Effects of thermal annealing on deep-level defects and minority-carrier electron diffusion length in Be-doped InGaAsN

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 7, 2005, Pages

  Xie, S Y ^a   Yoon, S F ^a   Wang, S Z ^a  

^a NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND GAP; DEEP-LEVEL DEFECTS; MESA ETCHING; THERMAL ANNEALING;

BERYLLIUM; DIFFUSION; ELECTRIC CURRENT MEASUREMENT; HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS; HOLE TRAPS; LEAKAGE CURRENTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTOR DOPING; SOLAR CELLS; VOLTAGE MEASUREMENT;

SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

EID: 17444371645     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1871334     Document Type: Article

References (24)

1. D. Kwon, R. J. Kaplar, S. A. Ringel, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 74, 2830 (1999).
2. R. J. Kaplar, S. A. Ringel, S. R. Kurtz, J. F. Klem, and A. A. Allerman, Appl. Phys. Lett. 80, 4777 (2002).
3. D. J. Friedman, J. F. Geisz, S. R. Kurtz, and J. M. Olson, J. Cryst. Growth 195, 409 (1998).
4. S. R. Kurtz, J. F. Klem, A. A. Allerman, R. M. Sieg, C. H. Seager, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 80, 1379 (2002).
5. S. G. Spruytte, C. W. Coldren, J. S. Harris, W. Wampler, P. Krispin, K. Ploog, and M. C. Larson, J. Appl. Phys. 89, 4401 (2001).
6. C. Monier, A. G. Baca, S. Z. Sun, E. Armour, F. Newman, and H. Q. Hou, Appl. Phys. Lett. 81, 2103 (2002).
7. P. Blood and J. W. Orton, The Electrical Characterization of Semiconductors: Majority Carriers and Electron States (Academic, San Diego, 1992).
8. R. J. Kaplar, A. R. Arehart, S. A. Ringel, A. A. Allerman, R. M. Sieg, and S. R. Kurtz, J. Appl. Phys. 90, 3405 (2001).
9. A. Fukuyama, T. Ikari, Y. Akashi, and M. Suemitsu, Phys. Rev. B 67, 113202 (2003).
10. BIO-RAD " DL8000 Deep Level Transient Spectrometer System. " operations manual, Issue 1, February 1996.
11. W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, J. M. Olson, and S. R. Kurtz, Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999).
12. F. Abulfotuh, A. Balcioglu, D. Friedman, J. Geisz, and S. Kurtz, AIP Conf. Proc. 462, 492 (1999).
13. A. J. Ptak, S. W. Johnston, S. Kurtz, D. J. Friedman, and W. K. Metzger, J. Cryst. Growth 251, 392 (2003).
14. S. Tanaka, A. Moto, M. Takahashi, T. Tanabe, and S. Takagishi, J. Cryst. Growth 221, 467 (2000).
15. F. D. Auret, A. W. R. Leitch, and J. S. Vermaak, J. Appl. Phys. 59, 158 (1986).
16. E. R. Weber, Imperfections in III-V Materials (Academic, San Diego, 1993).
17. L. C. Kimerling and J. R. Patel, Appl. Phys. Lett. 34, 73 (1979).
18. D. Kwon, R. J. Kaplar, S. A Ringel, A. A. Allerman, S. R. Kurtz, and E. D. Jones, Appl. Phys. Lett. 74, 2830 (1999).
19. P. Omling, L. Samuelson, and H. G. Grimmeiss, J. Appl. Phys. 54, 5117 (1983).
20. A. Balcioglu, R. K. Ahrenkiel, and D. J. Friedman, Appl. Phys. Lett. 76, 2397 (2000).
21. P. Krispin, S. G. Spruytte, J. S. Harris, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 80, 2120 (2002).
22. R. J. Welty, H. P. Xin, C. W. Tu, and P. M. Asbeck, J. Appl. Phys. 95, 327 (2004).
23. G. Duggan, G. B. Scott, C. T. Foxon, and J. J. Harris, Appl. Phys. Lett. 38, 246 (1981).
24. S. Z. Wang, S. F. Yoon, W. K. Loke, T. K. Ng, and W. J. Fan, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1364 (2002).