Metal-organic chemical vapor deposition growth of InGaN/GaN high power green light emitting diode: Effects of InGaN well protection and electron reservoir layer

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 5, 2007, Pages

  Ju, Jin Woo ^a   Kang, Eun Sil ^a   Kim, Hwa Soo ^a   Jang, Lee Woon ^a   Ahn, Haeng Keun ^a   Jeon, Ju Won ^a   Leea, In Hwan ^a   Baek, Jong Hyeob ^b  

^a Chonbuk National University   (South Korea)

^b Korea Photonics Technology Institute (KOPTI)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GALLIUM NITRIDE; GROWTH (MATERIALS); HEAT TREATING FURNACES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM EFFICIENCY;

ELECTROLUMINESCENCE INTENSITY; ELECTRON RESERVOIR LAYER (ERL); VOLATILE INGAN WELLS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 34548634483     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2776218     Document Type: Article

References (21)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, U. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.36.L1568 36, L1568 (1997).
2. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Uamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.35.L74 35, L74 (1996).
4. M. Rao, D. Kim, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1791327 85, 1961 (2004).
5. C. -A. Chang, C. -F. Shih, N. -C. Chen, T. Y. Lin, and K. -S. Liu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1842375 85, 6131 (2004).
6. K. Uchida, M. Kawata, T. Yang, A. Miwa, and J. Gotoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.37.L571 37, L571 (1998).
7. M. G. Cheong, H. S. Yoon, R. J. Choi, C. S. Kim, S. W. Yu, C. -H. Hong, E. -K. Suh, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1410320 90, 5642 (2001).
8. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.122247 73, 1691 (1998).
9. S. Kim, K. Lee, K. Park, and C. S. Kim, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(02)01943-7 247, 62 (2003).
10. Y. Wang, X. J. Pei, Z. G. Xing, L. W. Guo, H. Q. Jia, H. Chen, and J. M. Zhou, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2433700 101, 033509 (2007).
11. H. K. Cho, T. E. Park, D. C. Kim, J. E. Shin, and J. S. Lee, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/pssb.200405088 241, 2816 (2004).
12. S. A. Levetas and M. J. Godfrey, Phys. Rev. B 59, 10202 (1999).
13. P. W. M. Blom, C. Smith, J. E. M. Haverkort, and J. H. Wolter, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.47.2072 47, 2072 (1993).
14. S. D. Lester, M. J. Ludowise, K. P. Killeen, B. H. Perez, J. N. Miller, and S. J. Rosner, J. Cryst. Growth 189-190, 786 (1998). 0022-0248
15. Y. Takahashi, A. Satake, K. Fujiwara, J. K. Shue, U. Jahn, H. Kostial, and H. T. Grahn, Physica E (Amsterdam) 1386-9477 10.1016/j.physe.2003.11.142 21, 876 (2004).
16. N. Otsuji, K. Fujiwara, and J. K. Sheu, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2398690 100, 113105 (2006).
17. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.954911 22, 460 (2001).
18. M. Kamp, Opt. Quantum Electron. 0306-8919 10.1023/A:1007073421569 32, 227 (2000).
19. Y. H. Kim, C. S. Kim, S. K. Noh, S. I. Ban, S. G. Kim, K. Y. Lim and B. S. Oh, J. Korean Phys. Soc. 42, s285 (2003).
20. S. I. Bahn, C. M. Lee, S. J. Lee, J. I. Lee, C. S. Kim, S. K. Noh, B. S. Oh, and K. J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 43, 381 (2003).
21. J. K. Sheu, G. C. Chi, and M. J. Jou, IEEE Photon. Technol. Lett. 1041-1135 10.1109/68.959351 13, 1164 (2001).