Effects of barrier growth temperature ramp-up time on the photoluminescence of InGaNGaN quantum wells

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 3, 2007, Pages

  Wang, Y ^a   Pei, X J ^a   Xing, Z G ^a   Guo, L W ^a   Jia, H Q ^a   Chen, H ^a   Zhou, J M ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM EFFICIENCY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

GROWTH TEMPERATURE; SAPPHIRE SUBSTRATES; TEMPERATURE DEPENDENCES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 33847096797     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2433700     Document Type: Article

References (31)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L74 (1996).
3. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
4. S. Nakomura, Science 281, 956 (1998).
5. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
6. Y. H. Cho, G. H. Gainer, A. J. Fischer, J. J. Song, S. Keller, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 1370 (1997).
7. T. Wang, Y. H. Liu, Y. B. Lee, J. P. Ao, J. Bai, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 81, 2508 (2002).
8. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, Sz. Fujita, Sg. Fujita, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997).
9. L. Nistor, Appl. Phys. Lett. 77, 507 (2000).
10. P. Ruterana, S. Kret, A. Vivet, G. Maciejewski, and P. Dluzewski, J. Appl. Phys. 91, 8979 (2002).
11. S. M. Olaizola, S. T. Pendlebury, J. P. O'Neill, D. J. Mowbray, A. G. Cullis, M. S. Skolnick, P. J. Parbrook, and A. M. Fox, J. Phys. D 35, 599 (2002).
12. L. W. Wu, IEEE Trans. Electron Devices 50, 1766 (2003).
13. D. I. Florescu, J. C. Ramer, D. S. Lee, and E. A. Armour, Appl. Phys. Lett. 84, 5252 (2004).
14. Y. T. Moon, H. H. Lee, D. Y. Noh, S. J. Park, D. J. Kim, J. S. Park, and J. T. Oh, J. Korean Phys. Soc. 42, 557 (2003).
15. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Heidelberg, 1997).
16. H. Amano, T. Takeuchi, S. Sota, H. Sakai, and I. Akasaki, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1143 (1997).
17. S. Yu. Karpov, R. A. Talalaev, I. Yu. Evstratov, and Yu. N. Makarov, Phys. Status Solidi A 192, 417 (2002).
18. R. A. Talalaev, S. Yu. Karpov, I. Yu. Evstratov, and Yu. N. Makarov, Phys. Status Solidi C 0, 311 (2002).
19. T. Sasaki and T. Matsuoka, J. Appl. Phys. 77, 192 (1995).
20. V. Fiorentini, F. Bernardni, F. D. Sala, A. D. Carlo, and P. Lugli, Phys. Rev. B 60, 8849 (1999).
21. R. W. Martin, P. G. Middleton, K. P. O'Donnell, and W. Van der Stricht, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
22. G. Franssen, E. Litwin-Staszewska, R. Piotrzkowski, T. Suski, and P. Perlin, J. Appl. Phys. 94, 6122 (2003).
23. Y. S. Lin, K. J. Ma, C. C. Yang, and T. E. Weirich, J. Cryst. Growth 242, 35 (2002).
24. D. I. Lubyshev, P. P. González-Borrero, E. Marega, Jr., E. Petitprez, N. La Scala, Jr., and P. Basmaji, Appl. Phys. Lett. 68, 205 (1996).
25. A. Tackeuchi, Y. Nacata, S. Muto, and Y. Sugiama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L405 (1995).
26. S. Sanguinetti, M. Henini, M. Grassi, M. Capizzi, P. Frigeri, and S. Franchi, Phys. Rev. B 66, 8276 (1999).
27. R. F. Duan, B. Q. Wang, Z. P. Zhu, and T. P. Zeng, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 6314 (2003).
28. S. Sanguinetti, T. Mano, M. Oshima, T. Tateno, M. Wakaki, and N. Koguchi, Appl. Phys. Lett. 81, 3067 (2002).
29. Y. Narukawa, Y. Kawakami, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 59, 10283 (1997).
30. D. Bimberg, M. Sondergeld, and E. Grobe, Phys. Rev. B 4, 3451 (1971).
31. M. Hao, J. Zhang, X. H. Zhang, and S. Chua, Appl. Phys. Lett. 81, 5129 (2002).