Impacts of anisotropic lattice relaxation on crystal mosaicity and luminescence spectra of m-plane AlxGa1-xN films grown on m-plane freestanding GaN substrates by NH3 source molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 94, Issue 7, 2009, Pages

  Hoshi, T ^a   Hazu, K ^a   Ohshita, K ^a   Kagaya, M ^a   Onuma, T ^a   Fujito, K ^b   Namita, H ^b   Chichibu, S F ^a  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; ANISOTROPY; CRYSTAL GROWTH; EMISSION SPECTROSCOPY; GALLIUM NITRIDE; LATTICE MISMATCH; LUMINESCENCE; METALLIC FILMS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; MOLECULAR DYNAMICS; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES; SUBSTRATES;

ANISOTROPIC LATTICES; COHERENT GROWTHS; EXCITONIC EMISSIONS; FREESTANDING GAN SUBSTRATES; GAN FILMS; HOMOEPITAXIAL; IN PLANES; LUMINESCENCE SPECTRUM; MOSAICITY; NEAR-BAND EDGE EMISSIONS; OVERLAYERS; ROOM TEMPERATURES; SELECTION RULES; THERMAL MISMATCHES;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 60749099840     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3089248     Document Type: Article

References (23)

1. H. Morkoc, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Burns, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.358463 76, 1363 (1994).
2. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.843146 21, 268 (2000).
3. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1493220 81, 469 (2002).
4. Q. Sun, S. -Y. Kwon, Z. Ren, J. Han, T. Onuma, S. F. Chichibu, and S. Wang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2841671 92, 051112 (2008).
5. B. A. Haskell, F. Wu, S. Matsuda, M. D. Craven, P. T. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1604174 83, 1554 (2003).
6. K. Fujito, K. Kiyomi, T. Mochizuki, H. Oota, H. Namita, S. Nagao, and I. Fujimura, Phys. Status Solidi A 0031-8965 10.1002/pssa.200778709 205, 1056 (2008).
7. K. Okamoto, H. Ohta, D. Nakagawa, M. Sonobe, J. Ichihara, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.45.L1197 45, L1197 (2006); M. C. Schmidt, K. -C. Kim, H. Sato, N. Fellows, H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.46.L126 46, L126 (2007).
8. K. Okamoto, H. Ohta, S. F. Chichibu, J. Ichihara, and H. Takasu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.46.L187 46, L187 (2007); M. C. Schmidt, K. -C. Kim, R. M. Farrell, D. F. Feezell, D. A. Cohen, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.46.L190 46, L190 (2007).
9. C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, and M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.42.L1039 42, L1039 (2003).
10. M. Tsuda, H. Furukawa, A. Honshio, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.45.2509 45, 2509 (2006).
11. S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, and H. Ohta, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2842387 92, 091912 (2008); S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, K. Okamoto, and H. Ohta, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2991440 93, 129901 (E) (2008).
12. S. F. Chichibu, H. Yamaguchi, L. Zhao, M. Kubota, T. Onuma, K. Okamoto, and H. Ohta, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2998580 93, 151908 (2008).
13. T. Onuma, T. Koyama, A. Chakraborty, M. McLaurin, B. A. Haskell, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, S. Nakamura, U. K. Mishra, T. Sota, and S. F. Chichibu, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.2746354 25, 1524 (2007).
14. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.361110 79, 2784 (1996).
15. P. P. Paskov, R. Schifano, B. Monemar, T. Paskova, S. Figge, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2128496 98, 093519 (2005).
16. P. Scherrer, Nachr. Ges. Wiss. Goettingen, Math.-Phys. Kl. 2, 98 (1918).
17. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.96206 47, 322 (1985).
18. R. Armitage, M. Horita, J. Suda, and T. Kimoto, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2435806 101, 033534 (2007).
19. T. Onuma, T. Shibata, K. Kosaka, K. Asai, S. Sumiya, M. Tanaka, T. Sota, A. Uedono, and S. F. Chichibu, J. Appl. Phys. 105, 023529 (2009).
20. T. Onuma, S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Sota, P. Cantu, T. M. Katona, J. F. Keading, S. Keller, U. K. Mishra, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1644041 95, 2495 (2004).
21. T. Koyama, M. Sugawara, T. Hoshi, A. Uedono, J. F. Kaeding, R. Sharma, S. Nakamura, and S. F. Chichibu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2748315 90, 241914 (2007).
22. A. Dadgar, A. Krost, J. Christen, B. Bastek, F. Bertram, A. Krtschil, T. Hempel, J. Bläsing, U. Haboeck, and A. Hoffmann, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/j.jcrysgro.2006.09.046 297, 306 (2006).
23. J. Bhattacharyya, S. Ghosh, and H. T. Grahn, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2965119 93, 051913 (2008).