Strained Ge channel p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors grown on Si1-xGex/Si virtual substrates

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 20, 2001, Pages 3344-3346

  Lee, Minjoo L ^a   Leitz, C W ^a   Cheng, Z ^a   Pitera, A J ^a   Langdo, T ^a   Currie, M T ^a   Taraschi, G ^a   Fitzgerald, E A ^a   Antoniadis, Dimitri A ^b  

^a Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

^b USA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035851542     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1417515     Document Type: Article

References (20)

1. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
2. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
3. J. A. Carlin, S. A. Ringel, E. A. Fitzgerald, M. Bulsara, and B. M. Keyes, Appl. Phys. Lett. 76, 1884 (2000).
4. J. Welser, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, IEEE Electron Device Lett. 15, 100 (1994).
5. K. Rim, J. Welser, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 517 (1995).
6. D. K. Nayak, K. Goto, A. Yutani, J. Murota, and Y. Shiraki, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1709 (1996).
7. G. Höck, E. Kohn, C. Rosenblad, H. von Kanel, H.-J. Herzog, and U. Konig, Appl. Phys. Lett. 76, 3920 (2000).
8. C. M. Ransom, T. N. Jackson, and J. F. DeGelormo, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2695 (1991).
9. D. Reinking, M. Kammler, N. Hoffman, M. Horn-von-Hoegen, and K. R. Hofmann, Electron. Lett. 35, 503 (1999).
10. M. V. Fischetti and S. E. Laux, J. Appl. Phys. 80, 2234 (1996).
11. S. J. Koester, R. Hammond, and J. O. Chu, IEEE Electron Device Lett. 21, 110 (2000).
12. U. Konig and F. Schaffler, IEEE Electron Device Lett. 14, 205 (1993).
13. G. Höck, T. Hackbarth, U. Erben, E. Kohn, and U. Konig, Electron. Lett. 34, 1888 (1998).
14. M. T. Currie, S. B. Samavdeam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).
15. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett. 63, 2263 (1993).
16. E. A. Fitzgerald, Mater. Sci. Rep. 7, 87 (1991).
17. F. K. Legoues, R. Rosenberg, T. Nguyen, F. Himpsel, and B. S. Meyerson. J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).
18. Y. H. Xie, G. H. Gilmer, C. Roland. P. J. Silverman, S. K. Buratto, J. Y. Cheng, E. A. Fitzgerald, A. R. Kortan, S. Schuppler, M. A. Marcus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 73, 3006 (1994).
19. D. J. Tweet, T. Tatsumi, H. Hirayama, K. Miyanaga, and K. Terashima. Appl. Phys. Lett. 65, 2579 (1994).
20. M. Armstrong, Ph.D. thesis, Massachusetts Institute of Technology (1999).