, Nano Lett. 2003, 3, 193.
29. J. S. Lee, S. Ryu, K. Yoo, I. S. Choi, W. S. Yun, J. Kim, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12504.
30. A. Vijayaraghavan, S. Kara, C. Soldano, S. Talapatra, O. Nalamasu, P. M. Ajayan, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 162108.
31. M. Radosavljevi, M. Freitag, K. V. Thadani, A. T. Johnson, Nano Lett. 2002, 2, 761.
32. J. B. Cui, R. Sordan, M. Burghard, K. Kern, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 3260.
33. B. L. Anderson, R. L. Anderson, Fundamentals of Semiconductor Devices, McGraw-Hill, New York 2005.
34. Y. Min, E. J. Bae, J. B. Park, W. Park, Nanotechnology 2006, 17, 116.
35. Y. S. Min, E. J. Bae, B. S. Oh, D. Kang, W. Park, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 12498.