Photoluminescence studies of impurity transitions in Mg-doped AlGaN alloys

Applied Physics Letters

Volumn 94, Issue 9, 2009, Pages

  Nakarmi, M L ^a   Nepal, N ^b   Lin, J Y ^b   Jiang, H X ^b  

^a CITY UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^b KANSAS STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; ALUMINUM; CERIUM ALLOYS; EMISSION SPECTROSCOPY; GALLIUM NITRIDE; PHOTOLUMINESCENCE; SECONDARY BATTERIES; SEMICONDUCTING GALLIUM;

ALGAN; DEEP DONORS; DEEP LEVELS; DEEP ULTRAVIOLETS; EMISSION PEAKS; ENERGY LEVELS; FREE HOLES; HIGH DENSITIES; IMPURITY TRANSITIONS; MG-DOPED; NITROGEN VACANCIES; P -TYPE CONDUCTIVITIES; POSITIVE CHARGES;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 62149144692     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3094754     Document Type: Article

References (28)

1. K. Mayes, A. Yasan, R. McClintock, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 84, 1046 (2004).
2. J. P. Zhang, X. Hu, Yu. Bilenko, J. Deng, A. Lunev, M. S. Shur, R. Gaska, M. Shatalov, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 85, 5532 (2004).
3. A. J. Fischer, A. A. Allerman, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, R. J. Kaplar, and W. W. Chow, Proc. SPIE 5530, 38 (2004).
4. M. L. Nakarmi, K. H. Kim, M. Khizar, Z. Y. Fan, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 86, 092108 (2005).
5. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature (London) 441, 325 (2006).
6. J. Li, Z. Y. Fan, R. Dahal, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 89, 213510 (2006).
7. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).
8. I. Akasaki and H. Amano, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242, 383 (1991).
9. M. Suzuki, J. Nishio, M. Onomura, and C. Hongo, J. Cryst. Growth 189, 511 (1998).
10. L. Sugiura, M. Suzuki, J. Nishio, K. Itaya, Y. Kokubun, and M. Ishikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 3878 (1998).
11. J. Li, T. N. Oder, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 80, 1210 (2002).
12. T. Obata, H. Hirayama, Y. Aoyagi, and K. Ishibashi, Phys. Status Solidi A 201, 2803 (2004).
13. S. R. Jeon, Z. Ren, G. Cui, J. Su, M. Gherasimova, J. Han, H. K. Cho, and L. Zhou, Appl. Phys. Lett. 86, 082107 (2005).
14. H. Yu, W. Strupinski, S. Butun, and E. Ozbay, Phys. Status Solidi A 5, 868 (2006).
15. A. Chakraborty, C. G. Moe, Y. Wu, T. Mates, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 101, 053717 (2007).
16. K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 83, 878 (2003).
17. M. L. Nakarmi, N. Nepal, C. Ugolini, T. M. Altahtamouni, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 89, 152120 (2006).
18. C. Stampfl and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 65, 155212 (2003).
19. C. G. Van de Walle and J. Neugebauer, J. Appl. Phys. 95, 3851 (2004).
20. F. Shahedipour and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett. 76, 3011 (2000).
21. U. Kaufmann, M. Kunzer, M. Maier, H. Obloh, A. Ramakrishnan, B. Santic, and P. Schlotter, Appl. Phys. Lett. 72, 1326 (1998).
22. U. Kaufmann, M. Kunzer, H. Obloh, M. Maier, Ch. Manz, A. Ramakrishnan, and B. Santic, Phys. Rev. B 59, 5561 (1999).
23. Y. H. Kwon, S. K. Shee, G. H. Gainer, G. H. Park, S. J. Hwang, and J. J. Song, Appl. Phys. Lett. 76, 840 (2000).
24. M. A. Reshchikov, G.-C. Yi, and B. W. Wessels, Phys. Rev. B 59, 13176 (1999).
25. F. Shahedipour and B. W. Wessels, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 6, 12 (2001).
26. K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 86, 222108 (2005).
27. N. Nepal, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 89, 092107 (2006).
28. T. L. Tansley and R. J. Egan, Phys. Rev. B 45, 10942 (1992).