Impact of interfacial dipole on effective work function of nickel fully silicided gate electrodes formed on rare-earth-based dielectric interlayers

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 17, 2007, Pages

  Lim, Andy Eu Jin ^a   Fang, Wei Wei ^a   Liu, Fangyue ^a   Lee, Rinus Tek Po ^a   Samudra, Ganesh ^a   Kwong, Dim Lee ^a   Yeo, Yee Chia ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIELECTRIC FILMS; DIPOLE MOMENT; ELECTROCHEMICAL ELECTRODES; ELECTRONEGATIVITY; THRESHOLD VOLTAGE; ULTRATHIN FILMS;

DIELECTRIC INTERLAYERS; INTERFACIAL DIPOLE; INTERLAYER MATERIALS;

WORK FUNCTION;

EID: 35548984896     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2803762     Document Type: Article

References (18)

1. W. P. Maszara, J. Electrochem. Soc. 152, G550 (2005).
2. T. Hoffmann, A. Veloso, A. Lauwers, H. Yu, H. Tigelaar, M. van Dal, T. Chiarella, C. Kerner, T. Kauerauf, A. Shickova, R. Mitsuhashi, I. Satoru, M. Niwa, A. Rothschild, B. Froment, J. Ramos, A. Nackaerts, M. Rosmeulen, S. Brus, C. Vrancken, P. P. Absil, M. Jurczak, S. Biesemans, and J. A. Kittl, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 269 (2006).
3. J. Kedzierski, D. Boyd, P. Ronsheim, S. Zafar, J. Newbury, J. Ott, C. Cabral, Jr., M. Ieong, and W. Haensch, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 315 (2003).
4. K. Takahashi, K. Manabe, T. Ikarashi, N. Ikarashi, T. Hase, T. Yoshihara, H. Watanabe, T. Tatsumi, and Y. Mochizuki, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 91 (2004).
5. J. A. Kittl, M. A. Pawlak, A. Lauwers, C. Demeurisse, K. Opsomer, K. G. Anil, C. Vrancken, M. J. H. van Dal, A. Veloso, S. Kubicek, P. Absil, K. Maex, and S. Biesemans, IEEE Electron Device Lett. 27, 34 (2006).
6. Y. H. Kim, C. Cabral, Jr., E. P. Gusev, R. Carruthers, L. Gignac, M. Gribelyuk, E. Cartier, S. Zafar, M. Copel, V. Narayanan, J. Newbury, B. Price, J. Acevedo, P. Jamison, B. Linder, W. Natzle, J. Cai, R. Jammy, and M. Ieong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 657 (2005).
7. A. E. J. Lim, R. T. P. Lee, C. H. Tung, S. Tripathy, D.-L. Kwong, and Y. C. Yeo, J. Electrochem. Soc. 153, G337 (2006).
8. H. Y. Yu, S. Z. Chang, A. Veloso, A. Lauwers, C. Adelmann, B. Onsia, S. Van Elshocht, R. Singanmalla, M. Demand, R. Vos, T. Kauerauf, S. Brus, X. Shi, S. Kubicek, C. Vrancken, R. Mitsuhashi, P. Lehnen, J. Kittl, M. Niwa, K. M. Yin, T. Hoffman, S. Degendt, M. Jurczak, P. Absil, and S. Biesemans, in IEEE Symposium on VLSI Technology, DTPDEW, 07431562 18 2007.
9. A. E. J. Lim, R. T. P. Lee, X. P. Wang, W. S. Hwang, C. H. Tung, G. Samudra, D.-L. Kwong, and Y. C. Yeo, IEEE Electron Device Lett. 28, 482 (2007).
10. J. J. Chambers and G. N. Persons, J. Appl. Phys. 90, 918 (2001).
11. T. Gougousi, M. J. Kelly, D. B. Terry, and G. N. Persons, J. Appl. Phys. 93, 1691 (2003).
12. T. L. Barr, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1793 (1991).
13. M. J. Guittet, J. P. Crocombette, and M. Gautier-Soyer, Phys. Rev. B 63, 125117 (2001).
14. Y.-C. Yeo, T.-J. King, and C. Hu, J. Appl. Phys. 92, 7266 (2002).
15. H. Z. Massoud, J. Appl. Phys. 63, 2000 (1987).
16. H. Y. Yu, C. Ren, Y. C. Yeo, J. F. Kang, X. P. Wang, H. H. H. Ma, M.-F. Li, D. S. H. Chan, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 25, 337 (2004).
17. H. N. Alshareef, M. Quevedo-Lopez, H. C. Wen, R. Harris, P. Kirsch, P. Majhi, B. H. Lee, R. Jammy, D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, and A. I. Kington, Appl. Phys. Lett. 89, 232103 (2006).
18. H. Y. Yu, R. Singanamalla, L.-A. Ragnarsson, V. S. Chang, H.-J. Cho, R. Mitsuhashi, C. Adelmann, S. Van Elshocht, P. Lehnen, S. Z. Chang, K. M. Yin, T. Schram, S. Kubicek, S. De Gendt, P. Absil, K. De Meyer, and S. Biesemans, IEEE Electron Device Lett. 28, 656 (2007).