Study of interdiffusion in GaAsSbNGaAs quantum well structure by ten-band k·p method

Journal of Applied Physics

Volumn 98, Issue 2, 2005, Pages

  Dang, Y X ^a   Fan, W J ^a   Ng, S T ^a   Wicaksono, S ^a   Yoon, S F ^a   Zhang, D H ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING TEMPERATURE; BLUE SHIFT; GROWTH RATES; THERMAL ANNEALING;

ANNEALING; INTERDIFFUSION (SOLIDS); MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL FIBERS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 23844473417     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1954886     Document Type: Review

References (33)

1. J. N. Baillargeon, K. Y. Cheng, G. E. Hofler, P. J. Pearah, and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 60, 2540 (1992).
2. W. G. Bi and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 80, 1934 (1996).
3. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, J. Appl. Phys. 86, 2349 (1999).
4. W. G. Bi and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. 72, 1161 (1998).
5. S. Tomic, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 1228 (2003).
6. R. T. Senger, Appl. Phys. Lett. 83, 5425 (2003).
7. W. Li, T. Jouhti, C. S. Peng, J. Konttinen, P. Laukkanen, M. Dumitrescu, and M. Pessa, Appl. Phys. Lett. 79, 3386 (2001).
8. J. C. Harmand, J. Cryst. Growth 227, 553 (2001).
9. V. M. Ustinov and A. E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol. 15, R41 (2000).
10. J. C. Harmand, Semicond. Sci. Technol. 17, 778 (2002).
11. G. M. Peake, K. E. Waldrip, T. W. Hargett, N. A. Modine, and D. K. Serkland, J. Cryst. Growth 261, 398 (2004).
12. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, C. Vannuffel, A. Million, and A. Chenevas-Paule, Appl. Phys. Lett. 76, 2241 (2000).
13. L. H. Li, Z. Pan, W. Zhang, Y. W. Lin, Z. Q. Zhou, and R. H. Wu, J. Appl. Phys. 87, 245 (2000).
14. S. Senz, U. Egger, M. Schultz, U. Gösele, and H. Ito, J. Appl. Phys. 84, 2546 (1998).
15. H. D. Sun, J. Appl. Phys. 94, 7581 (2003).
16. K. Kim and A. Zunger, Phys. Rev. Lett. 86, 2609 (2001).
17. T. Soma, J. Phys. C 11, 2669 (1978).
18. J. Micallef, E. H. Li, and B. L. Weiss, J. Appl. Phys. 73, 7524 (1993).
19. W. J. Fan and S. F. Yoon, J. Appl. Phys. 90, 843 (2001).
20. W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong, and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 80, 3471 (1996).
21. S. T. Ng, W. J. Fan, S. F. Yoon, S. Z. Wang, Y. Qu, C. Y. Liu, S. G. Ma, and S. Yuan, J. Appl. Phys. 96, 4663 (2004).
22. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
23. Y. X. Dang, W. J. Fan, S. T. Ng, S. F. Yoon, and D. H. Zhang, J. Appl. Phys. 97, 103718 (2005).
24. S. A. Choulis, T. J. C. Hosea, S. Tomic, M. Kamal-Saadi, A. R. Adams, E. P. O'Reilly, B. A. Weinstein, and P. J. Klar, Phys. Rev. B 66, 165321 (2002).
25. I. Vurgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001).
26. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
27. A. D. Prins, D. J. Dunstan, J. D. Lambkin, E. P. O'Reilly, A. R. Adams, R. Pritchard, W. S. Truscott, and K. E. Singer, Phys. Rev. B 47, 2191 (1993).
28. G. Ji, S. Agarwala, D. Huang, J. Chyi, and H. Morko̧, Phys. Rev. B 38, 10571 (1988).
29. M. Peter, K. Winkler, M. Maier, N. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K. H. Bachem, and D. Richards, Appl. Phys. Lett. 67, 2639 (1995).
30. G. Dumitras and H. Riechert, J. Appl. Phys. 94, 3955 (2003).
31. M. Dinu, J. E. Cunningham, F. Quochi, and J. Shah, J. Appl. Phys. 94, 1506 (2003).
32. R. Teissier, D. Sicault, J. C. Harmand, G. Ungaro, G. Le Roux, and L. Largeau, J. Appl. Phys. 89, 5473 (2001).
33. U. Egger, J. Appl. Phys. 81, 6056 (1997).