Effects of ultraviolet treatment on the contact resistivity and electronic transport at the Ti/ZnO interfaces

Journal of Applied Physics

Volumn 106, Issue 1, 2009, Pages

  Lin, Yow Jon ^a   Tsai, Chia Lung ^a   Liu, W R ^b,c   Hsieh, W F ^b   Hsu, C H ^b,c   Tsao, Hou Yen ^a   Chu, Jian An ^a   Chang, Hsing Cheng ^d  

^a NATIONAL CHANGHUA UNIVERSITY OF EDUCATION   (Taiwan)

^b NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

^d FENG CHIA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIER HEIGHTS; CONTACT RESISTIVITIES; ELECTRON CONCENTRATION; ELECTRONIC TRANSPORT; EMISSION MODEL; EXCESS CURRENT; SPECIFIC CONTACT RESISTANCES; SURFACE REGION; TUNNELING ,; ULTRA-VIOLET; ULTRAVIOLET TREATMENT; UV TREATMENT; ZNO;

EMISSION SPECTROSCOPY; ZINC OXIDE;

X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

EID: 67650718124     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3157201     Document Type: Article

References (42)

1. C. Y. Chang, F. C. Tsao, C. J. Pan, G. C. Chi, H. T. Wang, J. J. Chen, F. Ren, D. P. Norton, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 173503 (2006). 10.1063/1.2198480
2. M. C. Jeong, B. Y. Oh, M. H. Ham, and J. M. Myoung, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 88, 202105 (2006). 10.1063/1.2204655
3. S. H. K. Park, J. I. Lee, C. S. Hwang, and H. Y. Chu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 44, L242 (2005). 10.1143/JJAP.44.L242
4. Y. I. Alivov, J. E. V. Nostrand, D. C. Look, M. V. Chukichev, and B. M. Ataev, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 83, 2943 (2003). 10.1063/1.1615308
5. C. Yuen, S. F. Yu, S. P. Lau, and T. P. Chen, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 86, 241111 (2005). 10.1063/1.1947889
6. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 44, L643 (2005). 10.1143/JJAP.44.L643
7. T. L. Yang, D. H. Zhang, J. Ma, H. L. Ma, and Y. Chen, Thin Solid Films 0040-6090 326, 60 (1998). 10.1016/S0040-6090(98)00763-9
8. A. W. Ott and R. P. H. Chang, Mater. Chem. Phys. 0254-0584 58, 132 (1999). 10.1016/S0254-0584(98)00264-8
9. A. A. Iliadis, R. D. Vispute, T. Venkatesan, and K. A. Jones, Thin Solid Films 0040-6090 420-421, 478 (2002). 10.1016/S0040-6090(02)00834-9
10. Y. J. Lin and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 77, 3986 (2000). 10.1063/1.1332827
11. H. K. Kim, S. H. Han, T. Y. Seong, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 77, 1647 (2000). 10.1063/1.1308527
12. T. Akane, K. Sugioka, and K. Midorikawa, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 18, 1406 (2000). 10.1116/1.591479
13. J. M. Lee, K. K. Kim, S. J. Park, and W. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 78, 3842 (2001). 10.1063/1.1379061
14. W. R. Liu, W. F. Hsieh, C. H. Hsu, K. S. Liang, and F. S. S. Chien, J. Cryst. Growth 0022-0248 297, 294 (2006). 10.1016/j.jcrysgro.2006.09.043
15. X. W. Sun and H. S. Kwok, J. Appl. Phys. 0021-8979 86, 408 (1999). 10.1063/1.370744
16. J. J. Chen, T. J. Anderson, S. Jang, F. Ren, Y. J. Li, H. S. Kim, B. P. Gila, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 153, G462 (2006). 10.1149/1.2184047
17. M. Brandt, H. Wenckstern, H. Schmidt, A. Rahm, G. Biehne, G. Benndorf, H. Hochmuth, M. Lorenz, C. Meinecke, T. Butz, and M. Grundmann, J. Appl. Phys. 0021-8979 104, 013708 (2008). 10.1063/1.2953066
18. K. Ip, Y. W. H. Baik, D. P. Norton, S. J. Pearton, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 84, 544 (2004). 10.1063/1.1644318
19. C. L. Tsai, Y. J. Lin, Y. M. Chin, W. -R. Liu, W. F. Hsieh, C. -H. Hsu, and J. A. Chu, J. Phys. D: Appl. Phys. 0022-3727 42, 095108 (2009). 10.1088/0022-3727/42/9/095108
20. Y. J. Lin, S. S. Chang, H. C. Chang, and Y. C. Liu, J. Phys. D: Appl. Phys. 0022-3727 42, 075308 (2009). 10.1088/0022-3727/42/7/075308
21. H. S. Yang, Y. Li, D. P. Norton, K. Ip, S. J. Pearton, S. Jang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 86, 192103 (2005). 10.1063/1.1925309
22. Ü. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doǧan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morko̧, J. Appl. Phys. 0021-8979 98, 041301 (2005). 10.1063/1.1992666
23. Y. J. Lin, C. L. Tsai, Y. M. Lu, and C. J. Liu, J. Appl. Phys. 0021-8979 99, 093501 (2006). 10.1063/1.2193649
24. S. Zhao, Z. Ji, C. Wang, and J. Du, Mater. Lett. 0167-577X 61, 897 (2007). 10.1016/j.matlet.2006.06.008
25. Z. Ji, S. Zhao, C. Wang, and K. Liu, Mater. Sci. Eng., B 0921-5107 117, 63 (2005). 10.1016/j.mseb.2004.10.016
26. Y. J. Lin, F. M. Yang, C. Y. Huang, W. Y. Chou, J. Chang, and Y. C. Lien, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 092127 (2007). 10.1063/1.2777147
27. S. Y. Kim, J. M. Baik, H. K. Yu, and J. L. Lee, J. Appl. Phys. 0021-8979 98, 093707 (2005). 10.1063/1.2123375
28. S. K. Hong, T. Hanada, H. Makino, Y. Chen, H. J. Ko, A. Tanaka, H. Sasaki, and S. Sato, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 78, 3349 (2001). 10.1063/1.1372339
29. M. Ruckh, D. Schmid, and H. W. Schock, J. Appl. Phys. 0021-8979 76, 5945 (1994). 10.1063/1.358417
30. S. K. Hong, T. Hanada, H. Makino, H. J. Ko, Y. Chen, T. Yao, A. Tanaka, H. Sasaki, S. Sato, D. Imai, K. Araki, and M. Shinohara, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 19, 1429 (2001). 10.1116/1.1374630
31. C. L. Wu, H. M. Lee, C. T. Kuo, S. Gwo, and C. H. Hsu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 91, 042112 (2007). 10.1063/1.2764448
32. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 52, 1794 (1988). 10.1063/1.99628
33. B. J. Coppa, C. C. Fulton, P. J. Hartlieb, R. F. Davis, B. J. Rodriguez, B. J. Shields, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 0021-8979 95, 5856 (2004). 10.1063/1.1695596
34. B. J. Coppa, C. C. Fulton, S. M. Kiesel, R. F. Davis, C. Pandarinath, J. E. Burnette, R. J. Nemanich, and D. J. Smith, J. Appl. Phys. 0021-8979 97, 103517 (2005). 10.1063/1.1898436
35. Q. L. Gu, C. K. Cheung, C. C. Ling, A. M. C. Ng, A. B. Djurišić, L. W. Lu, X. D. Chen, S. Fung, C. D. Beling, and H. C. Ong, J. Appl. Phys. 0021-8979 103, 093706 (2008). 10.1063/1.2912827
36. . Kili̧ and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 81, 73 (2002). 10.1063/1.1482783
37. P. F. Cai, J. B. You, X. W. Zhang, J. J. Dong, X. L. Yang, Z. G. Yin, and N. F. Chen, J. Appl. Phys. 0021-8979 105, 083713 (2009). 10.1063/1.3108543
38. D. C. Look, H. L. Mosbacker, Y. M. Strzhemechny, and L. J. Brillson, Superlattices Microstruct. 0749-6036 38, 406 (2005). 10.1016/j.spmi.2005.08.013
39. W. Mönch, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 17, 1867 (1999). 10.1116/1.590839
40. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 70, 3377 (1997). 10.1063/1.119176
41. X. H. Zhou, Q. H. Hu, and Y. Fu, J. Appl. Phys. 0021-8979 104, 063703 (2008). 10.1063/1.2978324
42. D. A. Neamen, Semiconductor Physics and Devices (McGraw-Hill, Boston, 2003).