Photoreflectance study of exciton energies and linewidths for homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers

Journal of Applied Physics

Volumn 105, Issue 9, 2009, Pages

  Kudrawiec, R ^a   Rudzinski M ^b   Serafinczuk, J ^a   Zajc, M ^b   Misiewicz, J ^a  

^a WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

^b AMMONO Sp Zoo   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

532 NM LASER; AMMONOTHERMAL METHOD; BROADENING PARAMETERS; EXCITON ENERGIES; EXCITON TRANSITION ENERGY; GAN CRYSTALS; GAN EPILAYERS; GAN LAYERS; HETEROEPITAXIAL; HETEROEPITAXIAL LAYERS; HOMOEPITAXIAL; HOMOEPITAXIAL LAYERS; LASER LIGHTS; PHOTOLUMINESCENCE SIGNALS; PHOTON ENERGY; PHOTOREFLECTANCE; PHOTOREFLECTANCE SPECTRA; RESIDUAL STRAINS; SURFACE BAND BENDING; TEMPERATURE DEPENDENCE;

CORUNDUM; ELECTRIC FIELDS; EXCITONS; GALLIUM ALLOYS; LINEWIDTH; SEMICONDUCTING GALLIUM;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 67249089561     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3125508     Document Type: Article

References (26)

1. K. P. Korona, A. Wysmoek, K. Pakua, R. Stpniewski, J. M. Baranowski, I. Grzegory, B. ucznik, M. Wróblewski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 69, 788 (1996). 10.1063/1.117892
2. M. Cardona, Modulation Spectroscopy (Academic, New York, 1969).
3. W. Shan, T. Schmidt, X. H. Yang, J. J. Song, and B. Goldengerg, J. Appl. Phys. 0021-8979 79, 3691 (1996). 10.1063/1.361200
4. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 0021-8979 79, 2784 (1996). 10.1063/1.361110
5. M. Tchounkeu, O. Briot, B. Gil, J. P. Alexis, and R. -L. Aulombard, J. Appl. Phys. 0021-8979 80, 5352 (1996). 10.1063/1.363475
6. A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 0021-8979 81, 417 (1997). 10.1063/1.364074
7. C. F. Li, Y. S. Huang, L. Malikova, and F. H. Pollak, Phys. Rev. B 0163-1829 55, 9251 (1997). 10.1103/PhysRevB.55.9251
8. Y. S. Huang, F. H. Pollak, S. S. Park, K. Y. Lee, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 0021-8979 94, 899 (2003). 10.1063/1.1582230
9. R. Kudrawiec, G. Sk, J. Misiewicz, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, and M. Taczaa, Mater. Sci. Eng., B 0921-5107 96, 284 (2002). 10.1016/S0921-5107(02) 00380-X
10. R. Kudrawiec, M. Syperek, M. Motyka, J. Misiewicz, R. Paszkiewicz, B. Paszkiewicz, and M. Taczaa, J. Appl. Phys. 0021-8979 100, 013501 (2006). 10.1063/1.2206707
11. R. T. Dwilinski, R. M. Doradzinski, J. S. Garczynski, L. P. Sierzputowski, and Y. Kanbara, WIPO Patent No. 02\04185 (17 December 2002).
12. R. T. Dwilinski, R. M. Doradzinski, J. Garczynski, L. P. Sierzputowski, and Y. Kanbara, UPRP Patent No. 2005\00036 (10 June 2005).
13. R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczyński, L. P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, and H. Hayashi, J. Cryst. Growth 0022-0248 310, 3911 (2008). 10.1016/j.jcrysgro.2008.06.036
14. R. Kudrawiec, J. Misiewicz, M. Rudziński, and M. Zajac, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 93, 061910 (2008). 10.1063/1.2972030
15. M. Rudzinski (in preparation).
16. P. J. Klar, C. M. Townsley, D. Wolverson, J. J. Davies, D. E. Ashenford, and B. Lunn, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10, 1568 (1995). 10.1088/0268-1242/10/12/004
17. D. E. Aspnes, Surf. Sci. 0039-6028 37, 418 (1973). 10.1016/0039-6028(73) 90337-3
18. A. K. Viswanath, J. I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, and C. -H. Hong, J. Appl. Phys. 0021-8979 84, 3848 (1998). 10.1063/1.368564
19. K. Pakua, A. Wysmoek, K. P. Korona, J. M. Baranowski, R. Stpniewski, I. Grzegory, M. Boćkowski, J. Jun, S. Kurkowski, M. Wróblewski, and S. Porowski, Solid State Commun. 0038-1098 97, 919 (1996). 10.1016/0038-1098(95) 00816-0
20. Y. P. Varshni, Physica (Amsterdam) 0031-8914 34, 149 (1967). 10.1016/0031-8914(67)90062-6
21. S. Logothetidis, M. Cardona, P. Lantenschlager, and M. Garriga, Phys. Rev. B 0163-1829 34, 2458 (1986). 10.1103/PhysRevB.34.2458
22. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 0021-8979 94, 3675 (2003). 10.1063/1.1600519
23. A. Kaneta and S. Adachi, J. Phys. D 0022-3727 32, 2337 (1999) 10.1088/0022-3727/32/18/304; A. Kaneta and S. Adachi, J. Phys. D 0022-3727 33, 901 (2000) 10.1088/0022-3727/33/8/303; A. Imada, S. Ozaki, and S. Adachi, J. Appl. Phys. 0021-8979 92, 1793 (2002) 10.1063/1.1493655; T. Mishima, M. Miura, S. Ozaki, and S. Adachi, J. Appl. Phys. 0021-8979 91, 4904 (2002). 10.1063/1.1461067
24. P. Sitarek, R. Kudrawiec, G. Sek, J. Misiewicz, R. Paszkiewicz, R. Korbutowicz, B. Paszkiewicz, and M. Tlaczala, Mater. Sci. Eng., B 0921-5107 82, 209 (2001). 10.1016/S0921-5107(00)00774-1
25. R. Kudrawiec, R. Korbutowicz, R. Paszkiewicz, M. Syperek, and J. Misiewicz, Opto-Electron. Rev. 12, 73 (2004).
26. A. J. Fischer, W. Shan, J. J. Song, Y. C. Chang, R. Horning, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 71, 1981 (1997). 10.1063/1.119761