Visible-blind metal-semiconductor-metal photodetectors by capping an in situ low-temperature AlN layer

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 10, 2008, Pages

  Lee, K H ^a   Chang, P C ^b   Chang, S J ^a   Yu, C L ^a   Wang, Y C ^a   Wu, S L ^c  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

^c CHENG SHIU UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CONDUCTIVITY; HETEROJUNCTIONS; MARKOV PROCESSES; METALS; NITRIDES; OPTOELECTRONIC DEVICES; SEMICONDUCTOR MATERIALS;

APPLIED BIAS; ATOMIC-FORCE MICROSCOPY; CA-P LAYER; DARK CURRENTS; IN-SITU; LOW TEMPERATURES; METAL-SEMICONDUCTOR-METAL PHOTO DETECTORS; REJECTION RATIOS; SAMPLE SURFACES; SCAN IMAGES; SURFACE PITTING;

PHOTODETECTORS;

EID: 51849110773     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2966214     Document Type: Article

References (22)

1. N. Biyikli, T. Kartaloglu, O. Aytur, I. Kimukin, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett., 79, 2838 (2001).
2. N. Biyikli, I. Kimukin, T. Kartaloglu, O. Aytur, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett., 82, 2344 (2003).
3. I. S. Seoa, I. H. Lee, Y. J. Parkb, and C. R. Lee, J. Cryst. Growth, 252, 51 (2003).
4. I. S. Seoa, I. H. Lee, Y. J. Parkb, and C. R. Lee, Phys. Status Solidi A, 176, 147 (1999).
5. H. Jiang, N. Nakata, G. Y. Zhao, H. Ishikawa, C. L. Shao, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 40, L505 (2001).
6. S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, J. R. Chiou, B. R. Huang, C. S. Chang, and J. F. Chen, J. Electrochem. Soc., 150, C77 (2003).
7. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett., 73, 3893 (1998).
8. C. Wang, N. Maeda, M. Hiroki, T. Kobayashi, and T. Enoki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 44, 7889 (2005).
9. L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett., 77, 3788 (2000).
10. A. T. Collins, E. C. Lightowlers, and P. J. Dean, Phys. Rev., 158, 833 (1967).
11. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett., 74, 2367 (1999).
12. P. C. Chang, Appl. Phys. Lett., 91, 051112 (2007).
13. V. Adivarahan, G. Simin, J. W. Yang, A. Lunev, M. Asif Khan, N. Pala, M. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 77, 863 (2000).
14. N. Biyikli, O. Aytur, I. Kimukin, T. Tut, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett., 81, 3272 (2002).
15. M. Misra, D. Doppalapudi, A. V. Sampath, and T. D. Moustakas, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G7.8 (1999).
16. Q. Chen, J. W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M. Z. Anwar, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 70, 2277 (1997).
17. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed., p. 747, John Wiley & Sons, New York (1981).
18. C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol., 20, 485 (2005).
19. Y. Z. Chiou, Y. K. Su, S. J. Chang, J. Gong, C. S. Chang, and S. H. Liu, J. Electron. Mater., 32, 395 (2002).
20. D. Walker, E. Monroy, P. Kung, J. Wu, M. Hamilton, F. J. Sanchez, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 74, 762 (1999).
21. Y. K. Su, P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, C. L. Yu, C. T. Lee, H. Y. Lee, J. Gong, P. C. Chen, and C. H. Wang, Solid-State Electron., 49, 459 (2005).
22. T. Li, D. J. H. Lambert, A. L. Beck, C. J. Collins, B. Yang, M. M. Wong, U. Chowdhury, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, Electron. Lett., 36, 1581 (2000).