Strain relaxation properties of InAs yP 1-y metamorphic materials grown on InP substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 105, Issue 6, 2009, Pages

  Hudait, Mantu K ^a,b   Lin, Y ^a   Ringel, S A ^a  

^a The Ohio State University   (United States)

^b INTEL CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEFECT PROPERTIES; DISLOCATION GLIDES; GRADED BUFFERS; GRADED STRUCTURES; HIGH RESOLUTION X-RAY DIFFRACTIONS; INAS; INP; INP SUBSTRATES; LATTICE MISFITS; LATTICE-MATCHED; METAMORPHIC BUFFERS; METAMORPHIC DEVICES; METAMORPHIC MATERIALS; METAMORPHIC STRUCTURES; OVERLAYERS; RELAXATION PROPERTIES; RESIDUAL DISLOCATIONS; SINGLE STEPS; STRAIN RELAXATION MECHANISMS; STRAIN-RELAXED; THREADING DISLOCATION DENSITIES;

CRYSTAL GROWTH; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM; INDIUM ARSENIDE; LATTICE CONSTANTS; MOLECULAR BEAMS; MOLECULAR DYNAMICS; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTING INDIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; STRAIN CONTROL; STRAIN RELAXATION; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

SUBSTRATES;

EID: 63749120774     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3098232     Document Type: Article

References (43)

1. M. K. Hudait, Y. Lin, M. N. Palmisiano, C. A. Tivarus, J. P. Pelz, and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1667006 95, 3952 (2004).
2. M. K. Hudait, Y. Lin, M. N. Palmisiano, and S. A. Ringel, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/LED.2003.816591 24, 538 (2003).
3. M. W. Wanlass, J. J. Carapella, A. Duda, K. Emery, L. Gedvilas, T. Moriarty, S. Ward, J. D. Webb, and X. Wu, Fourth NREL Conference on TPV Generation of Electricity, AIP, 1999, Vol. 460, p. 132.
4. N. S. Fatemi, D. M. Wilt, R. W. Hoffman, Jr., M. A. Stan, V. G. Weizer, P. P. Jenkins, O. S. Khan, C. S. Murray, D. Scheiman, and D. Brinker, Fourth NREL Conference on TPV Generation of Electricity, AIP, 1999, Vol. 460, p. 121.
5. B. Wernsman, T. Bird, M. Sheldon, S. D. Link, and R. Wehrer, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.2192535 24, 1626 (2006).
6. S. L. Murray, F. D. Newman, D. M. Wilt, M. W. Wanlass, P. Ahrenkiel, R. Messham, and R. R. Siergiej, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/18/5/309 18, S202 (2003).
7. A. Krier, D. Chubb, S. E. Krier, M. Hopkinson, and G. Hill, IEE Proc.: Optoelectron. 1350-2433 10.1049/ip-opt:19982308 145, 292 (1998); R. U. Martinelli, T. J. Zamerowski, and P. A. Longeway, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.100989 54, 277 (1989).
8. M. D'Hondt, I. Moreman, P. Van Daele, and P. Demeester, IEE Proc.: Optoelectron. 1350-2433 10.1049/ip-opt:19971412 144, 277 (1997).
9. K. R. Linga, G. H. Olen, V. S. Ban, A. M. Joshi, and W. F. Kosonocky, J. Lightwave Technol. 0733-8724 10.1109/50.156844 10, 1050 (1992).
10. M. D. Lange, A. Cavus, C. Monier, R. S. Sandhu, T. R. Block, V. F. Gambin, D. J. Sawdai, and A. L. Gutierrez-Aitken, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1752917 22, 1570 (2004).
11. R. S. Goldman, K. L. Kavanagh, H. H. Wieder, S. N. Ehrlich, and R. M. Feenstra, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.367331 83, 5137 (1998) and references therein.
12. R. S. Goldman, H. H. Wieder, and K. L. Kavanagh, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.115439 67, 344 (1995).
13. R. S. Goldman, H. H. Wieder, K. L. Kavanagh, K. Rammohan, and D. H. Rich, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.112071 65, 1424 (1994).
14. B. R. Bennett and J. A. DelAlamo, J. Electron. Mater. 0361-5235 10.1007/BF03030210 20, 1075 (1991).
15. V. Krishnamoorthy, Y. W. Lin, L. Calhoun, H. L. Liu, and R. M. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.108107 61, 2680 (1992).
16. J. A. Olsen, E. L. Hu, S. R. Lee, I. J. Fritz, J. Howard, B. E. Hammons, and J. Y. Tsao, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.361410 79, 3578 (1996).
17. J. -I. Chyi, J. -L. Shieh, J. -W. Pan, and R. -M. Lin, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.362555 79, 8367 (1996).
18. J. -M. Chauveau, Y. Androussi, A. Lefebvre, J. Di Persio, and Y. Cordier, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1544074 93, 4219 (2003).
19. M. J. Matragrano, D. G. Ast, J. R. Shealy, and V. Krishnamoorthy, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.362556 79, 8371 (1996).
20. K. L. Kavanagh, J. C. P. Chang, J. Chen, J. M. Fernandez, and H. H. Wieder, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.586205 10, 1820 (1992).
21. A. Y. Kim, W. S. McCullough, and E. A. Fitzgerald, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.590779 17, 1485 (1999).
22. M. K. Hudait, Y. Lin, D. M. Wilt, J. S. Speck, C. A. Tivarus, E. R. Heller, J. P. Pelz, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1572476 82, 3212 (2003).
23. M. K. Hudait, Y. Lin, P. M. Sinha, J. R. Lindemuth, and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2349358 100, 063705 (2006).
24. Y. Lin, J. A. Carlin, A. R. Arehart, A. M. Carlin, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2430403 90, 012115 (2007).
25. Y. Lin, A. R. Arehart, A. M. Carlin, and S. A. Ringel, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2970045 93, 062109 (2008).
26. M. W. Wanlass, J. S. Ward, K. A. Emery, M. M. Al-Jassim, K. M. Jones, and T. J. Coutts, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 41-42, 405 (1996). 0927-0248
27. E. A. Fitzgerald, A. Y. Kim, M. T. Currie, T. A. Langdo, G. Taraschi, and M. T. Bulsara, Mater. Sci. Eng., B 0921-5107 10.1016/S0921-5107(99)00209-3 67, 53 (1999).
28. C. Priester and G. Grenet, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.61. 16029 61, 16029 (2000).
29. F. Romanato, E. Napolitani, A. Carnera, A. V. Drigo, L. Lazzarini, G. Salviati, C. Ferrari, A. Bosacchi, and S. Franchi, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371439 86, 4748 (1999).
30. S. I. Molina, F. J. Pacheco, D. Araujo, R. Garcia, A. Sacedon, E. Calleja, Z. Yang, and P. Kidd, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.112707 65, 2460 (1994).
31. J. C. P. Chang, J. Chen, J. M. Fernandez, H. H. Wieder, and K. L. Kavanagh, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.106429 60, 1129 (1992).
32. M. S. Goorsky, J. W. Eldredge, S. M. Lord, and J. S. Harris, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.587080 12, 1034 (1994).
33. S. P. Ahrenkiel, M. W. Wanlass, J. J. Carapella, L. M. Gedvilas, B. M. Keyes, R. K. Ahrenkiel, and H. R. Moutinho, J. Electron. Mater. 0361-5235 10.1007/s11664-004-0178-7 33, 185 (2004).
34. M. W. Dashiell, H. Ehsani, P. C. Sander, F. D. Newman, C. A. Wang, Z. A. Shellenbarger, D. Donetski, N. Gu, and S. Anikeev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 92, 1003 (2008). 0927-0248
35. T. Okada, R. V. Kruzelecky, G. C. Weatherly, D. A. Thompson, and B. J. Robinson, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.110196 63, 3194 (1993).
36. T. Marschner, M. R. Leys, H. Vonk, and J. H. Wolter, Physica E (Amsterdam) 1386-9477 10.1016/S1386-9477(98)00178-7 2, 873 (1998).
37. S. -W. Ryu, H. -D. Kim, S. -K. Park, W. G. Jeong, and B. -D. Choe, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.36.L79 36, L79 (1997).
38. M. Dynna, T. Okada, and G. C. Weatherly, Acta Metall. Mater. 0956-7151 10.1016/0956-7151(94)90376-X 42, 1661 (1994).
39. V. Swaminathan and A. T. Macrander, Materials Aspects of GaAs and InP Based Structures (Prentice-Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1991).
40. H. Ehsani, I. Bhat, R. J. Gutmann, G. Charache, and M. Freeman, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.370811 86, 835 (1999).
41. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, J. F. Morar, and P. D. Kirchner, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.350803 71, 4230 (1992); F. K. LeGoues, P. M. Mooney, and J. O. Chu, Appl. Phys. (Berlin) 62, 140 (1993). 0340-3793
42. E. A. Fitzgerald, Y. -H. Xie, D. Monroe, P. J. Silvennan, J. -M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, B. E. Weir, and L. C. Feldman, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.586204 10, 1807 (1992).
43. Y. X. Chen, C. Y. Cui, Z. Q. Liu, L. L. He, J. T. Guo, and D. X. Li, J. Mater. Res. 15, 1261 (2000). 0884-2914