Effect of pressure on the properties of phosphorus-doped p -type ZnO thin films grown by radio frequency-magnetron sputtering

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 16, 2008, Pages

  Hwang, Dae Kue ^a   Oh, Min Suk ^a   Choi, Yong Seok ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPING (ADDITIVES); FILM GROWTH; HALL EFFECT; MAGNETRON SPUTTERING; OPTICAL PROPERTIES; PHOSPHORUS; RAPID THERMAL ANNEALING; ZINC OXIDE;

RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING;

THIN FILMS;

EID: 42549106856     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2913011     Document Type: Article

References (28)

1. Y. Chen, D. Bagnall, and T. Yao, Mater. Sci. Eng., B 75, 190 (2000).
2. D. K. Hwang, M. S. Oh, J. H. Lim, and S. J. Park, J. Phys. D 40, R387 (2007).
3. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
4. D. K. Hwang, S. H. Kang, J. H. Lim, E. J. Yang, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 222101 (2005).
5. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 4, 42 (2005).
6. A. Tsukazaki, M. Kubota, A. Ohtomo, T. Onuma, K. Ohtani, H. Ohno, S. F. Chichibu, and M. Kawasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L643 (2005).
7. Y. R. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. J. Kim, Y. S. Park, and C. J. Youn, Appl. Phys. Lett. 88, 241108 (2006).
8. J. H. Lim, C. K. Kang, K. K. Kim, I. K. Park, D. K. Hwang, and S. J. Park, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 2720 (2006).
9. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
10. H. Yang, Y. Li, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. Jung, F. Ren, and L. A. Boatner, Appl. Phys. Lett. 86, 172103 (2003).
11. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
12. K. H. Bang, D. K. Hwang, M. C. Park, Y. D. Ko, I. Yun, and J. M. Myoung, Appl. Surf. Sci. 210, 177 (2003).
13. Y. D. Ko, J. Jung, K. H. Bang, M. C. Park, K. S. Huh, J. M. Myoung, and I. Yun, Appl. Surf. Sci. 202, 266 (2002).
14. S. Jang, J. J. Chen, B. S. Kang, F. Ren, D. P. Norton, S. J. Pearton, J. Lopata, and W. S. Hobson, Appl. Phys. Lett. 87, 222113 (2005).
15. Z. G. Yu, P. Wu, and H. Gong, Appl. Phys. Lett. 88, 132114 (2006).
16. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 152116 (2006).
17. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001).
18. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996).
19. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 152116 (2006).
20. B. Amrami and S. Hanzaou, Catal. Today 89, 331 (2004).
21. S. S. Kim and B.-T. Lee, Thin Solid Films 446, 307 (2004).
22. Y. Ma, G. T. Du, T. P. Yang, D. L. Qiu, X. Zhang, H. J. Yang, Y. T. Zhang, B. J. Zhao, X. T. Yang, and D. L. Liu, J. Cryst. Growth 255, 303 (2003).
23. S. Choopun, R. D. Vispute, W. Noch, A. Balsamo, R. P. Sharma, T. Venkatesan, A. Iliadis, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 75, 3947 (1999).
24. J. H. Yang, H. S. Kim, J. H. Lim, D. K. Hwang, J. Y. Oh, and S. J. Park, J. Electrochem. Soc. 153, G242 (2006).
25. D. K. Hwang, M. S. Oh, J. H. Lim, C. G. Kang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 90, 021106 (2007).
26. H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, I. Kobayashi, and H. Uchiki, Appl. Phys. Lett. 76, 1905 (2000).
27. D. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, T. C. Collins, W. Harsch, and G. Cantwell, Phys. Rev. B 57, 12151 (1998).
28. D. K. Hwang, H. S. Kim, J. H. Lim, J. Y. Oh, J. H. Yang, S. J. Park, K. K. Kim, D. C. Look, and Y. S. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 151917 (2005).