Scaling effect on the operation stability of short-channel organic single-crystal transistors

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 6, 2007, Pages

  Minari, T ^a   Miyadera, T ^b   Tsukagoshi, K ^b   Hamano, T ^b   Aoyagi, Y ^b   Yasuda, R ^c   Nomoto, K ^c   Nemoto, T ^d   Isoda, S ^d  

^a RIKEN   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^c SONY CORPORATION   (Japan)

^d KYOTO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC SPACE CHARGE; SINGLE CRYSTALS; STRESS MEASUREMENT;

OPERATION STABILITY; RUBRENE; SCALING EFFECTS; SHORT CHANNEL DEVICES;

TRANSISTORS;

EID: 34547842535     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2767987     Document Type: Article

References (23)

1. M. D. Austin and S. Y. Chou, Appl. Phys. Lett. 81, 4431 (2002).
2. J. Luo, M. Haller, H. Li, T.-D. Kim, and A. K.-Y. Jen, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 1635 (2003).
3. L. Wang, D. Fine, T. Jung, D. Basu, H. von Seggern, and A. Dodabalapur, Appl. Phys. Lett. 85, 1772 (2004).
4. M. Leufgen, U. Bass, T. Muck, T. Borzenko, G. Schmidt, J. Geurts, V. Wagner, and L. W. Molenkamp, Synth. Met. 146, 341 (2004).
5. T. Minari, T. Nemoto, and S. Isoda, J. Appl. Phys. 99, 034506 (2006).
6. K. Tsukagoshi, K. Shigeto, I. Yagi, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 89, 113507 (2006).
7. G. S. Tulevski, C. Nuckolls, A. Afzali, T. O. Graham, and C. R. Kagan, Appl. Phys. Lett. 89, 183101 (2006).
8. Ch. Kloc, P. G. Simpkins, T. Siegrist, and R. A. Laudise, J. Cryst. Growth 182, 416 (1997).
9. J. Takeya, C. Goldmann, S. Haas, K. P. Pernstich, B. Ketterer, and B. Batlogg, J. Appl. Phys. 94, 5800 (2003).
10. R. W. I. de Boer, T. M. Klapwijk, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 83, 4345 (2003).
11. I. N. Hulea, S. Russo, A. Molinari, and A. F. Morpurgo, Appl. Phys. Lett. 88, 113512 (2006).
12. W. A. Schoonveld, J. B. Oostinga, J. Vrijmoeth, and T. M. Klapwijk, Synth. Met. 101, 608 (1999).
13. M. Matters, D. M. de Leeuw, P. T. Herwig, and A. R. Brown, Synth. Met. 102, 998 (1999).
14. S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 79, 1124 (2001).
15. A. Salleo and R. A. Street, J. Appl. Phys. 94, 471 (2003).
16. H. L. Gomes, P. Stallinga, F. Dinelli, M. Murgia, F. Biscarini, D. M. de Leeuw, T. Muck, J. Geurts, L. W. Molenkamp, and V. Wagner, Appl. Phys. Lett. 84, 3184 (2004).
17. C. R. Kagan, A. Afzail, and T. O. Graham, Appl. Phys. Lett. 86, 193505 (2005).
18. A. Salleo, F. Endicott, and R. A. Street, Appl. Phys. Lett. 86, 263505 (2005).
19. T. Sekitani, S. Iba, Y. Kato, Y. Noguchi, T. Someya, and T. Sakurai, Appl. Phys. Lett. 87, 073505 (2005).
20. T. Jung, A. Dodabalapur, R. Wenz, and S. Mohapatra, Appl. Phys. Lett. 87, 182109 (2005).
21. C. Goldmann, D. J. Gundlach, and B. Batlogg, Appl. Phys. Lett. 88, 063501 (2006).
22. D. K. Hwang, K. Lee, J. H. Kim, S. Im, Ji H. Park, and E. Kim, Appl. Phys. Lett. 89, 093507 (2006).
23. W. L. Kalb, T. Mathis, S. Haas, A. F. Stassen, and B. Batlogg, Appl. Phys. Lett. 90, 092104 (2007).