Pronounced hysteresis and high charge storage stability of single-walled carbon nanotube-based field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 13, 2005, Pages 1-3

  Wang, Sigen ^a   Sellin, Paul ^a  

^a UNIVERSITY OF SURREY   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CARBON NANOTUBES; FIELD EFFECT TRANSISTORS; PASSIVATION; TEMPERATURE DISTRIBUTION; THRESHOLD VOLTAGE;

GATE VOLTAGE; HIGH CHARGE STORAGE STABILITY; PHYSIOSORPTION;

HYSTERESIS;

EID: 28344456398     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2067690     Document Type: Article

References (20)

1. S. J. Tans, A. R. M. Verschueren, and C. Dekker, Nature (London) 393, 49 (1998).
2. R. Martel, T. Schmidt, H. R. Shea, T. Hertel, and Ph. Avouris, Appl. Phys. Lett. 73, 2447 (1998).
3. H. W. C. Postma, T. Teepen, Z. Yao, M. Grifoni, and C. Dekker, Science 293, 76 (2001).
4. A. G. Rinzler, J. H. Hafner, P. Nikolaev, L. Lou, S. G. Kim, D. Tomanek, P. Nordlander, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Science 269, 1550 (1995).
5. S. G. Wang, Q. Zhang, S. F. Yoon, J. Ahn, D. J. Yang, Q. Wang, Q. Zhou, and J. Q. Li, Diamond Relat. Mater. 12, 8 (2003).
6. L. Chico, V. H. Crespi, L. X. Benedict, S. G. Louie, and M. L. Cohen, Phys. Rev. Lett. 76, 971 (1996).
7. S. G. Wang, R. L. Wang, P. J. Sellin, and Q. Zhang, Biochem. Biophys. Res. Commun. 325, 1465 (2004).
8. A. Javey, H. Kim, M. Brink, Q. Wang, A. Ural, J. Guo, P. McIntyre, P. McEuen, M. Lundstrom, and H. Dai, Nat. Mater. 1, 241 (2002).
9. S. J. Wind, J. Appenzeller, R. Martel, V. Derycke, and Ph. Avouris, Appl. Phys. Lett. 80, 3817 (2002).
10. M. S. Fuhrer, B. M. Kim, T. Durkop, and T. Brintlinger, Nano Lett. 2, 755 (2002).
11. M. Radosavljevic, M. Freitag, K. V. Thadani, and A. T. Johnson, Nano Lett. 2, 761 (2002).
12. J. B. Cui, R. Sordan, M. Burghard, and K. Kern, Appl. Phys. Lett. 81, 3260 (2002).
13. P. G. Collins, M. S. Arnold, and Ph. Avouris, Science 292, 706 (2001).
14. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
15. D. J. Yang, Q. Zhang, S. G. Wang, and G. F. Zhong, Diamond Relat. Mater. 13, 1967 (2004).
16. W. B. Choi, S. Chae, E. Bae, J. W. Lee, B. H. Cheong, J. R. Kim, and J. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 275 (2003).
17. C. H. Lee, K. T. Kang, K. S. Park, M. S. Kim, H. S. Kim, H. G. Kim, J. E. Fischer, and A. T. Johnson, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 5392 (2003).
18. Y. Yang, A. Purwar, and M. H. White, Solid-State Electron. 43, 2025 (1999).
19. H. E. Maes, S. H. Usmani, and G. L. Heyns, J. Appl. Phys. 52, 4348 (1981).
20. D. Xu and V. J. Kapoor, J. Appl. Phys. 70, 1570 (1991).