GaN ultraviolet photosensors capped by low-temperature aluminium nitride layer

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 5, 2007, Pages

  Chang, P C ^a  

^a NAN JEON INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; SCANNING PROBE MICROSCOPY;

ALUMINIUM NITRIDE; GAN UV SENSORS; SURFACE PITS; THREADING DISLOCATIONS;

OPTICAL SENSORS;

EID: 34547700241     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2757606     Document Type: Article

References (19)

1. N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 1718 (2004).
2. M. L. Lee and J. K. Sheu, J. Electrochem. Soc. 154, H182 (2007).
3. S. J. Chang, C. L. Yu, R. W. Chuang, P. C. Chang, P. C. Chang, Y. C. Lin, Y. W. Jhan, and C. H. Chen, IEEE Sens. J. 6, 1043 (2006).
4. C. L. Yu, C. H. Chen, S. J. Chang, and P. C. Chang, J. Electrochem. Soc. 154, J71 (2007).
5. C. L. Yu, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, S. C. Chen, P. C. Chang, P. C. Chen, M. H. Wu, H. C. Chen, and K. C. Su, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 875 (2005).
6. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
7. A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, H. Cho, K. P. Lee, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, IEEE Trans. Electron Devices 48, 407 (2001).
8. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
9. L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 77, 3788 (2000).
10. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001).
11. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 88, 1983 (2000).
12. P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, and C. L. Yu, B. R. Huang, and P. C. Chen, Thin Solid Films 498, 133 (2006).
13. S. J. Chang, T. K. Ko, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, S. C. Shei, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. C. Lin, W. S. Chen, and C. F. Shen, IEEE Sens. J. 6, 406 (2006).
14. C. L. Yu, P. C. Chang, S. J. Chang, and S. L. Wu, Electrochem. Solid-State Lett. 10, H171 (2007).
15. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Spect, Appl. Phys. Lett. 72, 2247 (1998).
16. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999).
17. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
18. V. Aubry and F. Meyer, J. Appl. Phys. 76, 7973 (1994).
19. M. L. Lee, J. K. Sheu, W. C. Lai, Y. K. Su, S. J. Chang, C. J. Kao, C. J. Tun, M. G. Chen, W. H. Chang, G. C. Chi, and J. M. Tsai, J. Appl. Phys. 94, 1753 (2003).