Low operation voltage of nitride-based LEDs with Al-doped ZnO transparent contact layer

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 11, Issue 9, 2008, Pages

  Kuo, C H ^a   Yeh, C L ^a   Chen, P H ^b   Lai, W C ^b   Tun, C J ^c   Sheu, J K ^b   Chi, G C ^a  

^a NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^c NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM; GALLIUM NITRIDE; INJECTION (OIL WELLS); NITRIDES; OPTICAL PROPERTIES; PHYSICAL OPTICS; PLASMA DEPOSITION; REFRACTIVE INDEX; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTING ZINC COMPOUNDS; SPUTTERING; TIN; TITANIUM COMPOUNDS; ZINC ALLOYS; ZINC OXIDE;

AL-DOPED ZNO (ZNO:AL); CONTACT LAYERS; ELECTROCHEMICAL SOCIETY (ECS); HIGH OUTPUT POWER; HIGH REFRACTIVE INDEX; INDIUM TIN OXIDE (ITO); INJECTION CURRENTS; LIGHT EXTRACTIONS; LIGHT-EMITTING DIODES; LOW OPERATION VOLTAGE; MULTI QUANTUM WELL (MQW); OUTPUT POWERS; PLASMA DAMAGE; TRANSPARENT CONTACT LAYER (TCL);

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 48249085327     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2953680     Document Type: Article

References (18)

1. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 3976 (1999).
2. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 37, L1358 (1998).
3. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E. L. Hu, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004).
4. S. I. Na, G. Y. Ha, D. S. Han, S. S. Kim, J. Y. Kim, J. H. Lim, D. J. Kim, K. I. Min, and S. J. Park, IEEE Photonics Technol. Lett., 18, 1512 (2006).
5. C. H. Kuo, C. C. Lin, S. J. Chang, Y. P. Hsu, J. M. Tsai, W. C. Lai, and P. T. Wang, IEEE Electron Device Lett., 52, 2346 (2005).
6. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, W. C. Lai, C. H. Kuo, Y. P. Hsu, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, J. C. Ke, and J. K. Sheu, IEEE Photonics Technol. Lett., 16, 1002 (2004).
7. C. H. Kuo, S. J Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, C. S. Chang, L. W. Wu, W. C. Lai, J. F. Chen, J. K. Sheu, H. M. Lo, and J. M. Tsai, Mater. Sci. Eng., B, 106, 69 (2004).
8. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, L1431 (2002).
9. D. S. Han, J. Y. Kim, S. I. Na, S. H. Kim, K. D. Lee, B. Kim, and S. J. Park, IEEE Photonics Technol. Lett., 18, 1406 (2006).
10. C. J. Tun, J. K. Sheu, B. J. Pong, M. L. Lee, M. Y. Lee, C. K. Hsieh, C. C. Hu, and G. C. Chi, IEEE Photonics Technol. Lett., 18, 274 (2006).
11. J. K. Sheu, Y. S. Lu, M. L. Lee, W. C. Lai, C. H. Kuo, and C. J. Tun, Appl. Phys. Lett., 90, 263511 (2007).
12. J. O. Song, K. K. Kim, S. J. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett., 83, 479 (2003).
13. S. P. Jung, D. Ullery, C. H. Lin, H. P. Lee, J. H. Lim, D. K. Hwang, J. Y. Kim, E. J. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 87, 181107 (2005).
14. J. H. Lim, D. K. Hwang, H. S. Kim, J. Y. Oh, J. H. Yang, R. Navamathavan, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 85, 6191 (2004).
15. K. Nakahara, K. Tamura, M. Sakai, D. Nakagawa, N. Ito, M. Sonobe, H. Takasu, H. Tampo, P. Fons, K. Matsubara, K. Iwata, A. Yamada, and S. Niki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 43, L180 (2004).
16. S. J. Chang, L. W. Wu, Y. K. Su, Y. P. Hsu, W. C. Lai, J. M. Tsai, J. K. Sheu, and C. T. Lee, IEEE Photonics Technol. Lett., 16, 1447 (2004).
17. X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett., 75, 3569 (1999).
18. Y. B. Lee, R. Takaki, H. Sato, Y. Naoi, and S. Sakai, Phys. Status Solidi A, 200, 87 (2003).