Real-time evolution of tunneling magnetoresistance during annealing in CoFeBMgOCoFeB magnetic tunnel junctions

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 15, 2008, Pages

  Wang, W G ^a   Ni, C ^a   Rumaiz, A ^a   Wang, Y ^a   Fan, X ^a   Moriyama, T ^a   Cao, R ^a   Wen, Q Y ^b   Zhang, H W ^b   Xiao, John Q ^a  

^a UNIVERSITY OF DELAWARE   (United States)

^b UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALLIZATION; ELECTRODES; HETEROJUNCTIONS; MAGNETORESISTANCE;

BARRIER QUALITY; MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS;

REAL TIME CONTROL;

EID: 42349113560     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2903147     Document Type: Article

References (29)

1. J. S. Moodera, L. R. Kinder, T. M. Wong, and R. Meservey, Phys. Rev. Lett. 74, 3273 (1995).
2. W. G. Wang, C. Ni, T. Moriyama, J. Wan, E. Nowak, and J. Q. Xiao, Appl. Phys. Lett. 88, 202501 (2006).
3. S. Yuasa and D. D. Djayaprawira, J. Phys. D 40, R337 (2007).
4. T. Moriyama, C. Ni, W. G. Wang, X. Zhang, and J. Q. Xiao, Appl. Phys. Lett. 88, 222503 (2006).
5. Y. Z. Liu, W. G. Wang, T. Moriyama, J. Q. Xiao, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 75, 134420 (2007).
6. D. X. Wang, C. Nordman, J. M. Daughton, Z. H. Qian, and J. Fink, Eur. Mass Spectrom. 40, 2269 (2004).
7. S. S. P. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P. M. Rice, B. Hughes, M. Samant, and S. H. Yang, Nat. Mater. 3, 862 (2004).
8. S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki, and K. Ando, Nat. Mater. 3, 868 (2004).
9. D. D. Djayaprawira, K. Tsunekawa, M. Nagai, H. Maehara, S. Yamagata, N. Watanabe, S. Yuasa, Y. Suzuki, and K. Ando, Appl. Phys. Lett.. 86, 092502 (2005).
10. Y. S. Choi, K. Tsunekawa, Y. Nagamine, and D. Djayaprawira, J. Appl. Phys. 101, 013907 (2007).
11. W. H. Butler, X.-G. Zhang, T. C. Schulthess, and J. M. MacLaren, Phys. Rev. B 63, 054416 (2001).
12. J. Mathon and A. Umerski, Phys. Rev. B 63, 220403 (2001).
13. R. C. Sousa, J. J. Sun, V. Soares, P. P. Freitas, A. Kling, M. F. da Silva, and J. C. Soares, J. Appl. Phys. 85, 5258 (1999).
14. K. I. Lee, K. H. Chae, J. H. Lee, J. G. Ha, K. Rhie, W. Y. Lee, and K. H. Shin, Microelectron. Eng. 69, 305 (2003).
15. J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Takahashi, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L587 (2005).
16. J. Hayakawaa, S. Ikeda, Y. M. Lee, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 89, 232510 (2006).
17. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, R. Sasaki, T. Meguro, F. Matsukura, and H. Ohno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 44, L1442 (2005).
18. S. Ikeda, J. Hayakawa, Y. M. Lee, T. Tanikawa, F. Matsukura, and H. Ohno, J. Appl. Phys. 99, 08A907 (2006).
19. Y. N. Jang, C. H. Nam, K. S. Lee, B. K. Cho, Y. J. Cho, K. S. Kim, and K. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 91, 102104 (2007).
20. Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 89, 042506 (2006).
21. Y. M. Lee, J. Hayakawa, S. Ikeda, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. 90, 212507 (2007).
22. X. Y. Liu, D. Mazumdar, W. F. Shen, B. D. Schrag, and G. Xiao, Appl. Phys. Lett. 89, 023504 (2006).
23. G. X. Miao, K. B. Chetry, A. Gupta, W. H. Butler, K. Tsunekawa, D. Djayaprawira, and G. Xiao, J. Appl. Phys. 99, 08T305 (2006).
24. W. F. Shen, D. Mazumdar, X. J. Zou, X. Y. Liu, B. D. Schrag, and G. Xiao, Appl. Phys. Lett. 88, 182504 (2006).
25. W. Pong, M. Schmoueli, F. Li, and W. F. Egelhoff, 52nd Magnetism and Magnetic Materials Conference, Tampa, FL, 2007 (unpublished), paper p. FP-05.
26. Y. S. Choi, Y. Nagamine, K. Tsunekawa, H. Maehara, D. D. Djayaprawira, S. Yuasa, and K. Ando, Appl. Phys. Lett. 90, 012505 (2007).
27. Y. Lu, C. Deranlot, A. Vaures, F. Petroff, J. M. George, Y. Zheng, and D. Demailles, Appl. Phys. Lett. 91, 222504 (2007).
28. A. T. G. Pym, A. Lamperti, B. K. Tanner, T. Dimopoulos, M. Ruhrig, and J. Wecker, Appl. Phys. Lett. 88, 162505 (2006).
29. H. E. Swanson and E. Tatge, Natl. Bur. Stand. Circ. (U. S.) 539, 37 (1953).