Thermal gate Si O2 for Ge metal-oxide-semiconductor capacitors fabricated on Si substrate

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 9, 2007, Pages

  Wu, Yung Hsien ^a   Wu, Jia Rong ^a   Wu, Min Lin ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GATE DIELECTRICS; GERMANIUM; HYSTERESIS; LEAKAGE CURRENTS; MOS CAPACITORS; PERMITTIVITY;

CRYSTALLINITY; THERMAL OXIDES;

SILICA;

EID: 34548417580     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2776352     Document Type: Article

References (24)

1. C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, B. B. Triplett, P. C. McIntyre, and K. C. Saraswat, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 437.
2. W. P. Bai, N. Lu, J. Liu, A. Ramirez, D. L. Kwong, D. Wristers, A. Ritenour, L. Lee, and D. Antoniadis, Dig. Tech. Papers - Symp. VLSI Tech. 2003, 121.
3. N. Wu, Q. Zhang, C. Zhu, D. S. H. Chan, A. Du, N. Balasubramanian, M. F. Li, A. Chin, J. K. O. Sin, and D.-L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 25, 631 (2004).
4. T. Low, Y. T. Hou, M. F. Li, C. Zhu, A. Chin, G. Samudra1, and D.-L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 691.
5. H. Shang, H. O. Schmidt, K. K. Chan, M. Copel, J. A. Ott, P. M. Kozlowski, S. E. Steen, S. A. Cordes, H.-S. P. Wong, E. C. Jones, and W. E. Haensch, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2002, 441.
6. A. Ritenour, S. Yu, M. L. Lee, N. Lu, W. Bai, A. Pitera, E. A. Fitzgerald, D. L. Kwong, and D. A. Antoniadis, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2003, 433.
7. M. L. Lee, C. W. Leitz, Z. Cheng, A. J. Pitera, T. Langto, M. T. Currie, G. Taraschi, E. A. Fitzgerald, and D. A. Antoniadis, Appl. Phys. Lett. 79, 3344 (2001).
8. H. Shang, J. O. Chu, S. Bedell, E. P. Gusev, P. Jamison, Y. Zhang, J. A. Ott, M. Copel, D. Sadana, K. W. Guarini, and M. Ieong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 157.
9. A. Nayfeh, C. O. Chui, T. Yonehara, and K. C. Saraswat, IEEE Electron Device Lett. 26, 311 (2005).
10. C. C. Yeo, B. J. Cho, F. Gao, S. J. Lee, M. H. Lee, C.-Y. Yu, C. W. Liu, L. J. Tang, and T. W. Lee, IEEE Electron Device Lett. 26, 761 (2005).
11. D. S. Yu, K. C. Chiang, C. F. Cheng, A. Chin, C. Zhu, M. F. Li, and D.-L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 25, 559 (2004).
12. D. S. Yu, A. Chin, C. C. Laio, C. F. Lee, C. F. Cheng, W. J. Chen, C. Zhu, M.-F. Li, W. J. Yoo, S. P. McAlister, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2004, 181.
13. T. Krishnamohan, Z. Krivokapic, K. Uchida, Y. Nishi, K. C. Saraswat, VLSI Tech. Dig. 2005, 82.
14. J. P. Xu, P. T. Lai, C. X. Li, X. Zou, and C. L. Chan, IEEE Electron Device Lett. 27, 439 (2006).
15. P. C. McIntyre, D. Chi, C. O. Chui, H. Kim, K. I. Seo, K. C. Saraswat, R. Sreenivasan, T. Sugawara, F. S. Aguirre-Testado, and R. M. Wallace, ECS Trans. 10.1149/1.2356173 3, 519 (2006).
16. T. Sugawara, Y. Oshima, R. Sreenivasan, and P. C. Mclntyre, Appl. Phys. Lett. 90, 112912 (2007).
17. Y. H. Wu, W. J. Chen, A. Chin, and C. Tsai, Appl. Phys. Lett. 74, 528 (1999).
18. W. S. Liu, J. S. Chen, D. Y. C. Lien, and M.-A. Nicolet, Appl. Phys. Lett. 63, 1405 (1993).
19. W. S. Liu, M.-A. Nicolet, T. K. Carns, and K. L. Wang, J. Electron. Mater. 23, 437 (1994).
20. M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K. Shibahara, S. Miyazaki, and M. Hirose, IEEE Trans. Electron Devices 48, 259 (2001).
21. Y.-H. Wu, E. Hsieh, R. Kuo, S. Lai, and C.-L. Ku, IEEE Electron Device Lett. 26, 66 (2005).
22. Y. H. Wu and Albert Chin, IEEE Electron Device Lett. 21, 113 (2000).
23. Y.-H. Wu, A. Ku, and J. F. Wang, J. Electrochem. Soc. 151, F1 (2004).
24. L. K. Han, J. Kim, G. W. Yoon, J. Yan, and D. L. Kwong, Electron. Lett. 31, 1196 (1995).