Effect of growth temperature on defect states of GaAsSbN intrinsic layer in GaAsGaAsSbNGaAs photodiode for 1.3 μm application

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 4, 2007, Pages

  Wicaksono, S ^a   Yoon, S F ^a   Loke, W K ^a   Tan, K H ^a   Lew, K L ^a   Zegaoui, M ^b   Vilcot, J P ^b   Decoster, D ^b   Chazelas, J ^c  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^b INSTITUT D ELECTRONIQUE   (France)

^c THALES   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; ELECTRON TRAPS; GALLIUM COMPOUNDS; GROWTH TEMPERATURE; HOLE TRAPS;

MIDGAP TRAP CONCENTRATION; TRAP CONCENTRATION;

PHOTODIODES;

EID: 34548414640     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2769801     Document Type: Article

References (49)

1. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teissier, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 35, 1246 (1999).
2. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, J. S. Harris, S. Maeng-Je, Y. Seokhyun, R. Kudrawiec, and J. Misiewicz, J. Appl. Phys. 97, 113510 (2005).
3. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, J. S. Harris, and A. Moto, J. Appl. Phys. 96, 6375 (2004).
4. H. Luo, J. A. Gupta, and H. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 86, 211121 (2005).
5. S. Wicaksono, S. F. Yoon, K. H. Tan, and W. K. Loke, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1054 (2005).
6. S. Wicaksono, S. F. Yoon, W. K. Loke, K. H. Tan, and B. K. Ng, J. Appl. Phys. 99, 104502 (2006).
7. G. Ciatto, J. C. Harmand, L. Largeau, and F. Glas, Phys. Status Solidi 3, 1931 (2006).
8. S. B. Zhang and S.-H. Wei, Phys. Rev. Lett. 86, 1789 (2001).
9. A. Janotti, S.-H. Wei, S. B. Zhang, S. Kurtz, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 67, 161201 (2003).
10. L. Wei, M. Pessa, and J. Likonen, Appl. Phys. Lett. 78, 2864 (2001).
11. W. J. Fan, S. F. Yoon, T. K. Ng, S. Z. Wang, W. K. Loke, R. Liu, and A. Wee, Appl. Phys. Lett. 80, 4136 (2002).
12. S. G. Spruytte, C. W. Coldren, J. S. Harris, W. Wampler, P. Krispin, K. Ploog, and M. C. Larson, J. Appl. Phys. 89, 4401 (2001).
13. T. Ahlgren, E. Vainonen-Ahlgren, J. Likonen, W. Li, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 80, 2314 (2002).
14. L. Wei, M. Pessa, T. Ahlgren, and J. Decker, Appl. Phys. Lett. 79, 1094 (2001).
15. N. Q. Thinh, I. A. Buyanova, P. N. Hai, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 63, 033203 (2001).
16. N. Q. Thinh, I. A. Buyanova, W. M. Chen, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 79, 3089 (2001).
17. J. I. Landman, C. G. Morgan, and J. T. Schick, Phys. Rev. Lett. 74, 4007 (1995).
18. M. A. Pinault and E. Tournie, Appl. Phys. Lett. 79, 3404 (2001).
19. K. Krambrock, M. Linde, J. M. Spaeth, D. C. Look, D. Bliss, and W. Walukiewicz, Semicond. Sci. Technol. 7, 1037 (1992).
20. J. Alam, Philos. Mag. 86, 3477 (2006).
21. F. Abulfotuh, A. Balcioglu, D. Friedman, J. Geisz, and S. Kurtz, AIP Conf. Proc. 462, 492 (1999).
22. D. Kwon, R. J. Kaplar, S. A. Ringel, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 74, 2830 (1999).
23. A. Balcioglu, R. K. Ahrenkiel, and D. J. Friedman, Appl. Phys. Lett. 76, 2397 (2000).
24. R. J. Kaplar, D. Kwon, S. A. Ringel, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, E. D. Jones, and R. M. Sieg, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 69, 85 (2001).
25. R. J. Kaplar, S. A. Ringel, S. R. Kurtz, J. F. Klem, and A. A. Allerman, Appl. Phys. Lett. 80, 4777 (2002).
26. A. J. Ptak, S. W. Johnston, S. Kurtz, D. J. Friedman, and W. K. Metzger, J. Cryst. Growth 251, 392 (2003).
27. S. Y. Xie, S. F. Yoon, and S. Z. Wang, J. Appl. Phys. 97, 073702 (2005).
28. W. K. Loke, S. F. Yoon, K. H. Tan, S. Wicaksono, and W. J. Fan, J. Appl. Phys. 101, 033122 (2007).
29. L. C. Kimerling and J. R. Patel, Appl. Phys. Lett. 34, 73 (1979).
30. P. Omling, L. Samuelson, and H. G. Grimmeiss, J. Appl. Phys. 54, 5117 (1983).
31. T. Wosinski, J. Appl. Phys. 65, 1566 (1989).
32. S. Weiss and R. Kassing, Solid-State Electron. 31, 1733 (1988).
33. D. V. Lang, J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974).
34. J. E. Cunningham, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1948 (2001).
35. P. Delvin, H. M. Heravi, and J. C. Woolley, Can. J. Phys. 52, 743 (1981).
36. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
37. F. Bousbih, S. B. Bouzid, R. Chtourou, F. F. Charfi, J. C. Harmand, and G. Ungaro, Mater. Sci. Eng., C 21, 251 (2002).
38. Y. X. Dang, W. J. Fan, S. T. Ng, S. Wicaksono, S. F. Yoon, and D. H. Zhang, J. Appl. Phys. 98, 026102 (2005).
39. J. C. Harmand, Semicond. Sci. Technol. 17, 778 (2002).
40. P. R. C. Kent and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2613 (2001).
41. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
42. S.-H. Park, J. Appl. Phys. 100, 043113 (2006).
43. Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 61, 4433 (2000).
44. E. Arola, J. Ojanen, H.-P. Komsa, and T. T. Rantala, Phys. Rev. B 72, 045222 (2005).
45. F. D. Auret, A. W. R. Leitch, and J. S. Vermaak, J. Appl. Phys. 59, 158 (1986).
46. P. Omling, B. H. Yang, L. Samuelson, R. Yakimova, J. O. Fornell, and L. Ledebo, Phys. Rev. B 44, 13398 (1991).
47. M. Baeumler, J. Schneider, U. Kaufmann, W. C. Mitchel, and P. W. Yu, Phys. Rev. B 39, 6253 (1989).
48. G. Ciatto, Phys. Rev. B 68, 161201 (2003).
49. G. E. Ice, C. J. Sparks, A. Habenschuss, and L. B. Shaffer, Phys. Rev. Lett. 68, 863 (1992).