Room temperature photoreflectance of different electron concentration GaN epitaxial layers

Materials Science and Engineering: B

Volumn 96, Issue 3, 2002, Pages 284-288

  Kudrawiec, R ^a   Sek, G ^a   Misiewicz, J ^a   Paszkiewicz, R ^a   Paszkiewicz, B ^a   Tlaczala M ^a  

^a WROCLAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Poland)

Author keywords

GaN; Photoreflectance; Transitions

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; ELECTRIC FIELDS; ELECTRON TRANSITIONS; EXCITONS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY;

PHOTOREFLECTANCE (PR) SPECTROSCOPY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 0036895763     PISSN: 09215107     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0921-5107(02)00380-X     Document Type: Article

References (28)

1. See for example, S. Nakamura, G. Fasol, The Blue Laser Diode, Springer, Berlin, 1997.
2. See, for example, A.K. Viswanath, J.I. Lee, S. Yu, D. Kim, Y. Choi, C. Hong, J. Appl. Phys. 84 (1998) 3848, and references therein.
3. Chichibu S., Okumura H., Nakamura S., Feuillet G., Azuhata T., Sota T., Yoshida S. Jpn. J. Appl. Phys. Part 1. 36:1997;1976.
4. Fischer A.J., Shan W., Song J.J., Chang Y.C., Horning R., Goldenberg B. Appl. Phys. Lett. 71:1997;1981.
5. Liu W., Li M.F., Chua S.J., Zhang Y.H., Uchida K. Appl. Phys. Lett. 71:1997;2511.
6. Korona K.P., Wysmolek A., Pakula K., Stepniewski R., Baranowski J.M., Grzegory I., Lucznik B., Wroblewski M., Porowski S. Appl. Phys. Lett. 69:1996;788.
7. Chichibu S., Azuhata T., Sota T., Nakamura S. J. Appl. Phys. 79:1996;2784.
8. Shan W., Schmidt T.J., Yang X.H., Hwang S.J., Song J.J., Goldenberg B. Appl. Phys. Lett. 66:1995;985.
9. Smith M., Lin J.Y., Jiang H.X., Khan M.A. Appl. Phys. Lett. 71:1997;635.
10. Tchounkeu M., Briot O., Gil B., Alexis J.P. J. Appl. Phys. 80:1996;5352.
11. Ochalski T.J., Gil B., Lefebvre P., Grandjean N., Massies J., Leroux M. Solid State Commun. 109:1999;567.
12. Behn U., Thamm A., Brandt O., Grahn H.T. Phys. Stat. Sol. (a). 180:2000;381.
13. Liu W., Li M., Chua S., Akutsu N., Matsumoto K. J. Electron. Mater. 28:1999;360.
14. Liu W., Li M.F., Chua S.J., Akutsu N., Matsumoto K. Semicond. Sci. Technol. 14:1999;399.
15. Sitarek P., Kudrawiec R., Sek G., Misiewicz J., Paszkiewicz R., Korbutowicz R., Paszkiewicz B., Tłaczała M. Mater. Sci. Eng. B82:2001;209.
16. Paszkiewicz R., Korbutowicz R., Panek M., Paszkiewicz B., Tlaczala M., Novikov S.V. Kordos P., Novak J. Heterostructure Epitaxy and Devices-HEAD'97. 48:1998;98 Kluwer Academic Publishers.
17. Ciorga M., Bryja L., Misiewicz J., Paszkiewicz R., Korbutowicz R., Panek M., Paszkiewicz B., Tłaczała M. Mater. Sci. Eng. B59:1999;16.
18. Paszkiewicz B. J. Cryst. Growth. 230:2001;590.
19. Aspnes D.E. Moss T.S. Handbook on Semiconductors. 2:1980;109 North-Holland, Amsterdam. Chapter 4A.
20. Aspnes D.E. Surf. Sci. 37:1973;418.
21. Zhu C.F., Fong W.K., Leung B.H., Surya C. Appl. Phys. A. 72:2001;495.
22. Zhang X., Chua S.J., Liu W., Chong K.B. Appl. Phys. Lett. 72:1998;1890.
23. Dingle R., Sell D.D., Stokowski S.E., Ilegems M. Phys. Rev. B. 4:1971;1211.
24. Gil B., Briot O., Aulombard R.L. Phys. Rev. B. 52:1995;R17-R28.
25. Basu P.K. Theory of Optical Processes in Semiconductors. 1997;292 Clarendon Press, Oxford. Chapter 4.
26. Hopfield J.J. J. Chem. Solids. 15:1960;97.
27. Edwards N.V., Bremser M.D., Batchelor A.D., Buyanova I.A., Madsen L.D., Yoo S.D., Wethkamp T., Wilmers K., Cobet C., Esser N., Davis R.F., Aspnes D.E., Monemar B. Thin Solid Films. 364:2000;98.
28. Deleporte E., Guenaud C., Voos M., Beaumont B., Gibart P. J. Appl. Phys. 89:2001;1116.