Effect of growth temperature on closely lattice-matched GaAsSbN intrinsic layer for GaAs-based 1.3 μm p-i-n photodetector

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 10, 2006, Pages

  Wicaksono, S ^a   Yoon, S F ^a   Loke, W K ^a   Tan, K H ^a   Ng, B K ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT DENSITY; LATTICE CONSTANTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOCURRENTS; PHOTODETECTORS; POINT DEFECTS;

CRACKER SOURCE; GROWTH TEMPERATURE; PHOTODETECTOR STRUCTURE;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 33744809316     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2195022     Document Type: Article

References (21)

1. G. Ungaro, G. Le Roux, R. Teissier, and J. C. Harmand, Electron. Lett. 35, 1246 (1999).
2. J.-C. Harmand et al., Semicond. Sci. Technol. 17, 778 (2002).
3. D. Jackrel, H. Yuen, S. Bank, M. Wistey, J. Fu, X. Yu, Z. Rao, and J. S. Harris, Proc. SPIE 5726, 27 (2005).
4. L. F. Bian, D. S. Jiang, P. H. Tan, S. L. Lu, B. Q. Sun, L. H. Li, and J. C. Harmand, Solid State Commun. 132, 707 (2004).
5. G. M. Peake, K. E. Waldrip, T. W. Hargett, N. A. Modine, and D. K. Serkland, J. Cryst. Growth 261, 398 (2004).
6. S. Wicaksono, S. F. Yoon, K. H. Tan, and W. K. Loke, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 1054 (2005).
7. Z. Z. Sun, S. F. Yoon, K. C. Yew, W. K. Loke, W. J. Fan, S. Wang, and T. K. Ng, J. Appl. Phys. 94, 1069 (2003).
8. H. B. Yuen, S. R. Bank, M. A. Wistey, J. S. Harris, Jr., and A. Moto, J. Appl. Phys. 96, 6375 (2004).
9. W. K. Cheah, W. J. Fan, S. F. Yoon, D. H. Zhang, B. K. Ng, W. K. Loke, R. Liu, and A. T. S. Wee, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 1932 (2005).
10. S. Wicaksono, S. F. Yoon, K. H. Tan, and W. K. Cheah, J. Cryst. Growth 274, 355 (2005).
11. M. Yano, M. Ashida, A. Kawaguchi, Y. Iwai, and M. Inoue, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 199 (1989).
12. W. Li, M. Pessa, and J. Likonen, Appl. Phys. Lett. 78, 2864 (2001).
13. W. J. Fan, S. F. Yoon, T. K. Ng, S. Z. Wang, W. K. Loke, R. Liu, and A. Wee, Appl. Phys. Lett. 80, 4136 (2002).
14. K. Volz, V. Gambin, W. Ha, M. A. Wistey, H. Yuen, S. Bank, and J. S. Harris, J. Cryst. Growth 251, 360 (2003).
15. M.-A. Pinault and E. Tourní, Appl. Phys. Lett. 79, 3404 (2001).
16. X. Sun, S. Wang, J. S. Hsu, R. Sidhu, X. G. Zheng, X. Li, J. C. Campbell, and A. L. Holmes, IEEE J. Quantum Electron. 8, 817 (2002).
17. W. K. Loke, S. F. Yoon, T. K. Ng, S. Z. Wang, and W. J. Fan, J. Cryst. Growth 243, 427 (2002).
18. R. Yakimova, P. Omling, B. H. Yang, and L. Samuelson, Appl. Phys. Lett. 59, 1323 (1991).
19. J. Massies and N. Grandjean, Phys. Rev. B 48, 8502 (1993).
20. J. C. Harmand, G. Ungaro, L. Largeau, and G. Le Roux, Appl. Phys. Lett. 77, 2482 (2000).
21. S. Wicaksono, S. F. Yoon, W. K. Loke, and W. J. Fan, Proceedings of the 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference, Glasgow, 2005 (IEEE Cat. No. 05CH37633), p. 421.