The effect of Ar/O2 sputtering gas on the phosphorus-doped p-type ZnO thin films

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 153, Issue 3, 2006, Pages

  Yang, Jin Ho ^a   Kim, Hyun Sik ^a   Lim, Jae Hong ^a   Hwang, Dae Kue ^a   Oh, Jin Yong ^a   Park, Seong Ju ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARGON; DOPING (ADDITIVES); FILM GROWTH; MAGNETRON SPUTTERING; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OXYGEN; PHOSPHORUS; PHOTOLUMINESCENCE; RAPID THERMAL ANNEALING; ZINC OXIDE;

ELECTRON CONCENTRATION; NANORODS; RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING; ZNO THIN FILMS;

THIN FILMS;

EID: 32044464268     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2164727     Document Type: Article

References (24)

1. D. C. Reynolds, D. C. Look, and B. Jogai, Solid State Commun., 99, 873 (1996).
2. R. D. Vispute, V. Talyansky, S. Choopun, M. Downes, R. P. Sharma, T. Venkatesan, M. C. Wood, R. T. Lareau, K. A. Jones, and A. A. Iliadis, Appl. Phys. Lett., 70, 2735 (1997).
3. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett., 70, 2230 (1997).
4. J. Narayan, K. Dovidenko, A. K. Sharma, and S. Oktyabrsky, J. Appl. Phys., 84, 2597 (1998).
5. M. Kawasaki, A. Ohtomo, I. Ohkubo, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu, G. K. L. Wang, B. P. Zhang, and Y. Segawa, Mater. Sci. Eng., B, 56, 239 (1998).
6. E. M. Wong and P. C. Searson, Appl. Phys. Lett., 74, 2939 (1999).
7. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B, 80, 383 (2001).
8. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, J. Appl. Phys., 83, 3192 (1998).
9. T. Yamamoto and H. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 38, L166 (1999).
10. Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong, and H. W. White, J. Cryst. Growth, 216, 330 (2000).
11. M. Joseph, H. Tabata, H. Saeki, K. Ueda, and T. Kawai, Physica B, 302-303, 140 (2001).
12. K. Nakahara, H. Takasu, P. Fons, A. Yamada, K. Iwata, K. Matsubara, R. Hunger, and S. Niki, Appl. Phys. Lett., 79, 4139 (2001).
13. A. Tsukazaki, H. Saito, K. Tamura, M. Ohtani, H. Koinuma, M. Sumiya, S. Fuke, T. Fukumura, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett., 81, 235 (2002).
14. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett., 81, 1830 (2002).
15. A. B. M. A. Ashrafi, I. Suemune, H. Kumano, and S. Tanaka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 41, L1281 (2002).
16. Y. W. Heo, Y. W. Kwon, Y. Li, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett., 84, 3474 (2004).
17. D. K. Hwang, S. H. Kang, J. H. Lim, E. J. Yang, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 86, 222101 (2005).
18. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. F. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater., 4, 42 (2005).
19. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett., 83, 63 (2003).
20. X. Liu, X. Wu, H. Cau, and R. P. Chang, J. Appl. Phys., 95, 3141 (2004).
21. T. Tatsumi, M. Fujita, N. Kawamoto, M. Sasajima and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 43, 2602 (2004).
22. E. C. Lee, Y. S. Kim, Y. G. Jin, and K. J. Chang, Phys. Rev. B, 64, 085120 (2001).
23. K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallant, J. A. Voigt, and B. E. Gnade, J. Appl. Phys., 79, 7983 (1996).
24. B. Lin, Z. Fu, and Y. Jia, Appl. Phys. Lett., 79, 943 (2001).