The effect of native oxide on epitaxial SiGe from deposited amorphous Ge on Si

Applied Physics Letters

Volumn 74, Issue 4, 1999, Pages 528-530

  Wu, Y H ^a   Chen, W J ^b   Chin, Albert ^a   Tsai, C ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001720302     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.123176     Document Type: Article

References (14)

1. S. S. Lyer, G. L. Patton, J. M. C. Stork, B. S. Meyerson, and D. L. Hurame, IEEE Trans. Electron Devices 36, 2043 (1989).
2. A. J. Tang, J. A. Tsai, R. Reif, and T. J. King, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 513 (1995).
3. F. Y. Huang, S. G. Thomas, M. Chu, K. L. Wang, and N. D. Theodore, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 665 (1996).
4. N. Kistler and J. Woo, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 727 (1993).
5. M. Yoshimi, M. Terauchi, A. Nishiyama, O. Arisumi, A. Murakoshi, K. Matsuzawa, N. Shigyo, S. Takeno, M. Tomita, K. Suzuki, Y. Ushiku, and H. Tango, IEEE Trans. Electron Devices 44, 423 (1997).
6. P. J. Wang, F. F. Fang, B. S. Meyerson, J. Nocera, and B. Parker, Appl. Phys. Lett. 54, 2701 (1989).
7. L. Xiang and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 69, 1915 (1996).
8. S. M. Prokes and A. K. Rai, Appl. Phys. Lett. 60, 568 (1992).
9. A. Chin, B. C. Lin, and W. J. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 1617 (1996).
10. A. Chin, W. J. Chen, T. Chang, R. H. Kao, B. C. Lin, C. Tsai, and J. C-M. Huang. IEEE Electron Device Lett. 18, 417 (1997).
11. A. Chin, B. C. Lin, W. J. Chen, Y. B. Lin, and C. Tsai, IEEE Electron Device Lett. . (1998).
12. R. T. Tung, Appl. Phys. Lett. 68, 3461 (1996).
13. F. K. LeGoues, S. S. Iyer, K. N. Tu, and S. L. Delaye. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 103, 185 (1988).
14. C. M. Comrie and R. T. Newman, J. Appl. Phys. 79, 153 (1996).