High-performance GaN-based light-emitting diode using high-transparency NiAuAl -doped ZnO composite contacts

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 18, 2005, Pages 1-3

  Jung, Sung Pyo ^a   Ullery, Denise ^a   Lin, Chien Hung ^a   Lee, Henry P ^a   Lim, Jae Hong ^b   Hwang, Dae Kue ^b   Kim, Ja Yeon ^b   Yang, Eun Jeong ^b   Park, Seong Ju ^b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT STRUCTURE; EMISSION INTENSITY; OPERATING VOLTAGES; THERMAL ANNEALING;

ANNEALING; GALLIUM NITRIDE; NICKEL COMPOUNDS; ZINC OXIDE;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 27344449195     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2120913     Document Type: Article

References (15)

1. J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, and K. K. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).
2. J. K. Ho, C. S. Jong, C. N. Huang, C. C. Chiu, K. K. Shih, L. C. Chen, F. R. Chen, and J. J. Kai, J. Appl. Phys. 86, 4491 (1999).
3. L. C. Chen, F. R. Chen, J. J. Kai, L. Chang, J. K. Ho, C. S. Jong, C. C. Chiu, C. N. Huang, C. Y. Chen, and K. K. Shih, J. Appl. Phys. 86, 3826 (1999).
4. H. Kim, D. J. Kim, S. J. Park, and H. Hwang, J. Appl. Phys. 89, 1506 (2001).
5. C. H. Lin, D. L. Hibbard, A. Au, H. P. Lee, Z. J. Dong, F. J. Szalkowski, J. Chen, and C. Chen, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 639, G4.8.1 (2001).
6. S. M. Pan, R. C. Tu, Y. M. Fan, R. C. Yeh, and J. T. Hsu, IEEE Photonics Technol. Lett. 15, 646 (2003).
7. S. J. Chang, C. S. Chang, Y. K. Su, R. W. Chuang, W. C. Lai, C. H. Kuo, Y. P. Hsu, Y. C. Lin, S. C. Shei, H. M. Lo, J. C. Ke, and J. K. Sheu, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 1002 (2004).
8. E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, M. Guziewicz, R. Kruszka, A. Kudla, T. Ochalski, A. Barcz, T. Dietl, F. Matsukura, M. Sawicki, A. Wawro, M. Zielinski, J. Jasinski, and Z. Liliental-Weber, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 693, I13.1 (2001).
9. J. O. Song, K. K. Kim, S. J. Park, and T. Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 83, 479 (2003).
10. C. L. Tseng, M. J. Youh, G. P. Moore, M. A. Hopkins, R. Stevens, and W. N. Wang, Appl. Phys. Lett. 83, 3677 (2003).
11. K. Nakahara, K. Tamura, M. Sakai, D. Nakagawa, N. Ito, M. Sonobe, H. Takasu, H. Tampo, P. Fons, K. Matsubara, K. Iwata, A. Yamada, and S. Niki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, L180 (2004).
12. J. H. Lim, D. K. Hwang, H. S. Kim, J. Y. Oh, J. H. Yang, R. Navamathavan, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 6191 (2004).
13. Y. Igasaki and H. Kanma, Appl. Surf. Sci. 169-170, 508 (2001).
14. Y. S. Zhao, C. L. Jensen, R. W. Chuang, H. P. Lee, Z. J. Dong, and R. Shih, IEEE Electron Device Lett. 21, 212 (2000).
15. S. P. Jung, C. H. Lin, H. M. Chan, Z. Fan, J. G. Lu, and H. P. Lee, Phys. Status Solidi A 201, 2827 (2004).